【技术实现步骤摘要】
一类基于双酰腙的不对称双核镝单分子磁体及其合成方法与弛豫行为
[0001]本专利技术涉及新型分子基磁性材料的制备,特别是一类基于双酰腙的不对称双核镝单分子磁体及其合成方法与弛豫行为。
技术介绍
[0002]单分子磁体是一种能够在分子范畴内表现出磁双稳态与慢磁弛豫行为的新型分子基磁性材料。尤其是当其以具备强各向异性的镝离子作为自旋载体时,能够表现出优异的磁性能与有趣的磁弛豫行为,在高密度信息存储与量子计算等领域极具研究价值与应用前景。镝基单分子磁体按其自旋中心数目可分为单核的镝单离子磁体、双核镝单分子磁体与多核镝单分子磁体。其中,双核镝单分子磁体不仅便于通过配位场来定义与优化镝中心的单离子磁各向异性,且可通过配体的桥连结构来调控镝离子之间的磁交换作用,进而有效抑制系统中的量子隧穿效应,在弛豫行为与性能参数的优化上具备独有的结构优势。
[0003]整体来看,现存的双核镝单分子磁体绝大多数为对称结构,即其两镝中心位于相同的配位场,配位构型一致。仅有很少数体系,其两镝中心位于不同的配位场,且具有不同配位几何构型。有趣的是,这种被称之为“不对称双核镝单分子磁体”的体系,往往由于其特定的不对称结构而表现出特殊的弛豫行为,且在有效能垒与阻塞温度等性能参数上有着优异的表现。但由于合成上的困难,目前此类不对称双核镝单分子磁体仍然十分罕见。因此,探讨此种不对称双核镝单分子磁体的合成方法与弛豫行为,不仅很有必要,也非常有意义。
技术实现思路
[0004]本专利技术正是针对上述不对称双核镝单分子磁体的合成困难与现有稀 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一类基于双酰腙的不对称双核镝单分子磁体,其特征在于,其所包含的2个实例的化学分子式分别为:[Dy2(H2fovpho)(NO3)4(MeOH)3(H2O)]
·
2MeOH
·
Me CN(实例1)与[Dy2(H2covpho)(NO3)4(MeOH)3(H2O)]
·
2MeCN(实例2);其中H4fovpho与H4covpho分别代表为双(3
‑
氟水杨醛)缩氮氧吡啶
‑
2,6
‑
二甲酰腙与双(5
‑
氯水杨醛)缩氮氧吡啶
‑
2,6
‑
二甲酰腙配体;H4fovpho与H4covpho的分子结构如下。2.根据权利要求1所述的一类基于双酰腙的不对称双核镝单分子磁体,其特征在于,所述实例1结晶于单斜晶系的P21/c空间群,其晶胞参数为:/c空间群,其晶胞参数为:α=90
°
,β=100.6650(1)
°
,γ=90
°
;Z=4,ρ
calc
(g/cm3)=1.991g
·
cm
–3,μ=3.675mm
–1,F(000)=2440.0;所述实例2结晶于三斜晶系的空间群,其晶胞参数为:空间群,其晶胞参数为:α=82.509(2)
°
,β=71.766(2)
°
,γ=76.1870(1)
°
;Z=2,ρ
calc
(g/cm3)=1.918g
·
cm
–3,μ=3.625mm
–1,F(000)=1224.0。3.根据权利要求1所述的一类基于双酰腙的不对称双核镝单分子磁体,其特征在于,所述2个实例的分子结构特征如下:配体以其酰腙两翼...
【专利技术属性】
技术研发人员:王凯,吴翠娥,滕青湖,梁福沛,
申请(专利权)人:桂林理工大学,
类型:发明
国别省市:
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