成膜用精密掩模及其制造方法、电致发光装置及制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种成膜用精密掩模。具有以规定的间隔平行配置，形成多个第一开口部（２）的第一梁（３）；在第一梁（３）之上，与该第一梁（３）交叉配置形成多个第二开口部（４）的１或多个第二梁（５）；第一梁（３）和第二梁（５）在交叉部分连结。由此可在有机ＥＬ显示装置的发光层等的蒸镀时，与玻璃基板的对位容易，并且能形成强度充分并且正确的蒸镀图形的成膜用精密掩模。另外，本发明专利技术还提供简单并且可靠地制造这样的成膜用精密掩模的方法、有机ＥＬ显示装置及其制造方法、具有有机ＥＬ显示装置的电子仪器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在形成有机电致发光(以下称作有机EL)显示装置的空穴输送层、发光层等时使用的成膜用精密掩模及其制造方法、有机EL显示装置及其制造方法、具有有机EL显示装置的电子仪器。
技术介绍
在以往覆盖用掩模中，存在用氢氧化钾湿蚀刻(100)面方位单晶硅片，使中央部分变薄，通过干蚀刻形成与有机EL显示装置的各像素对应的覆盖用开口部的掩模(例如，参照专利文献1)。此外，覆盖用掩模相当于本专利技术的成膜用精密掩模。此外，在以往的蒸镀掩模中，存在用氢氧化钾湿蚀刻(100)面方位，产生薄的部分，通过用氢氧化钾湿蚀刻，形成蒸镀图形(开口部)的蒸镀掩模(例如，参照专利文献2)。此外，蒸镀掩模相当于本专利技术的成膜用精密掩模。在以往的有机EL显示装置用的由单晶硅构成的成膜用精密掩模中，如图10所示，排列形成多个能在一次中形成与红、蓝、绿对应的在纵向排列的像素的宽度数十微米的细长开口部。特开2001-185350号公报(第七页，图1)特开平4-236758号公报(第四页，图1)在用以往的覆盖用掩模形成了与有机EL显示装置的各像素对应的覆盖用开口部时(例如参照专利文献1)，在蒸镀发光层等时，有必要在纵横两方向上，在±5微米以内，把使蒸镀物蒸镀的玻璃基板和覆盖用掩模对位，因为有必要在真空蒸镀室内进行它，所以存在无法提高生产效率的问题。此外，在蚀刻以往的(100)面方位单晶硅片，形成开口部的蒸镀掩模中(例如，参照专利文献2)，如图10所示，如果要并列形成多个宽度数十微米的细长开口部，则位于开口部间的硅细，所以在强度弱，导致变形，存在无法形成正确的蒸镀图形的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供在有机EL显示装置的发光层等的蒸镀时，与玻璃基板的对位容易，此外能形成强度充分并且正确的蒸镀图形的成膜用精密掩模。其目的还在于提供简单并且可靠地制造这样的成膜用精密掩模的方法、有机EL显示装置及其制造方法、具有有机EL显示装置的电子仪器。本专利技术的成膜用精密掩模包括以规定的间隔平行配置，形成多个第一开口部的第一梁；在第一梁上，与该第一梁交叉配置，形成多个第二开口部的一个或多个第二梁；第一梁和第二梁由交叉部分连结。在本专利技术中形成第二开口部的第二梁实现形成第一开口部的第一梁的增强材料的作用。此外，第一开口部为宽度数十微米，纵向数厘米以上的非常细长的开口。第一梁和第二梁连结，第二梁实现增强材料的作用，从而第一梁不会变形，能形成正确的蒸镀图形。此外，第一开口部为非常细长的形状，如下所示，在发光层等的蒸镀时，玻璃基板和成膜用精密掩模的对位容易。此外，在本专利技术的成膜用精密掩模中，第一梁和第二梁与掩模基板一体形成。在本专利技术中，第一梁和第二梁与掩模基板一体形成，所以变为高精度、刚性强的成膜用精密掩模。此外，本专利技术的成膜用精密掩模中，掩模基板由单晶硅构成。在本专利技术中，掩模基板由单晶硅构成，所以高精度，刚性腔，能通过湿蚀刻容易地制造成膜用精密掩模。此外，本专利技术的成膜用精密掩模中，第一梁的侧面和第二梁的侧面的一方或双方是111面方位。在本专利技术中，第一梁的侧面和第二梁的侧面的一方或双方是(111)面方位，在形成第一开口部或第二开口部时，通过用氢氧化钾等对由单晶硅构成的掩模基板进行各向异性蚀刻，能容易地制造成膜用精密掩模。此外，本专利技术的成膜用精密掩模中，所述掩模基板单晶硅构成，由用(111)面方位单晶硅一体形成的掩模基板构成，具有以与掩模基板的(110)面垂直的(111)面为侧面的所述第一梁；与第一梁交叉，以与掩模基板的(110)面垂直的(111)面为侧面的第二梁。