磁传感器装置制造方法及图纸

磁传感器装置具备第一检测电路、第二检测电路以及处理器。处理器构成为执行生成第一初始检测值的第一生成处理、生成第二初始检测值的第二生成处理、第一修正处理、第二修正处理、以及确定处理。第一修正处理是修正第一初始检测值并更新第一初始检测值的处理。第二修正处理是修正第二初始检测值并更新第二初始检测值的处理。处理器在交替执行第一修正处理和第二修正处理之后执行确定处理。二修正处理之后执行确定处理。二修正处理之后执行确定处理。

【技术实现步骤摘要】
磁传感器装置


[0001]本专利技术涉及一种构成为检测互不相同的多个方向的多个磁场的磁传感器装置。

技术介绍

[0002]近年来，在各种用途中利用使用了磁阻效应元件的磁传感器。在包含磁传感器的系统中，有时想要利用设置在基板上的磁阻效应元件检测包含与基板的面垂直的方向的分量的磁场。在该情况下，通过设置将与基板的面垂直的方向的磁场转换成与基板的面平行的方向的磁场的软磁性体，或在形成在基板上的倾斜面上配置磁阻效应元件，能够检测包含与基板的面垂直的方向的分量的磁场。
[0003]在日本专利申请公开2006－261401号公报中公开有一种X轴传感器、Y轴传感器以及Z轴传感器设置在基板上的磁传感器。构成Z轴传感器的磁阻效应元件设置于形成于基板的基底膜的突起部的斜面。
[0004]在将磁阻效应元件配置在倾斜面上的磁传感器中，不需要转换磁场的软磁性体。然而，软磁性体有时也作为屏蔽件发挥作用。即，该软磁性体有时构成为具有几乎不使应检测方向的磁场衰减，但使与应检测方向不同的方向的磁场遮断或衰减的功能。因此，在这样的软磁性体、或屏蔽件未被设置的磁传感器中，磁阻效应元件的灵敏度会根据与应检测方向不同的方向的磁场而变化，其结果，有时磁传感器的检测精度降低。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供能够在构成为检测互不相同的多个方向的多个磁场的磁传感器装置中减小检测对象的磁场以外的磁场所引起的误差的磁传感器装置。
[0006]本专利技术的磁传感器装置具备：第一检测电路，其构成为检测作为检测对象的磁场的对象磁场的一方向的分量，并生成第一检测信号；第二检测电路，其检测对象磁场的另一方向的分量，并生成第二检测信号；以及处理器。
[0007]处理器构成为执行如下处理：第一生成处理，使用第一检测信号生成第一初始检测值；第二生成处理，使用第二检测信号生成第二初始检测值；第一修正处理，使用根据最新的第二初始检测值生成的第二修正值来修正第一初始检测值，并更新第一初始检测值；第二修正处理，使用根据最新的第一初始检测值生成的第一修正值来修正第二初始检测值，并更新第二初始检测值；确定处理，将最新的第一初始检测值确定为与平行于第一基准方向的对象磁场的分量具有对应关系的第一检测值，并且将最新的第二初始检测值确定为与平行于第二基准方向的对象磁场的分量具有对应关系的第二检测值。处理器在交替执行第一修正处理和第二修正处理之后，执行确定处理。
[0008]在本专利技术的磁传感器装置中，处理器在交替执行第一修正处理和第二修正处理之后，执行确定处理。由此，根据本专利技术，能够减小检测对象的磁场以外的磁场所引起的误差。
[0009]本专利技术的其它目的、特征及优点通过以下的说明而变得充分清楚。
附图说明
[0010]图1是表示本专利技术的第一实施方式的磁传感器装置的立体图。
[0011]图2是表示本专利技术的第一实施方式的磁传感器装置的俯视图。
[0012]图3是表示本专利技术的第一实施方式的磁传感器装置的结构的功能框图。
[0013]图4是表示本专利技术的第一实施方式的第一检测电路的电路结构的电路图。
[0014]图5是表示本专利技术的第一实施方式的第二检测电路的电路结构的电路图。
[0015]图6是表示本专利技术的第一实施方式的第三检测电路的电路结构的电路图。
[0016]图7是表示本专利技术的第一实施方式的第一芯片的一部分的俯视图。
