一种长效数据存储记录靶材的制备方法及靶材和存储光盘技术

本方案属于存储光盘的记录材料技术领域，具体公开了一种长效数据存储记录靶材的制备方法及记录层，其制备方法包括如下步骤：S1.将50～70份氧化铜(CuO)、10～15份氧化镍(NiO)、10～15份二氧化锗(GeO2)和15～20份三氧化铋(Bi2O3)材料粉末充分混合后，填充于模具进行压缩成型即为靶材坯体；S2.将靶材坯体烧结后，采用压延工艺对所述烧结后靶材坯体进行锻造压延处理，以提高其致密度；S3.将S2锻造压延处理后的靶材坯体，加工成需要的形状，得到靶坯，靶坯再与钼或铬锆铜合金背板进行绑定，形成记录靶材。本发明专利技术提供的方法记录靶材，在制作存储光盘过程中，通过溅镀本发明专利技术提供的记录靶材所形成的记录层，提高了存储光盘的记录质量、延长了数据存储光盘的寿命。延长了数据存储光盘的寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种长效数据存储记录靶材的制备方法及靶材和存储光盘


[0001]本方案属于存储光盘的记录材料，更具体地，涉及一种长效数据存储记录靶材及靶材和存储光盘。

技术介绍

[0002]随着计算机技术的普及、互联网的高速发展，各种信息呈爆炸式的增加，人们的日常生活也很大程度上依赖于信息。信息数据化后，就需要更高存储密度、更大存储容量、更快存取速度、更长寿命、更低成本的数据存储器。
[0003]目前，作为不可逆数据存储介质的首选介质，数据存储光盘在信息存储领域的最大瓶颈在于它的数据存储寿命，常用数据存储光盘的记录材料通常是由铜(Cu)硅(Si)等合金组成，此类材料在与环境中的氧气接触后容易发生氧化，从而破坏所记录的数据，对数据的长期保存存在严重的挑战。

