有机发光显示装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种有机发光显示（ＯＬＥＤ）装置和制造其的方法。该装置可以包括设置于衬底上的单元像素区。每个单元像素区可以包括发射区和非发射区。像素电极可以至少设置于发射区中。柱设置于发射相同颜色光的相邻单元像素区的发射区之间。该柱可以比像素电极进一步向上凸出。发射层可以设置于像素电极上。相对电极可以设置于发射层上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体上涉及平板显示器(FPD)，且更具体地涉及一种有机发光显示(OLED)装置和制造其的方法。
技术介绍
作为传统的阴极射线管(CRT)显示器的替代品，引入发光二极管(LED)的平板显示器(FPD)已经吸引了许多注意。LED是通过在两个导体之间设置一系列的薄膜制造的电子装置。当电流施加于导体时薄膜发射亮光。即使具有多层，LED也是非常薄的且可以用于生产薄FPD，该薄FPD是自发光的，即，不需要背光。如果夹在两个导体之间的薄膜由有机材料形成，可以生产平板有机电致发光显示器(OLED)。此类OLED装置比CRT显示器具有更宽的视角、更快的视频响应速度和更低的能耗。OLED装置好于CRT显示器的其它优点包括提高的亮度、较轻的重量、改善的耐久性和扩展的运行温度。图1A和图1B是示出制造传统的OLED装置的方法的平面图，而图2A和图2B是分别沿图1A和图1B的线I-I所取的横截面图。参考图1A和图2A，阳极3形成于包括红(R)、绿(G)和蓝(B)单元像素区R、G和B的绝缘衬底1上。每个阳极3位于单元像素区R、G和B之一中。像素界定层2形成于阳极3上以使像素界定层2具有暴露部分阳极3表面的开口2a。开口2a界定发射区E。空穴注入/传输层4形成于具有开口2a的衬底1的整个表面上。其后，精细金属掩模置于形成有空穴注入/传输层4的衬底1上，使掩模具有暴露红单元像素区R的切口。精细金属掩模9利用真空吸附工艺粘接于衬底1。然后，利用精细金属掩模9作为掩模沉积红发射层5R。因此，红发射层5R形成于红单元像素区R中的空穴注入/传输层4上。参考图1B和图2B，在形成红发射层5R之后，去除精细金属掩模9。在该工艺期间，裂纹C可能形成于部分空穴注入/传输层4(图2A的S)中，其粘接于精细金属掩模的切口的边缘。一般地，精细金属掩模9的切口的边缘是粗糙的，且该粗糙的边缘可能使裂纹C更差。裂纹C也可能透过空穴注入/传输层4形成于下面的像素界定层2中。而且，当没有形成空穴注入/传输层4时，裂纹C可以直接形成于像素界定层2中。在去除精细金属掩模9之后，绿发射层5G和蓝发射层5B分别以形成红发射层5R相同的方式形成于绿和蓝单元像素区G和B上。相似地，裂纹可能在绿和蓝发射层5G和5B的两侧形成于空穴注入/传输层4或像素界定层2中。随后，阴极6形成于发射层5R、5G和5B上。但是，如果形成了裂纹C，则它可以减薄或切开覆盖裂纹C的部分阴极6。在任一情况中，阴极6都被减弱。减弱的阴极区可以造成某些缺点，诸如单元像素减小现象，该现象在OLED装置的运行期间减少了从单元像素的边缘部分发射的光的量。
技术实现思路
本专利技术通过提供一种OLED装置和制造该装置的方法，其抑止和/或消除单元像素减小现象，从而可以解决上述的问题和/或克服与制造和/或运行传统的OLED装置有关的缺点。本专利技术公开了一种OLED装置，包括设置于衬底上的单元像素区。每个单元像素区可以包括发射区和非发射区。像素电极可以至少设置于发射区。柱可以设置于发射相同颜色光的相邻单元像素区的发射区之间。该柱可以比像素电极向上凸出。发射层可以设置于像素电极上，且相对电极可以设置于发射层上。本专利技术还公开了一种OLED装置，包括设置于衬底上的单元像素区，每个单元像素区可以包括发射区和非发射区。像素电极可以至少设置于发射区中。柱可以进一步比像素电极向上凸出。该柱可以具有等于或小于发射相同颜色光的相邻单元像素区的发射区之间的距离的长度。该柱可以具有小于每个单元像素区的宽度的宽度。发射层可以设置于像素电极上。相对电极可以设置于发射层上。本专利技术还公开了一种制造OLED装置的方法，包括如下可以以任何适合的顺序执行的步骤在衬底上在单元像素区的发射区中形成像素电极，单元像素区还包括非发射区；在发射相同颜色的光的相邻单元像素区的发射区之间形成柱。