[0017]图8是表示本专利技术的第一实施方式的第一芯片的一部分的截面图。
[0018]图9是表示本专利技术的第一实施方式的第二芯片的一部分的俯视图。
[0019]图10是表示本专利技术的第一实施方式的第二芯片的一部分的截面图。
[0020]图11是表示本专利技术的第一实施方式的磁阻效应元件的侧视图。
[0021]图12是表示本专利技术的第一实施方式的处理器的结构的功能框图。
[0022]图13是表示本专利技术的第二实施方式的第一检测电路的电路结构的电路图。
[0023]图14是表示本专利技术的第二实施方式的第二检测电路的电路结构的电路图。
[0024]图15是表示本专利技术的第二实施方式的第三检测电路的电路结构的电路图。
[0025]图16是表示本专利技术的第三实施方式的磁传感器装置的结构的功能框图。
[0026]图17是表示本专利技术的第三实施方式的第一检测电路的电路结构的电路图。
[0027]图18是表示本专利技术的第三实施方式的第二检测电路的电路结构的电路图。
[0028]图19是表示本专利技术的第三实施方式的第三检测电路的电路结构的电路图。
[0029]图20是表示本专利技术的第三实施方式的多个磁阻效应元件和多个磁轭的立体图。
[0030]图21是表示本专利技术的第三实施方式的多个磁阻效应元件和多个磁轭的侧视图。
[0031]图22是表示本专利技术的第三实施方式的处理器的结构的功能框图。
具体实施方式
[0032][第一实施方式][0033]以下，参照附图，对本专利技术的实施方式进行详细的说明。首先，参照图1～图3，对本专利技术的第一实施方式的磁传感器装置的结构进行说明。图1是表示磁传感器装置100的立体图。图2是表示磁传感器装置100的俯视图。图3是表示磁传感器装置100的结构的功能框图。磁传感器装置100具备磁传感器1。
[0034]磁传感器装置100具备第一芯片2、第二芯片3以及支撑第一及第二芯片2、3的支撑体4。磁传感器1由第一芯片2和第二芯片3构成。第一芯片2、第二芯片3及支撑体4均具有长方体形状。支撑体4具有作为上表面的基准平面4a、位于与基准平面4a相反侧的下表面、以及将基准平面4a和下表面连接的四个侧面。
[0035]在此，参照图1及图2，对本实施方式的基准坐标系进行说明。基准坐标系是以磁传感器装置100为基准的坐标系，是由三个轴定义的正交坐标系。在基准坐标系中，定义X方向、Y方向、Z方向。X方向、Y方向、Z方向相互正交。在本实施方式中，特别是将与支撑体4的基准平面4a垂直的方向、即从支撑体4的下表面朝向基准平面4a的方向设为Z方向。另外，将与X方向相反的方向设为－X方向，将与Y方向相反的方向设为－Y方向，将与Z方向相反的方向
设为－Z方向。定义基准坐标系的三个轴是与X方向平行的轴、与Y方向平行的轴、与Z方向平行的轴。
[0036]以下，将相对于基准的位置处于Z方向的前方的位置称为“上方”，将相对于基准的位置处于与“上方”相反侧的位置称为“下方”。另外，对于磁传感器装置100的构成要素，将位于Z方向的一端的面称为“上表面”，将位于－Z方向的一端的面称为“下表面”。另外，“从Z方向观察时”这样的表达是指从沿Z方向分开的位置观察对象物。
[0037]第一芯片2具有位于彼此相反侧的上表面2a及下表面和将上表面2a及下表面连接的四个侧面。第二芯片3具有位于彼此相反侧的上表面3a及下表面和将上表面3a及下表面连接的四个侧面。
[0038]第一芯片2以第一芯片2的下表本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁传感器装置，其特征在于，具备：第一检测电路，其构成为检测作为检测对象的磁场的对象磁场的一方向的分量并生成第一检测信号；第二检测电路，其构成为检测所述对象磁场的另一方向的分量并生成第二检测信号；以及处理器，所述处理器构成为执行如下处理：第一生成处理，其使用所述第一检测信号来生成第一初始检测值；第二生成处理，其使用所述第二检测信号来生成第二初始检测值；第一修正处理，其使用根据最新的所述第二初始检测值生成的第二修正值来修正所述第一初始检测值，并更新所述第一初始检测值；第二修正处理，其使用根据最新的所述第一初始检测值生成的第一修正值来修正所述第二初始检测值，并更新所述第二初始检测值；确定处理，其将最新的所述第一初始检测值确定为与平行于第一基准方向的所述对象磁场的分量具有对应关系的第一检测值，并且将最新的所述第二初始检测值确定为与平行于第二基准方向的所述对象磁场的分量具有对应关系的第二检测值，所述处理器在交替执行所述第一修正处理和所述第二修正处理之后，执行所述确定处理。