本发明专利技术提供一种制备有机发光显示器的方法，能够通过用热转印方法构图发光层和电荷输运层的多个有机层来优化相应于Ｒ、Ｇ和Ｂ像素的有机层的厚度，从而改进装置的特性。该方法包括：在基板上形成Ｒ、Ｇ和Ｂ像素的下电极；形成有机层；及形成上电极。形成有机层包括在基板整个表面的上方形成Ｒ、Ｇ和Ｂ像素的空穴注入层和输运层的一部分，有机层包括第一和第二部分，并具有与空穴注入层和输运层的厚度之和相等的厚度。有机层的形成还包括构图有机层的第二部分和构图Ｒ、Ｇ和Ｂ像素的发光层。用具有有机层的第二部分和Ｒ、Ｇ和Ｂ像素的发光层作为转印层的热转印装置通过热转印方法来同时形成该有机层的第二部分和Ｒ、Ｇ和Ｂ像素的发光层。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种平板显示器，尤其涉及一种，该方法能够通过用热转印方法构图多个有机层以优化与R、G和B像素相应的有机层的厚度来改进装置的特性。
技术介绍
通常，有机发光显示器(OLED)包括在绝缘基板上形成的下和上电极以及在下和上电极之间形成的多个有机层。根据各层的功能该有机层选自于空穴注入层、空穴输运层、发光层、空穴阻挡层、电子输运层、和电子注入层。显示器具有由透明电极或不透明电极形成的上和下电极，从而使显示器具有这种结构，即光从有机层朝着绝缘基板发射或沿着与绝缘基板相反的方向发射，或者既朝着绝缘基板还沿着与绝缘基板相反的方向发射。当用现有技术生产全色OLED时，R、G和B像素的光学厚度不同，导致色坐标和效率特性恶化。
技术实现思路
本专利技术通过提供一种制备顶端发射OLED的生产方法解决了前面提及的问题，该方法能够通过用热转印方法形成多个有机层来改进色坐标和效率特性。在本专利技术的代表性实施例中，制备OLED的方法包括在基板上形成R、G和B像素的下电极；在该基板上形成有机层；以及在该有机层上形成上电极。有机层的形成包括在基板整个表面上形成R、G和B像素的空穴注入层和空穴输运层厚度之和的一部分、构图空穴注入层和空穴输运层厚度之和的其余部分以及构图R、G和B像素的发光层。使用具有R、G和B像素的空穴注入层和空穴输运层的其余部分以及发光层作为转印层的热转印装置通过热转印方法同时形成R、G和B像素的空穴注入层和空穴输运层的其余部分以及发光层。有机层可以是有机薄层。作为电荷输运层的R、G和B像素的空穴注入层和空穴输运层的厚度之和大约为350。R、G和B像素的发光层的厚度分别大约为300～400、250～350和100～200。R、G和B像素的空穴阻挡层和电子输运层的厚度之和大约为300。最后，每一个厚度具有大约50～200的公差。有机层可以是有机层。作为电荷输运层的R、G和B像素的空穴注入层和空穴输运层的厚度之和分别大约为2350、1700和1350。R、G和B像素的发光层的厚度分别大约为300～400、250～350和100～200。R、G和B像素的空穴阻挡层和电子输运层的厚度之和大约为350。最后，每一个厚度具有大约50～200的公差。在根据本专利技术的另一代表性实施例中，制备OLED的方法包括在基板上形成R、G和B像素的下电极；在该基板上形成有机层；以及在该有机层上形成上电极。有机层的形成包括在基板整个表面的上方形成R、G和B像素的空穴注入层、在基板整个表面的上方形成具有R、G和B像素空穴输运层的最小厚度的空穴输运层作为公共层、构图其余像素的空穴输运层以及构图R、G和B像素的发光层。具有最小厚度的R、G和B像素空穴输运层的像素只允许发光层用具有发光层作为转印层的热转印装置通过热转印方法构图，同时其余像素允许空穴输运层和发光层分别用具有空穴输运层和发光层作为转印层的热转印装置通过热转印方法同时形成。R、G和B像素中包括具有最小厚度的空穴输运层的像素是B像素；作为电荷输运层的R、G和B像素的空穴注入层和空穴输运层的厚度之和分别大约为2350、1700和1350。R、G和B像素的发光层的厚度分别大约为300～400、250～350和100～200。R、G和B像素的空穴阻挡层和电子输运层的厚度之和大约为350。最后，每一个厚度具有大约50～200的公差。附图说明通过参考下面的详细描述，同时结合附图进行考虑时，对本专利技术更加全面的评价和其随之产生的许多优势变得更好理解和显而易见，在附图中相同的附图标记表示相同或相似的元件，其中图1是顶端发射OLED的横截面图；图2是依照本专利技术第一实施例的OLED的横截面图；图3A和3B是说明依照本专利技术第一实施例用热转印方法制备OLED的方法的工序的横截面图；图4是依照本专利技术第二实施例的OLED的横截面图；图5是依照本专利技术第三实施例的OLED的横截面图；图6A到6C是说明依照本专利技术第三实施例用热转印方法制备OLED的方法的工序的横截面图；具体实施方式下文将参考附图描述本专利技术的实施例。