粘接精细金属掩模于具有该柱的衬底，精细金属掩模具有暴露发射相同颜色的光的相邻单元像素区的切口。另外，该方法还包括在暴露的单元像素区上形成发射层。附图说明将参考附图和本专利技术的某些实施例描述本专利技术的以上和其它特征。图1A和图1B是示出制造传统的有机发光显示装置(OLED)的方法的平面图。图2A和图2B是分别沿图1A和1B的线I-I所取的横截面图。图3A和图3B是示出依据本专利技术的实施例的制造OLED装置的第一种方法的平面图。图4A和图4B是分别沿图3A和3B的线II-II所取的横截面图，其进一步示出本专利技术的制造OLED装置的第一种方法。图5A和图5B是分别沿图3A和3B的线III-III所取的横截面图，其进一步示出本专利技术的制造OLED装置的第一种方法。图6A和图6B是分别沿图3A和3B的线IV-IV所取的横截面图，其进一步示出本专利技术的制造OLED装置的第一种方法。图7A和图7B是分别沿图3A和3B的线V-V所取的横截面图，其进一步示出本专利技术的制造OLED装置的第一种方法。图8A和图8B是分别沿图3A和3B的线II-II所取的横截面图，其示出本专利技术的制造OLED装置的第二种方法。图9A和图9B是分别沿图3A和3B的线III-III所取的横截面图，其进一步示出本专利技术的制造OLED装置的第二种方法。图10A和图10B是分别沿图3A和3B的线IV-IV所取的横截面图，其进一步示出本专利技术的制造OLED装置的第二种方法。图11A和图11B是分别沿图3A和3B的线V-V所取的横截面图，其进一步示出本专利技术的制造OLED装置的第二种方法。具体实施例方式下文参考显示本专利技术的实施例的附图更加全面地描述本专利技术。但是，本专利技术可以实现为不同的形式而不应解释为限于这里阐述的实施例。而是，提供实现实施例以使本公开充分和完整且完全地对本领域的技术人员传达本专利技术的范围。在附图种所示的层或区域的厚度为了清晰被放大，且在本说明书中，相同的附图标记可以用于指示相同的元件。现将参考图3A、图3B、图4A、图4B、图5A、图5B、图6A、图6B、图7A、图7B描述依据本专利技术的实施例的制造有机发光显示器(OLED)的第一种方法。具体地，图3A和图3B是示出依据本专利技术的原理的制造OLED装置的第一种方法的平面图。图4A和图4B是分别沿图3A和3B的线II-II所取的横截面图。图5A和图5B是分别沿图3A和3B的线III-III所取的横截面图。图6A和图6B是分别沿图3A和3B的线IV-IV所取的横截面图。图7A和图7B是分别沿图3A和3B的线V-V所取的横截面图。参考图3A、图4A、图5A、图6A和图7A，提供衬底100，在衬底100上设置有红(R)、绿(G)和蓝(B)的单元像素区R、G和B。单元像素区R、G和B可以以条形设置。即，发射相同颜色光的区可以以列或行设置。每个单元像素区R、G和B包括发射区E和非发射区，非发射区相应于发射区E之外的区域。衬底100可以是玻璃衬底、塑料衬底或石英衬底。缓冲层105可以形成于衬底100上。半导体层110形成于非发射区中的缓冲层105上。半导体层110可以由非晶硅(a-Si)或多晶硅(多晶Si)形成。优选地，半导体层110由多晶Si形成。可以通过在衬底100上形成a-Si且结晶该a-Si获得多晶Si半导体层110。可以利用金属诱发结晶(MIC)工艺、金属诱发横向结晶(MILC)工艺、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光显示装置，包括：单元像素区，设置于衬底上，每个所述单元像素区包括发射区和非发射区；像素电极，至少设置于所述发射区中；柱，设置于发射相同颜色光的相邻所述单元像素区的发射区之间，所述柱比所述像素电极进一步向上凸出；发射层，设置于所述像素电极上；和相对电极，设置于所述发射层上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李宽熙，
申请(专利权)人：三星移动显示器株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[]