一种晶圆处理方法技术

本公开提供了一种晶圆处理方法，所述晶圆处理方法包括：提供晶圆；所述晶圆包括切割道；所述切割道包括测试区域和位于所述测试区域之间的缓冲区域；所述缓冲区域包括形成于衬底上的介质层；在所述缓冲区域的所述介质层中形成保护结构；形成覆盖所述测试区域和所述缓冲区域的保护层；所述保护结构的熔沸点高于所述介质层和所述保护层的熔沸点；对所述保护层执行激光切割，去除所述保护层中覆盖所述保护结构的部分，以在所述保护层中形成暴露所述保护结构的开口。本公开在晶圆切割道的缓冲区域形成具有高熔沸点的保护结构，通过激光切割去除保护层中覆盖保护结构的部分，避免介质层在激光切割的过程中产生熔渣和崩边，提高晶圆切割后芯片的洁净度。后芯片的洁净度。后芯片的洁净度。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆处理方法


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种晶圆处理方法。

技术介绍

[0002]在半导体芯片的制造过程中，首先通过半导体工艺在晶圆上形成多个芯片，然后通过切割工艺将晶圆切割成分离的芯片，再对这些芯片进行封装，最终得到可以使用的半导体器件。
[0003]传统的晶圆切割工艺中，激光切割产生的切割面平整度较差，且往往会伴随有杂质颗粒的产生，影响芯片的洁净度。
[0004]因此，如何提高通过晶圆切割得到的芯片的洁净度和良率，成为了目前亟需解决的问题。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本公开实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种。
[0006]为达到上述目的，本公开实施例的技术方案是这样实现的：
[0007]本公开实施例提供一种晶圆处理方法，所述晶圆处理方法包括：
[0008]提供晶圆；所述晶圆包括切割道；所述切割道包括测试区域和位于所述测试区域之间的缓冲区域；所述缓冲区域包括形成于衬底上的介质层；
[0009]在所述缓冲区域的所述介质层中形成保护结构；
[0010]形成覆盖所述测试区域和所述缓冲区域的保护层；所述保护结构的熔沸点高于所述介质层和所述保护层的熔沸点；
[0011]对所述保护层执行激光切割，去除所述保护层中覆盖所述保护结构的部分，以在所述保护层中形成暴露所述保护结构的开口。
[0012]在一种可选的实施方式中，所述在所述缓冲区域的所述介质层中形成保护结构，包括：
[0013]执行第一刻蚀，以在所述缓冲区域的所述介质层中形成第一凹槽；所述第一凹槽的底面高于所述衬底的顶面；
[0014]在所述第一凹槽中形成所述保护结构。
[0015]在一种可选的实施方式中，所述晶圆处理方法还包括：
[0016]执行第二刻蚀，通过所述开口去除所述保护结构，以形成第二凹槽。
[0017]在一种可选的实施方式中，所述晶圆处理方法还包括：
[0018]通过所述第二凹槽对所述介质层和所述衬底进行刻蚀，以将所述晶圆分割为若干个芯片。
[0019]在一种可选的实施方式中，所述通过所述第二凹槽对所述介质层和所述衬底进行刻蚀，以将所述晶圆分割为若干个芯片，包括：
[0020]通过所述第二凹槽对所述介质层执行第三刻蚀，以形成暴露所述衬底的第三凹
槽；
[0021]通过所述第三凹槽对所述衬底执行第四刻蚀，以将所述晶圆分割为若干个芯片。
[0022]在一种可选的实施方式中，所述保护结构的材料包括钨；所述保护层的材料包括抗等离子体材料。
[0023]在一种可选的实施方式中，所述第二刻蚀和所述第三刻蚀为等离子体刻蚀。
[0024]在一种可选的实施方式中，所述第四刻蚀为Bosch刻蚀；所述Bosch刻蚀包括向所述衬底多次交替输送刻蚀气体与钝化气体。
[0025]在一种可选的实施方式中，所述形成覆盖所述测试区域和所述缓冲区域的保护层之前，所述晶圆处理方法还包括：
[0026]将所述晶圆的正面与支撑晶圆进行临时键合；
[0027]对所述晶圆与所述正面相对的背面执行减薄工艺，以去除部分所述衬底；
[0028]执行解键合，将所述晶圆与所述支撑晶圆分离；
[0029]将所述晶圆的背面粘附在切割带上。
[0030]在一种可选的实施方式中，所述晶圆处理方法还包括：
[0031]执行第五刻蚀，去除所述保护层；所述第五刻蚀为湿法刻蚀。
