本申请涉及一种智能快速识别芯片封装器，包括信号滤波输入电路、自增益控制处理电路、快速识别信号驱动输出电路。信号滤波输入电路对采集信号进行降噪处理，并加入延时稳定处理，降低了杂散电容和寄生电感，提高了整个输入信号的可靠性。自增益控制处理电路是本封装器的核心电路，能够智能快速识别高密度、高性能、多封装的各类芯片，处理速度响应快，能够实现更高密度的信号、功率及电源的互连，提高了信号转换和处理速度。快速识别信号驱动输出电路能够快速响应识别信号，并将处理信号快速准确进行输出，降低电路运算误差，保持输出信号数据完整性以及实时快速响应。数据完整性以及实时快速响应。数据完整性以及实时快速响应。
【技术实现步骤摘要】
一种智能快速识别芯片封装器
[0001]本申请涉及智能识别于芯片封装电路领域，具体涉及一种智能快速识别芯片封装器。
技术介绍
[0002]随着半导体行业竞争的越发激烈，在不增加产能的情况下，同时获得短的生产周期、高的生产速率和低的在制品水平是企业的追求目标，并且集成电路封装技术逐步朝着低成本、微型化、高性能的趋势发展。智能半导体芯片封装快速识别在生产线上存在诸多变动性因素，量化这些变动性因素并建立其与生产性能间的定量关系是进行生产性能优化控制的必要前提。当前，研究中建立的半导体串并联生产线性能预测指导下的智能快速识别芯片设备与实际生产情况存在一定偏差，精确度有所欠缺，传统的性能控制优化方法难以针对生产线变动性因素的变化进行实时控制，灵活性不足。基于工厂物理学的已有理论，从生产线变动性的度量出发，完善和改进了加工变动性和流动变动性的度量模型，然后基于变动性度量建立针对多产品混流情况下的生产性能预测和评估模型，最终实现对特定产品的生产性能评估。针对已有的流动变动性度量模型没有考虑半导体芯片封装测试生产线上因质量问题而导致的LOT(生产线上传递和加工晶圆的最小单元)损失现象，通过分析质量损失对变动性传递过程的影响，特别是对LOT离开工站的时间间隔随机量的影响，提出了一种考虑质量损失的流动变动性度量改进模型，并通过仿真数据验证了改进模型的有效性和准确性。针对现有研究中变动性因素考量不全面、性能预测模型精确度不足、性能控制缺乏实时性和灵活性，控制策略不全面等缺陷进行改进，提出了一种基于性能预测和灵敏度分析，借助强化学习算法开展性能控制的方法，将半导体芯片快速识别性能预测模型作为强化学习方法外界环境，建立基于Q
‑
learning算法的半导体生产线性能控制模型，研究并设置强化学习算法关键参数。在变动性事件发生后，以生产线效益指标Bf最小化为性能控制目标进行迭代求解，得到针对缓冲区容量大小、加工批量大小和并联设备数量等不同影响因素的全局最优性能控制策略。设计了智能快速识别芯片封装器，实现了变动性度量及性能评估软件原型系统，实现多产品混合生产情况下对特定产品生产性能的预测，切实提升生产性能。
[0003]如图1所示，为现有技术的输入脉冲滤波电路，利用逻辑电路和延时电路依次连接的方式达到滤波目的，信号失真度低，但其信号处理模型单一，处理速度慢，实用性差。
[0004]入图2所示，为现有技术的增益控制电路，利用ALM
‑
38140芯片作为增益控制核心，其外围电路设计复杂，抗干扰性差，稳定性低。
技术实现思路
[0005](一)技术问题
[0006]1.现有技术的智能识别装置，建模类型少，建模准确度低，信号处理速度慢，可靠性低。
[0007]2.现有技术的智能识别装置，设备体积较大，抗干扰性差，稳定性低。
[0008](二)技术方案
[0009]针对上述技术问题，本申请提出一种智能快速识别芯片封装器，包括依次连接的信号滤波输入电路、自增益控制处理电路、快速识别信号驱动输出电路。
[0010]信号滤波输入电路：对采集信号进行去处理，再将得到的信号过滤降噪，得到可信的电信号，并加入延时稳定处理，减小采集阶段信号的噪声影响，降低了杂散电容和寄生电感，电容C5为三极管Q2的集电极旁路电容，电感L1和电容C9、电容C3、电容C6、电容C8构成并联谐振滤波选频，电容C4是输出端耦合电容，将智能识别的信号耦合输出至下一级。
[0011]自增益控制处理电路：识别信号处理，能够智能快速识别高密度、高性能、多封装的各类芯片，处理速度响应快，能够实现更高密度的信号、功率及电源的互连，提高了信号转换和处理速度，通过电阻R22、电阻R23电容C16进行阻容输入，通过三极管Q7信号很快处于饱和导通状态，电容C15中的电荷通过导通的三极管Q7放电，这是初步的自动增益处理过程，通过可变电阻R26调节增益输出，耦合至三极管Q6，构成场激励电路，电阻R17和电阻R30构成三极管Q6的分压偏置电路，R20是Q6发射极电阻之一，构成三极管Q6的直流回路，电容C18为隔直流电容，三极管Q5是推动管，推动增益处理，功率场效应晶体管Q4和功率场效应晶体管Q8是输出管，驱动输出，通过电感L2、电感L3稳定增益信号，此部分电路对智能识别的信号进行快速处理。
[0012]快速识别信号驱动输出电路：快速响应识别信号，并且将处理信号快速准确进行输出，降低电路运算误差，保持输出信号数据完整性以及实时快速响应，信号通过电阻R6输入至三极管Q1的基极，对信号快速响应，放大后的信号通过集电极输入至此部分电路，信号通过电容C2耦合输入至放大器U1的反相端，进行驱动输出，能够输出稳定信高的信号，反馈信号分别通过电阻R2、电阻R7和电容C1组成RC提供振荡信号校正，并且通过三极管Q3提高信号输出功率，保证智能识别信号的稳定输出。
