阳极电极层作为电源层的平板显示器及其制造方法技术

一种平板显示器及其制造方法，通过使用像素电极层作为电源层，其能够防止相邻布线之间的连线短路和电源线两端的电压降。本发明专利技术的平板显示器由薄膜晶体管、绝缘膜、像素电极和电源层构成，薄膜晶体管包括形成在绝缘衬底上的源极／漏极，绝缘膜形成在绝缘衬底上，绝缘衬底包括薄膜晶体管并包括第一、第二接触孔，这些孔分别露出源极和漏极，像素电极形成在绝缘膜上并通过第一和第二接触孔之一连接到源极／漏极之一上，电源层形成在绝缘膜上并通过第一和第二接触孔的另一个连接到源极／漏极的另一个上。通过用低电阻率材料形成电源线和在格栅结构中提供电源线，减少了电源线中的损耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种平板显示器，尤其是一种有机场致发光显示装置，通过同时形成的电源层和阳极电极层能够防止电源层上的连线短路和电压降，并在不同于形成数据线和栅线的层上形成电源层，能够防止该电源层上的连线短路和电压降。
技术介绍
通常，有源矩阵有机场致发光显示装置的每个像素包括开关晶体管、驱动晶体管、电容器、EL(或场致发光)装置和电源线。电源线输送公共电源(Vdd)给驱动晶体管和电容器。优选地，公共电源应该均匀地为矩阵中的每个和各个像素供电，使每个像素得到均匀亮度。电源线的设计在控制通过各个驱动晶体管流向矩阵中每个EL器件的电流中起到作用。EL器件由阳极(或像素)电极、阴极电极和EL(发光)层构成。EL层是有机合成物，当提供电流时它发光。开关晶体管和驱动晶体管是薄膜晶体管(或TFT)。在有源矩阵有机场致发光显示装置中使用多个导电层，来形成栅线、栅极、数据线、TFT的源极/漏极、电源层、阳极电极等，其中将绝缘层如栅极绝缘膜、层间绝缘膜和钝化膜插在导电层之间，以便导电层彼此电绝缘。在场致发光显示装置中，优选地形成多个导电层并使得所有导电层之间相互保持电绝缘，而彼此不会意外出现短路。同样，最好以这种方式构造电源线使矩阵中所有像素在相同电压下接收相同量的功率，由此沿电源线不存在电压降。换句话说，电源线在导电电源线内必须无电压降。此外，最好使形成的电源线与数据线、栅线和其它导线充分隔离，以防止可能出现的意外连线短路。另外，最好有效地生产场致发光显示器的结构，使需要的工艺步骤减少，降低制造成本。因此，在可能的情况下，希望将工艺步骤进行组合。
技术实现思路
因此本专利技术的目的是提供一种场致发光平板显示装置的改良结构。本专利技术的目的还提供一种制造场致发光平板显示装置的改良方法。本专利技术的目的还提供一种制造场致发光平板显示器的工艺，该工艺具有较少工艺步骤，因此减少了生产成本。本专利技术的再一目的是提供一种场致发光平板显示装置的结构，其消除了电源线和装置内其它导线，例如栅线和数据线间形成连线短路的可能性。本专利技术的又一目的是提供一种制造场致发光平板显示装置的方法，其消除了电源线和装置内其它导线，例如栅线和数据线间形成连线短路的可能性。本专利技术的目的还在于提供一种场致发光平板显示装置的结构和制造这种结构的方法，其中在相同电压下给矩阵的每个像素提供电源，由此在像素之间提供均匀亮度。本专利技术的又一目的是提供一种能够提高EL器件发射效率的平板显示器及其制造方法。通过场致发光装置和制造方法可以实现这些和其它目的，其中电源线布置在与布置其它导线，例如栅线(gate line)和数据线的层隔离的层上，其中，同时在相同层上用与EL器件阳极电极相同的材料形成电源线，其中精心选择电源线和EL器件电极的材料。为了减少电源线与数据线或栅线意外短路的概率，在与形成数据线和栅线的层不同的层上形成电源线，并用与形成数据线和栅线的层不同的工艺步骤制造电源线。为了提供高效率生产工艺，使用尽可能少的步骤，同时用相同材料在相同绝缘层上使用单沉积步骤、单构图步骤和蚀刻步骤形成电源线和EL器件阳极电极，生产电源线和EL器件阳极电极。类似地，同时在相同层上形成数据线和电容器上电极。另外，同时在相同层上用单沉积、构图和蚀刻步骤形成栅线和电容器下电极。在电源线和EL器件阳极电极的同时形成中，使用具有低电阻率和高反射率的材料。这种材料可以是金、铂、镍、铬或叠层膜如镍/铝/镍、银/ITO或铝/ITO，其中ITO是氧化锡铟。使用的材料的选出功最好至少为4.5eV。