2.根据权利要求1所述的磁传感器装置，其特征在于，所述处理器将所述第一修正处理和所述第二修正处理分别各两次地执行。3.根据权利要求1所述的磁传感器装置，其特征在于，所述处理器在执行第一次的所述第一修正处理之前，执行第一次的所述第二修正处理。4.根据权利要求1所述的磁传感器装置，其特征在于，所述第一修正值是通过包括最新的所述第一初始检测值乘以第一修正系数的运算而算出的值，所述第二修正值是通过包括最新的所述第二初始检测值乘以第二修正系数的运算而算出的值。5.根据权利要求1所述的磁传感器装置，其特征在于，所述第一检测电路和所述第二检测电路各自包含：第一磁阻效应元件及第二磁阻效应元件，其在作为将第一节点和第二节点电连接的路径的第一路径上串联连接；第三磁阻效应元件及第四磁阻效应元件，其在作为将所述第一节点和所述第二节点电连接的其它路径的第二路径上串联连接，所述第一磁阻效应元件和所述第四磁阻效应元件与所述第一节点连接，所述第二磁阻效应元件和所述第三磁阻效应元件与所述第二节点连接，所述第一磁阻效应元件、所述第二磁阻效应元件、所述第三磁阻效应元件、所述第四磁阻效应元件各自包含具有方向被固定的第一磁化的磁化固定层、具有方向能够根据所述对
象磁场而变化的第二磁化的自由层、以及配置于所述磁化固定层和所述自由层之间的间隙层，所述第一磁阻效应元件中的所述第一磁化的主分量的方向和所述第三磁阻效应元件中的所述第一磁化的主分量的方向是相同方向，所述第二磁阻效应元件中的所述第一磁化的主分量的方向和所述第四磁阻效应元件中的所述第一磁化的主分量的方向是相同方向，所述第二磁阻效应元件中的所述第一磁化的主分量的方向是与所述第一磁阻效应元件中的所述第一磁化的主分量的方向相反的方向，所述第四磁阻效应元件中的所述第一磁化的主分量的方向是与所述第三磁阻效应元件中的所述第一磁化的主分量的方向相反的方向，在未对所述第一检测电路及所述第二检测电路施加所述对象磁场的情况下，所述第一磁阻效应元件、所述第二磁阻效应元件、所述第三磁阻效应元件、所述第四磁阻效应元件中的两个磁阻效应元件各自的所述第二磁化的主分量的方向是与所述第一磁阻效应元件、所述第二磁阻效应元件、所述第三磁阻效应元件、所述第四磁阻效应元件中的其它两个磁阻效应元件各自的所述第二磁化的主分量的方向相反的方向。6.根据权利要求5所述的磁传感器装置，其特征在于，所述间隙层是隧道势垒层。7.根据权利要求1所述的磁传感器装置，其特征在于，在所述第一检测电路和所述第二检测电路的各个未设置屏蔽件。8.根据权利要求1所述的磁传感器装置，其特征在于，所述第一基准方向和所述第二基准方向均与基准平面平行且相互正交。9.根据权利要求1所述的磁传感器装置，其特征在于，所述第一检测电路检测的所述对象磁场的分量的方向是与基准平面平行的方向，所述第二检测电路检测的所述对象磁场的分量的方向是相对于所述基准平面倾斜的方向。10.根据权利要求9所述的磁传感器装置，其特征在于，还具备第三检测电路，所述第三检测电路构成为检测相对于所述基准平面倾斜并且与所述第二检测电路检测的所述对象磁场的分量的方向不同的方向的所述对象磁场的分量，并生成第三检测信号，所述第二生成处理是使用所述第二检测信号和所述第三检测信号，生成所述第二初始检测值...

【专利技术属性】
技术研发人员：太田宪和，望月慎一郎，渡部司也，平林启，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：