[0013]电路经过信号滤波输入电路，自增益控制处理电路，快速识别信号驱动输出电路可以处理智能识别芯片封装中的位移分布和应力分布够智能快速识别高密度、高性能、多封装的各类芯片，处理速度响应快，能够实现更高密度的信号、功率及电源的互连，提高了信号转换和处理速度，降低了杂散电容和寄生电感，提高了整个封装模块的可靠性和散热能力，能够与原有技术相兼容，降低成本。
[0014](三)有益效果
[0015]一种智能快速识别芯片封装器，首先，能够通过设置好模型的对称边界，可以算出识别芯片封装中的位移分布和应力分布，并且速度响应快，提高了信号转换和处理速度，提高了整个封装模块的可靠性。其次，其设备体积小，介电性能好，输出信号阻抗低，抗干扰性能强，散热性好，屏蔽效果好，便于测试和老化筛选实验。
附图说明
[0016]图1为现有技术的输入脉冲滤波电路。
[0017]图2为现有技术的增益控制电路。
[0018]图3为本申请的信号滤波输入电路原理图。
[0019]图4为本申请的自增益控制处理电路原理图。
[0020]图5为本申请的快速识别信号驱动输出电路原理图。
具体实施方式
[0021]下面结合实施例对本专利技术做进一步说明。
[0022]如图3、图4、图5所示，为本申请提出的一种智能快速识别芯片封装器，包括依次连接的信号滤波输入电路、自增益控制处理电路、快速识别信号驱动输出电路。
[0023]信号滤波输入电路：对采集信号进行去处理，再将得到的信号过滤降噪，得到可信的电信号，并加入延时稳定处理，减小采集阶段信号的噪声影响，降低了杂散电容和寄生电感，电容C5为三极管Q2的集电极旁路电容，电感L1和电容C9、电容C3、电容C6、电容C8构成并联谐振滤波选频，电容C4是输出端耦合电容，将智能识别的信号耦合输出至下一级。
[0024]具体而言，所述信号滤波输入电路包括输入端口IN，二极管D1，三极管Q2，4个电阻R4、R5、R9、R11，4个电容C3、C5、C6、C8，所述信号滤波输入电路中输入端口IN分别与电阻R本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种智能快速识别芯片封装器，包括依次连接的信号滤波输入电路、自增益控制处理电路、快速识别信号驱动输出电路，其特征在于：所述信号滤波输入电路包括输入端口IN，二极管D1，三极管Q2，4个电阻R4、R5、R9、R11，4个电容C3、C5、C6、C8，所述信号滤波输入电路中输入端口IN分别与电阻R4的一端、电容C5的一端、三极管Q2的集电极连接，电阻R4的另一端与高电平VCC连接，电容C5的另一端接地，三极管Q2的发射极分别与电阻R9的一端、电容C6的一端、电容C8的一端连接，电阻R9的另一端接地，电容C8的另一端接地，电容C6的另一端分别与电阻R11的一端、电阻R5的一端、二极管D1的正极、电容C3的一端、三极管Q2的基极连接，电阻R11的另一端接地，电阻R5的另一端与高电平VCC连接，二极管D1的负极与高电平VCC连接。2.根据权利要求1所述的一种智能快速识别芯片封装器，其特征在于：所述信号滤波输入电路包括输出端口Va，电感L1，3个电容C3、C4、C9，所述信号滤波输入电路中电容C3的另一端分别与电容C4的一端、电容C9的一端、电感L1的一端连接，电容C9的另一端接地，电感L1的另一端接地，电容C4的另一端与输出端口Va连接。3.根据权利要求2所述的一种智能快速识别芯片封装器，其特征在于：所述自增益控制处理电路包括输入端口Va，滑动变阻器R26，可变电阻R33，2个三极管Q6、Q7，7个电容C15、C16、C17、C18、C20、C21、C22、C23，11个电阻R16、R17、R18、R19、R22、R23、R27、R29、R30、R32、R34，自增益控制处理电路中输入端口Va与电阻R22的一端连接，电阻R22的另一端分别与电阻R23的一端、电容C20的一端连接，电容C20的另一端接地，电阻R23的另一端分别与电容C16的一端、电阻R32的一端连接，电容C16的另一端分别与电阻R19的一端、电阻R27的一端、三极管Q7的基极连接，电阻R19的另一端与高电平VCC连接，电阻R27的另一端接地，电阻R32的另一端分别与电容C22、电容C15的一端、三极管Q7的发射极、电阻R29的一端、滑动变阻器R26的滑片端、滑动变阻器R26电阻的一端连接，电阻R29的另一端接地，电容C22的另一端分别与电容C23的一端、电阻R34的一端连接，电容C23的另一端接地，电阻R34的另一端与可变电阻R33的一端连接，电容C15的另一端与高电平VCC连接，滑动变阻器R26电阻的另一端分别与电容C17的一端、电容C18的正极连接，电容C17的另一端与电阻R18的一端连接，电阻R18的另一端与高电平VCC连接，...
【专利技术属性】
技术研发人员：房晓，
申请(专利权)人：杭州中奥工业设计有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。