[0032]在本公开所提供的技术方案中，提供了一种晶圆处理方法，所述晶圆处理方法包括：提供晶圆；所述晶圆包括切割道；所述切割道包括测试区域和位于所述测试区域之间的缓冲区域；所述缓冲区域包括形成于衬底上的介质层；在所述缓冲区域的所述介质层中形成保护结构；形成覆盖所述测试区域和所述缓冲区域的保护层；所述保护结构的熔沸点高于所述介质层和所述保护层的熔沸点；对所述保护层执行激光切割，去除所述保护层中覆盖所述保护结构的部分，以在所述保护层中形成暴露所述保护结构的开口。本公开在晶圆切割道的缓冲区域的介质层中形成保护结构，保护结构的熔沸点高于保护层和介质层的熔沸点，通过激光切割仅去除保护层中覆盖保护结构的部分，保护结构在激光切割过程中不会受到影响，并且可以保护下方的介质层，从而避免介质层在激光切割中产生杂质颗粒，提高晶圆切割后芯片的洁净度。
附图说明
[0033]图1为本公开实施例提供的晶圆处理方法的流程示意图；
[0034]图2a至图2n为本公开实施例提供的晶圆处理过程的结构示意图。
具体实施方式
[0035]下面将参照附图更详细地描述本公开公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开，而不应被这里阐述的具体实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0036]在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本公开更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本公开可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本公开发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述；即，这里不描述实际实施例的全部特征，不详细描述公知的功能和结构。
[0037]在附图中，自始至终相同附图标记表示相同的元件。
[0038]应当明白，空间关系术语例如“在
……
下”、“在
……
下面”、“下面的”、“在
……
之下”、“在
……
之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在
……
下面”和“在
……
下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述术语相应地被解释。
[0039]在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本公开的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
[0040]传统的晶圆切割工艺中，激光切割工艺利用高功率密度激光束照射晶圆的切割道，使切割道中的材料很快被加热至汽化温度，蒸发形成孔洞，随着光束的移动，孔洞连续形成宽度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆处理方法，其特征在于，包括：提供晶圆；所述晶圆包括切割道；所述切割道包括测试区域和位于所述测试区域之间的缓冲区域；所述缓冲区域包括形成于衬底上的介质层；在所述缓冲区域的所述介质层中形成保护结构；形成覆盖所述测试区域和所述缓冲区域的保护层；所述保护结构的熔沸点高于所述介质层和所述保护层的熔沸点；对所述保护层执行激光切割，去除所述保护层中覆盖所述保护结构的部分，以在所述保护层中形成暴露所述保护结构的开口。2.根据权利要求1所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述在所述缓冲区域的所述介质层中形成保护结构，包括：执行第一刻蚀，以在所述缓冲区域的所述介质层中形成第一凹槽；所述第一凹槽的底面高于所述衬底的顶面；在所述第一凹槽中形成所述保护结构。3.根据权利要求2所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述晶圆处理方法还包括：执行第二刻蚀，通过所述开口去除所述保护结构，以形成第二凹槽。4.根据权利要求3所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述晶圆处理方法还包括：通过所述第二凹槽对所述介质层和所述衬底进行刻蚀，以将所述晶圆分割为若干个芯片。5.根据权利要求4所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述通过所述第二凹槽对所述介质层和所述衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：张越，刘天建，潘超，
申请(专利权)人：湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：