技术实现思路

[0004]鉴于此，本方案旨在克服现有技术中的至少一种不足，提供一种长效数据存储记录靶材的制备方法及靶材和存储光盘，使用该记录靶材通过溅镀形成的记录层，提高了存储光盘的记录质量、延长了数据存储光盘的寿命。
[0005]为了解决上述技术问题，采取下述技术方案：本专利技术的第一方面提供一种长效数据存储记录靶材的制备方法，包括如下步骤：
[0006]S1.将50～70份氧化铜(CuO)、10～15份氧化镍(NiO)、10～15份二氧化锗(GeO2)和15～20份三氧化铋(Bi2O3)材料粉末充分混合后，填充于模具进行压缩成型即为靶材坯体；
[0007]S2.将靶材坯体烧结后，采用压延工艺对所述烧结后靶材坯体进行锻造压延处理，以提高其致密度；
[0008]S3.将S2锻造压延处理后的靶材坯体，加工成需要的形状，得到靶坯，靶坯再与钼或铬锆铜合金背板进行绑定，形成记录靶材。
[0009]本专利技术采用氧化铜(CuO)氧化镍(NiO)、二氧化锗(GeO2)和三氧化铋(Bi2O3)材料制备长效数据存储的记录靶材，其材料稳定性好、无须改变现有生产设备，容易实现量产。
[0010]优选地，所述S2中烧结的温度为1800℃～2100℃，时间3～6h。
[0011]为了获得能够长效存储数据的记录靶，所述CuO、NiO、GeO2和Bi2O3材料粉末的纯度均大于99.99％。
[0012]进一步地，所述CuO、NiO、GeO2和Bi2O3材料粉末的粒径均为0.5～2um。
[0013]本专利技术第二方面提供一种采用上述长效数据存储记录靶材制备方法制得的记录靶材。
[0014]本专利技术第三方面提供一种长效数据存储光盘的记录层，其中记录层的形成方法为：在存储光盘的生产制造过程中，将上述的记录靶材，通过溅镀，在基片表面形成混合氧化物膜层，用作存储光盘的记录层，可延长了数据存储光盘的寿命。
[0015]优选地，所述溅镀时，根据溅镀形成记录层时，氧化的状况来调整，通入氧气含量的多少，为了获得理想化的混合氧化物膜层，需通入含量为30～60sccm氧气。
[0016]本专利技术的第四方面提供一种存储光盘，所述存储光盘的记录层为上述的一种长效数据存储光盘的记录层。
[0017]进一步地，所述存储光盘为蓝光光盘和/或全息光盘，也可以是其他储存光盘。
[0018]进一步地，所述蓝光光盘记录层的层数为3层～30层，优选为3层。
[0019]本方案与现有技术相比较有如下有益效果：
[0020](1)本专利技术提供了一种长效数据存储的记录靶的制备方法，其制备的原材料稳定性好、无须改变现有生产设备，容易实现量产。
[0021](2)本专利技术供了一种数据存储光盘的记录层，采用长效数据存储的记录靶，进行真空溅镀，形成的混合氧化物膜层，用作数据存储光盘的记录层，本专利技术提供的记录层能有效提高记录层感光性能，降低光盘片的刻录功率和提高数据的稳定性能。
[0022](3)本专利技术提供的数据存储记录层的光盘，能够在一个很长的存放期间都能保持较高准确率，寿命远高于市场上普通记录层光盘。
具体实施方式
[0023]为了让本领域的技术人员更好地理解本方案的技术方案，下面结合具体实施例对本方案做进一步详细说明。实施例中所使用的工艺方法如无特殊说明，均为常规方法；所用的材料，如无特殊说明，均可从商业途径得到。
[0024]实施例1
[0025]本实施例提供一种长效数据存储的记录靶的制备方法，包括如下步骤：
[0026]S1.将纯度均为99.99％、粒径均为0.5um的50份氧化铜(CuO)、10份氧化镍(NiO)、10份二氧化锗(GeO2)和15三氧化铋(Bi2O3)材料的粉末充分混合后，填充于模具进行压缩成型，即为靶材坯体；
[0027]S2.将靶材坯体在真空烧结炉里1800℃烧结后3h后，采用压延工艺对烧结后的靶材坯体进行锻造压延处理，提高其致密度；
[0028]S3.将S2锻造压延处理后的靶材坯体，通过机械加工成需要的形状，得到靶坯，靶坯再与钼背板进行绑定，形成记录靶材。
[0029]本专利技术采用氧化铜(CuO)氧化镍(NiO)、二氧化锗(GeO2)和三氧化铋(Bi2O3)材料制备长效数据存储的记录靶材，其材料稳定性好、无须改变现有生产设备，容易实现量产。
[0030]实施例2
[0031]本实施例提供一种长效数据存储的记录靶的制备方法，包括如下步骤：
[0032]S1.将纯度均为99.99％、粒径均为1um的60份氧化铜(CuO)、13份氧化镍(NiO)、13份二氧化锗(GeO2)和18份三氧化铋(Bi2O3)材料的粉末充分混合后，填充于模具进行压缩成型即为靶材坯体；
[0033]S2.将即为靶材坯体送入真空烧结炉里在1850℃下，烧结4.5h后，采用压延工艺对烧结后的靶材坯体进行锻造压延处理，提高其致密度；
[0034]S3.将S2锻造压延处理后的靶材坯体，通过机械加工成需要的形状，得到靶坯，靶坯再与背板进行绑定，形成记录靶材。
[0035]实施例3
[0036]本实施例提供一种长效数据存储的记录靶的制备方法，包括如下步骤：
[0037]S1.将纯度均为99.99％、粒径均为2um的70份氧化铜(CuO)、15份氧化镍(NiO)、15份二氧化锗(GeO2)和20份三氧化铋(Bi2O3)材料的粉末充分混合后，填充于模具进行压缩成型，即为靶材坯体；
[0038]S2.将靶材坯体送入真空烧结炉里在2100℃下烧结6h后，采用压延工艺对烧结后的材预制件进行锻造压延处理，以提高其致密度；
[0039]S3.将S2锻造压延处理的靶材坯体，通过机械加工成需要的形状，得到靶坯，靶坯再与铬锆铜背板进行绑定，形成记录靶材。
[0040]实施例4
[0041]本实施例提供一种存储光盘，为三层蓝光光盘，其中三层蓝光光盘的形成方法为：在存储光盘的生产制造过程中，将实施例2制备得到的记录靶材，通过溅镀，并在溅镀时根据氧化程度的需要，通入含量为30～60sccm的氧气，从而在基片表面形成混合氧化物膜层，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种长效数据存储记录靶材的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.将50～70份氧化铜(CuO)、10～15份氧化镍(NiO)、10～15份二氧化锗(GeO2)和15～20份三氧化铋(Bi2O3)材料粉末充分混合后，填充于模具进行压缩成型即为靶材坯体；S2.将靶材坯体烧结后，采用压延工艺对所述烧结后靶材坯体进行锻造压延处理，以提高其致密度；S3.将S2锻造压延处理后的靶材坯体，加工成需要的形状，得到靶坯，靶坯再与钼或铬锆铜合金背板进行绑定，形成记录靶材。2.根据权利要求1所述的一种长效数据存储记录靶材的制备方法，其特征在于，所述S2中烧结的温度为1800℃～2100℃，时间3～6h。3.根据权利要求1所述的一种长效数据存储记录靶材的制备方法，其特征在于，所述CuO、NiO、GeO2和Bi2O3材料粉末的纯度均大于99.99％。4.根据权利要求2所述的一种长效数据存储记录靶...

【专利技术属性】
技术研发人员：周自文，罗铁威，陈强旺，叶剑峰，陈小兰，杨秋香，
申请(专利权)人：广东紫晶信息存储技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：