在本专利技术中，形成掩模基板的第二开口部的第二梁实现形成的第一开口部的第一梁的增强材料的作用。第一梁和第二梁连结，通过第二梁实现一梁的增强材料的作用，第一梁不会变形，能形成正确的蒸镀图形。此外，第一梁的侧面和第二梁的侧面双方为(111)面方位，在形成第一开口部或第二开口部时，通过用氢氧化钾等对硅片进行湿蚀刻，能容易地制造成膜用精密掩模。此外，本专利技术的成膜用精密掩模中，由单晶硅片构成的掩模基板的含氧浓度为1.7×1018atm/cm3以下。在本专利技术中，通过对单晶硅片使用含氧浓度低的，在制造成膜用精密掩模的过程中，抑制掩模基板变为高温时的结晶缺陷的生长，能制造更高精度的成膜用精密掩模。此外，本专利技术的成膜用精密掩的制造方法包括在由单晶硅形成的掩模基板上形成蚀刻保护膜的步骤；在掩模基板的背面一侧表面，对蚀刻保护膜构图，形成相当于由第一梁划分的多个第一开口部的形状，在掩模基板的表面一侧表面，对蚀刻保护膜构图，形成相当于由第二梁划分的多个第二开口部的形状；除去构图的部分的蚀刻保护膜的步骤；通过蚀刻形成第一开口部和第二开口部的步骤。在本专利技术中，在单晶硅片的表面背面等两面形成蚀刻保护膜，用光刻对蚀刻保护膜构图，通过蚀刻除去构图的部分，从该蚀刻保护膜的除去的部分，通过各向异性蚀刻形成开口部。通过具有这样的步骤的制造方法，能简单并且可靠地制造能形成正确的蒸镀图形的成膜用精密掩模。此外，本专利技术的成膜用精密掩模的制造方法在对由单晶硅形成的掩模基板上形成蚀刻保护膜的步骤中，把掩模基板加热到500℃以上，然后把掩模基板冷却，当掩模基板的温度处于500～800℃之间时，采用平均3℃/分钟以上的冷却速度。在本专利技术中，当掩模基板的温度处于500～800℃之间时，采用平均3℃/分钟以上的冷却速度，能快速通过结晶缺陷最容易生长的温度区域，能制造更高精度的成膜用精密掩模。此外，本专利技术的成膜用精密掩模的制造方法在对由单晶硅形成的掩模基板上形成蚀刻保护膜的步骤中，通过热氧化形成蚀刻保护膜，然后冷却掩模基板，当掩模基板的温度处于500～800℃之间时，采用平均3℃/分钟以上的冷却速度。在本专利技术中，当掩模基板的温度处于500～800℃之间时，采用平均3℃/分钟以上的冷却速度，能快速通过结晶缺陷最容易生长的温度区域，能制造更高精度的成膜用精密掩模。此外，使用所述成膜用精密掩模制造了本专利技术的电致发光显示装置。本专利技术的电致发光显示装置如上所述，使用精度高，并且在发光层的蒸镀时与玻璃基板的对位容易的成膜用精密掩模制造，所以是形成了正确的蒸镀图形的高质量的装置。此外，本专利技术的电致发光显示装置的制造方法把所述成膜用精密掩模配置在玻璃基板的规定的位置，形成电致发光层。本专利技术的电致发光显示装置如上所述，使用精度高，并且在发光层的蒸镀时与玻璃基板的对位容易的成膜用精密掩模制造，所以是形成了正确的蒸镀图形的高质量的装置。此外，是简单的制造方法，所以能抑制成本。此外，具有本专利技术的电致发光显示装置的电子仪器使用所述成膜用精密掩模形成电致发光层。具有本专利技术的电致发光显示装置的电子仪器具有形成了所述正确的蒸镀图形的高质量的电致发光显示装置，此外，电致发光显示装置的制造容易，所以能把成本抑制在很低。附图说明图1是本专利技术实施例1的成膜用精密掩模的模式图。图2是本专利技术有机EL显示装置的像素部分的剖视图。图3是表示本专利技术成膜用精密掩模的制造方法的图。图4是表示图3(a)的热氧化中的温度变化的图。图5是表示掩模基板的表面一侧表面的图形的图。图6是表示掩模基板的背面一侧表面的图形的图。图7是比较有机EL显示装置的像素排列的图。图8是表示蒸镀时的玻璃基板和成膜用精密掩模的位置的图。图9是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成膜用精密掩模，其特征在于：包括：以规定的间隔平行配置，形成多个第１开口部的第１梁；在所述第１梁上，与该第１梁交叉配置，形成多个第２开口部的１个或多个第２梁；所述第１梁和第２梁由交叉部分连结。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：四谷真一，桑原贵之，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]