存储盘的水线设置方法、电子设备及存储介质技术

本申请涉及一种存储盘的水线设置方法、电子设备及存储介质。所述方法应用于文件系统中。文件系统若侦测到执行DM

【技术实现步骤摘要】
存储盘的水线设置方法、电子设备及存储介质


[0001]本申请涉及文件访问
，尤其涉及一种存储盘的水线设置方法、电子设备及存储介质。

技术介绍

[0002]终端设备开启设备映射准则(Device Mapper verity，DM
‑
verity)功能后，终端设备中的每个存储盘使用的频率不一样，但是每个存储盘上下水线设置都是相同和固定的。由于，上下水线决定了缓存(cache)的大小。终端设备中所有的存储盘使用相同的水线时，若水线配置太高会导致使用频率低的存储盘无法回收，造成存储资源的浪费，而若水线配置太低，则导致使用频繁高的存储盘会在自身内存压力下被回收太快，造成存储盘使用寿命的降低。

技术实现思路

[0003]鉴于以上内容，有必要提供一种存储盘的水线设置方法、电子设备及存储介质，避免水线配置太高会让使用频率低的存储盘无法回收，造成存储资源的浪费的问题，及水线配置太低则造成使用频繁高的存储盘回收太快，造成存储盘使用寿命降低的问题。
[0004]第一方面，本申请提供了一种存储盘的水线设置方法，应用于一文件系统中。文件系统若侦测到执行DM
‑
verity功能的进程，获取进程所在存储盘的历史读写的数据量，并根据存储盘的历史读写的数据量确定第一系数、第一系数的第一水线增量值，其中第一系数为存储盘的历史读写的数据量的使用量系数。文件系统还确定运行进程的内核，并根据内核确定第二系数、第二系数的第二水线增量值，其中，第二系数的取值为内核的处理速率或处理频率与小核的处理速率或处理频率的比值，并根据第一系数、第一水线增量值、第二系数及第二水线增量值计算出存储盘的水线值，并根据计算出的水线值对存储盘的水线值进行动态配置，例如，将计算出的水线值配置为存储盘的水线值。本申请的上述技术方案根据存储盘的历史读写的数据量及运行进程的内核的处理能力动态调整存储盘的水线值，可以合理占用和释放存储资源，避免水线配置太高会让使用频率低的存储盘无法回收，造成存储资源的浪费的问题，及避免水线配置太低则造成使用频繁高的存储盘回收太快，造成存储盘使用寿命降低的问题。
[0005]在一种实现方式中，所述方法根据存储盘的历史读写的数据量查找第一关系表确定出与存储盘的历史读写的数据量相对应的第一系数、第一水线增量值。通过上述技术方案，根据第一关系表查找计算存储盘所需要的第一系数、第一系数的第一水线增量值的经验值，可以减少计算量，减少硬件资源的消耗。
[0006]在一种实现方式中，所述方法根据内核查找第二关系表确定与内核对应的第二系数、第二水线增量值。通过上述技术方案，根据第二关系表查找计算存储盘所需要的第二系数、第二系数的第二水线增量值的经验值，可以进一步减少计算量及硬件资源的消耗。
[0007]在一种实现方式中，所述方法根据公式S＝C*K+D*T计算出存储盘的水线值，其中，
C为第一系数，K为第一水线增量值，D为第二系数，T为第二水线增量值，S为存储盘的水线值。通过上述技术方案，可以根据公式S＝C*K+D*T精确计算出存储盘的水线值，从而便于根据精确的存储盘的水线值对存储盘进行水线值的调整。
[0008]在一种实现方式中，存储盘的水线值包括上水线值及下水线值，第一水线增量值包括第一上水线增量值、第一下水线增量值，第二水线增量值包括第二上水线增量值、第二下水线增量值。
[0009]在一种实现方式中，根据第一系数、第一水线增量值、第二系数及第二水线增量值计算出存储盘的水线值包括：根据公式S1＝C*K1+D*T1计算存储盘的上水线值，其中C为第一系数，K1为第一系数的第一上水线增量值，D为第二系数，T1为第二系数的第二上水线增量值，S1为存储盘的上水线值；根据公式S2＝C*K2+D*T2计算存储盘的下水线值，其中K2为第一系数的第一下水线增量值，T2为第二系数的第二下水线增量值，S2为存储盘的下水线值；根据计算出的存储盘的上水线值、下水线值确定出存储盘的水线区间范围。通过上述技术方案，可以根据公式S1＝C*K1+D*T1精确计算出存储盘的上水线值，根据公式S2＝A*K2+B*T2计算出存储盘的下水线值，并依据上水线值及下水线值精确确定出存储盘中待调整的水线值的水线区间范围。
[0010]在一种实现方式中，所述方法还包括：根据存储盘的水线区间范围对存储盘的水线值进行动态配置。通过上述技术方案，可以将存储盘的水线值在一水线区间进行灵活调整。
[0011]在一种实现方式中，内核按照处理速率或处理频率分为大核、中核和小核，大核的处理速率或处理频率高于中核的处理速率或处理频率，中核的处理速率或处理频率高于小核的处理速率或处理频率。通过上述技术方案，将内核按照处理速率或处理频率分为大核、中核和小核，从而进一步精确计算得到不同的内核所对应的存储盘的水线值。