通过在电源线中使用这种低电阻率材料，可以更好地确保由电源线供电的每个像素或EL器件接收到与所有其它像素相同的电压，并且沿电源线存在很少电源或电压损耗。由于阳极电极不是由透明材料形成，所以EL器件的阴极电极(或上电极)而不是阳极电极最好由透明材料如ITO或IZO形成，由此产生前发射结构，其中IZO是氧化锌铟。作为替代，阴极电极可以由半透射导电材料制成。在本专利技术的优选实施例中，电源层具有格栅状，其中像素电极排列成网状线或格栅状结构，或者电源线形成为线状，其中电源线布置在以行或列排列的像素电极之间，或者电源层具有表面电极状，其中电源层形成在衬底的整个表面上，以便与像素电极电隔离。这些设计进一步减少了电源线上的电源或电压损耗，并进一步确保每个像素接收到相同电压。此外，本专利技术提供一种制造方法，其中电源线和EL器件的阳极电极同时形成，优选地，数据线和电容器的上电极同时形成，栅线和电容器的下电极最好同时形成。附图说明通过下面结合附图进行详细的说明，将会更容易地全面理解本专利技术及其许多附带的优点，在附图中，相同附图标记表示相同或相似部件，其中图1A是有机场致发光显示装置的平面图；图1B是图1A有机场致发光显示装置沿图1A中IB-IB线的横断面图；图2A是根据本专利技术优选实施例的有机场致发光显示装置的平面图；图2B是有机场致发光显示装置沿图2A中IIB-IIB线的横断面图；图3A和图3B是根据本专利技术优选实施例的有机场致发光显示装置的电源线和阳极电极矩阵的平面图。具体实施例方式现在转到附图，图1A表示有源矩阵有机场致发光显示装置的平面图。参考图1A，有源矩阵有机场致发光显示装置由多个栅线110、多个数据线120、多个电源线130以及多个像素构成，多个像素连接到栅线110、数据线120和电源线130。每个像素包括两个晶体管(驱动TFT150和开关TFT170)、一个电容器140和一个EL器件160。EL器件160具有一个阳极电极(或像素电极)161、一个阴极电极164和一个有机发射层163，发射层163夹在阳极电极161和阴极电极162之间。每个像素包括一个开关薄膜晶体管170、一个驱动薄膜晶体管150和一个电容器140，开关薄膜晶体管170与多个栅线110中的对应的一个和多个数据线120中的对应的一个相连，驱动薄膜晶体管150用于驱动连接到多个电源线130中的对应的一个上的EL器件160，电容器140用于维持驱动薄膜晶体管150的栅极和源极间的电压。图1B为沿图1A中IB-IB线的横断面图。图1B是一个像素的横断面图，并且只限于图解驱动薄膜晶体管150、电容器140和EL器件。参考图1B，缓冲层151形成在绝缘衬底100上，电容器140、驱动薄膜晶体管150和EL器件160形成在缓冲层151上。电容器140包括一形成在栅极绝缘膜153上的下电极144和一形成在层间绝缘膜155上的上电极146。驱动薄膜晶体管150包括一形成在缓冲层151上的半导体层152、一形成在栅极绝缘膜153上的栅极154、形成在层间绝缘膜155上的源极156a和漏极156b，半导体层152包括源极区/漏极区152a和152b、形成在源极区152a和漏极区152b之间的通道形成区152c。源极/和漏极156a和156b分别通过接触孔155a和155b电连接到源极区/漏极区152a和152b。EL器件160由形成在钝化膜157上的阳极电极161、形成在阳极电极161上并位于开口部分165内的有机发射层163、以及形成在有机发射层163和像素定义层162上的阴极电极164构成。像素定义层162用来形成开口部分165。将像素定义层162穿孔而形成开口165，在开口165处形成EL器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平板显示器，包括：形成在绝缘衬底上的栅线、数据线和电源线；由该栅线、该数据线和该电源线确定的像素区；和包括被布置在像素区中的像素电极的像素，该像素电极形成在与该电源线相同的层上。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：具在本，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]