图1是顶端发射OLED的横截面图。参考图1，在绝缘基板100上分离地形成R、G和B像素的阳极电极111、113和115，在该绝缘基板100的上方形成一个有机层或多个有机层，在该一个有机层(或多个有机层)的上方形成阴极电极170。在具有R、G和B像素的阳极电极111、113和115形成在其上的绝缘基板100整个表面的上方依次形成有机层，例如空穴注入层120和空穴输运层130。分别对应于R、G和B像素的阳极电极111、113和115形成R、G和B像素的发光层141、143和145，在空穴输运层130整个表面的上方依次形成空穴阻挡层150和电子输运层160以覆盖R、G和B像素的发光层141、143和145。R、G和B像素的发光层(EML)141、143和145具有与每一个R、G和B颜色相称的厚度，并分别形成在R、G和B像素的阳极电极111、113和115的上方。在基板100整个表面的上方形成例如空穴注入层(HIL)120和空穴输运层(HTL)130的电荷输运层，以及例如空穴阻挡层(HBL)150和电子输运层(ETL)160的公共层。用淀积法在基板100整个表面的上方形成电荷输运层，例如空穴注入层120和空穴输运层130，用使用荫罩的淀积法形成R、G和B像素的发光层141、143和145，用淀积法在基板100整个表面的上方形成公共层，例如空穴阻挡层150和电子输运层160。图2是依照本专利技术第一实施例的OLED的横截面图。该OLED包括有机薄层。参考图2，在基板200上分离地形成R、G和B像素的阳极电极211、213和215作为下电极，在该基板200的上方形成有机层(下面描述)，在该有机层上形成阴极电极270作为上电极。阴极电极270由透明电极或半透明电极构成，从有机层中发出的光沿远离基板200的方向发射。该有机层包括分别对应于R、G和B像素的阳极电极211、213和215构图的R、G和B像素的发光层241、243和245以及在该发光层241、243和245的上面和下面形成的电荷输运层(下面描述)。电荷输运层包括在R、G和B像素的阳极电极211、213和215与R、G和B像素的发光层241、243和245之间形成的空穴注入层220和空穴输运层230(231，233，235)。此外，电荷输运层还包括在R、G和B发光层241、243和245与阴极电极270之间形成的空穴阻挡层250和电子输运层260。在R、G和B像素的阳极电极211、213和215与R、G和B像素的发光层241、243和245之间形成的电荷输运层的一部分对应于R、G和B像素的发光层241、243和245构图。依据本专利技术的第一实施例，在空穴输运层230和空穴注入层220中，只对空穴输运层230构图。空穴输运层230分别包括R、G和B空穴输运层231、233和235，该R、G和B空穴输运层231、233和235分别包括在基板200整个表面的上方形成的公共层230a以及相应于R和G发光层241和243形成的构图层231b和233b。在基板200整个表面的上方形成公共层230a，R、G和B像素的空穴输运层231、23本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种制备有机电致发光显示器（ＯＬＥＤ）的方法，包括如下步骤：在基板上形成Ｒ、Ｇ和Ｂ像素的下电极；在所述基板的上方形成有机层；以及在所述有机层上形成上电极；其中形成该有机层的步骤包括在所述基板整个表面的上方形成Ｒ、Ｇ和Ｂ像素的空穴注入层和空穴输运层，所述有机层包括第一部分和第二部分，所述有机层具有与所述空穴注入层和空穴输运层的厚度之和相等的厚度；所述的形成有机层的步骤还包括构图该有机层的第二部分和构图Ｒ、Ｇ和Ｂ像素的发光层，其中用具有所述有机层的第二部分和Ｒ、Ｇ和Ｂ像素的发光层作为转印层的热转印装置通过热转印方法来同时形成有机层的第二部分和Ｒ、Ｇ和Ｂ像素的发光层。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：金茂显，陈炳斗，李城宅，
申请(专利权)人：三星移动显示器株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。