[0012]在一种实现方式中，若运行进程的芯片为高端芯片，大核的第二系数为3.5：1，中核的第二系数为3：1，小核的第二系数为1：1。通过上述技术方案，针对高端芯片中不同的内核设定不同的第二系数，从而进一步精确计算得到高端芯片中不同的内核所对应的存储盘的水线值。
[0013]在一种实现方式中，若运行进程的芯片为低端芯片，大核的第二系数为5：1，中核的第二系数为2：1，小核的第二系数为1：1。通过上述技术方案，针对低端芯片中不同的内核设定不同的第二系数，从而进一步精确计算得到低端芯片中不同的内核所对应的存储盘的水线值。
[0014]在一种实现方式中，所述方法还包括：若侦测到执行DM
‑
verity功能的进程时，文件系统将映射设备映射成目标设备，其中映射设备为逻辑设备，目标设备为映射设备映射的物理空间段或为映射设备映射的物理设备。通过上述技术方案，通过对映射设备执行DM
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verity功能来保障设备或设备分区的完整性。
[0015]在一种实现方式中，目标设备包括数据设备及哈希设备。通过上述技术方案，目标设备中的数据设备用来存储数据并保障数据完整性的设备，目标设备中的哈希设备用来存储哈希值，并校验数据设备的完整性。
[0016]在一种实现方式中，存储盘的历史读写的数据量包括写入存储盘的数据量及从存储盘中读取的数据量。通过上述技术方案，可以将历史写入存储盘的数据量及从存储盘中
Mageagement System(EVMS)、dmraid等都是基于Device Mapper架构11实现的。
[0028]本实施例中，设备映射准则(Device Mapper verity，DM
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verity)是在Device Mapper架构11下将映射设备映射成一种目标设备的映射过程，通过对映射设备执行DM
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verity功能来保障设备或设备分区的完整性。参考图1，DM
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verity包括数据设备(Data Device)、哈希设备(Hash Device)两种目标设备。数据设备用来存储数据并保障数据完整性的设备。哈希设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储盘的水线设置方法，其特征在于，所述方法包括：侦测执行DM
‑
verity功能的进程；若侦测到执行DM
‑
verity功能的进程，获取所述进程所在存储盘的历史读写的数据量，并根据所述存储盘的历史读写的数据量确定第一系数、所述第一系数的第一水线增量值，其中所述第一系数为所述存储盘的历史读写的数据量的使用量系数；确定运行所述进程的内核，并根据所述内核确定第二系数、所述第二系数的第二水线增量值，其中，所述第二系数的取值为所述内核的处理速率或处理频率与小核的处理速率或处理频率的比值；根据所述第一系数、所述第一水线增量值、所述第二系数及所述第二水线增量值计算出所述存储盘的水线值，并根据计算出的水线值对所述存储盘的水线值进行动态配置。2.如权利要求1所述的存储盘的水线设置方法，其特征在于，所述根据所述存储盘的历史读写的数据量确定第一系数、所述第一系数的第一水线增量值包括：根据所述存储盘的历史读写的数据量查找第一关系表确定出与所述存储盘的历史读写的数据量相对应的所述第一系数、所述第一水线增量值。3.如权利要求1所述的存储盘的水线设置方法，其特征在于，所述根据所述内核确定第二系数、所述第二系数的第二水线增量值包括：根据所述内核查找第二关系表确定与所述内核对应的所述第二系数、所述第二水线增量值。4.如权利要求1所述的存储盘的水线设置方法，其特征在于，所述根据所述第一系数、所述第一水线增量值、所述第二系数及所述第二水线增量值计算出所述存储盘的水线值包括：根据公式S＝C*K+D*T计算出所述存储盘的水线值，其中，C为所述第一系数，K为所述第一水线增量值，D为所述第二系数，T为所述第二水线增量值，S为所述存储盘的水线值。5.如权利要求1所述的存储盘的水线设置方法，其特征在于，所述存储盘的水线值包括上水线值及下水线值，所述第一水线增量值包括第一上水线增量值、第一下水线增量值，所述第二水线增量值包括第二上水线增量值、第二下水线增量值。6.如权利要求5所述的存储盘的水线设置方法，其特征在于，所述根据所述第一系数、所述第一水线增量值、所述第二系数及所述第二水线增量值计算出所述存储盘的水线值包括：根据公式S1＝C*K1+D*T1计算所述存储盘的上水线值，其中C为所述第一系数，K1为所述第一系数的第一上水线增量值，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈祥，
申请(专利权)人：荣耀终端有限公司，
类型：发明
国别省市：