本申请提供的一种显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置，所述制作方法包括：在衬底的第一表面上的第一预设区域形成多个未晶化的半导体块；于一结晶温度下，在所述第一表面上的第二预设区域形成至少一个第一发光元件；在每个所述半导体块远离所述第一表面的一侧形成开关结构，且将各自与第一发光元件一一对应的第二发光元件和第三发光元件转移到所述第二预设区域，本申请借助于第一发光元件形成过程中的结晶温度，使得半导体块结晶化，从而制备形成显示面板，本申请相较于现有技术减少了三分之一的巨量转移，结晶化的TFT迁移率高，稳定性好，可以实现色域更高的显示效果。可以实现色域更高的显示效果。可以实现色域更高的显示效果。
【技术实现步骤摘要】
显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置
[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置。
技术介绍
[0002]现有有源阵列显示技术多以薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)背板为驱动，其中非晶硅和非晶金属氧化物半导体具有成本低，工艺简单，适合各个世代面板的应用等特点，被广泛运用。
[0003]但非晶半导体(包括非晶硅，非晶金属氧化物半导体)TFT由于其非晶结构不稳定的特性，导致其TFT电性对光、电、热等环境敏感，不够稳定，从而影响面板显示。而TFT半导体层结晶化后迁移率和稳定性会显著提升，但其往往需要高温(600℃以上)环境才能开始结晶，这无疑会极大增加TFT面板制作成本和生产周期。
[0004]近年来有源Mini&Micro LED显示大力发展，其对TFT背板技术要求越来越严苛，同时，LED转移技术和转移良率也是Mini&Micro LED显示产业化的主要难点。因此尽量减小甚至避免转移量，搭配高稳定性的TFT成为Mini&Micro LED显示快速发展的关键，常规有源Mini&Micro LED显示面板是将制作完成的Mini&Micro LED三原色灯珠转移到TFT基板上，其巨量转移良率和后续检测修复更是Micro/Mini LED发展的极大难题。
技术实现思路
[0005]本申请提供一种显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置，旨在提高TFT的电性能，兼顾解决LED巨量转移的良品率较低的问题。
[0006]本申请第一方面实施例提供一种显示面板的制作方法，所述显示面板包括显示区域和非显示区域，所述制作方法包括：
[0007]在衬底的第一表面上的第一预设区域形成多个未晶化的半导体块；
[0008]于一结晶温度下，在所述第一表面上的第二预设区域形成至少一个第一发光元件；其中，所述半导体块在所述结晶温度下结晶化；
[0009]在每个所述半导体块远离所述第一表面的一侧形成开关结构，且将各自与第一发光元件一一对应的第二发光元件和第三发光元件转移到所述第二预设区域，以形成所述显示面板。
[0010]在可选的实施例中，所述在所述第一表面上的第二预设区域形成至少一个第一发光元件，包括：
[0011]在所述结晶温度下，在所述第一表面上生长出覆盖所述衬底的半导体晶片；
[0012]对所述半导体晶片进行刻蚀，在所述第二预设区域形成至少一个所述第一发光元件，并去除所述第一预设区域上的所述半导体晶片。
[0013]在可选的实施例中，所述半导体晶片包括第一掺杂层、第二掺杂层，以及位于第一掺杂层和第二掺杂层之间的第一发光层；所述第一掺杂层和所述第二掺杂层各自为P型掺
杂层和N型掺杂层中的一个；
[0014]所述在所述第一表面上生长出覆盖所述衬底的半导体晶片，包括：
[0015]在所述半导体块和所述衬底暴露的表面上通过外延生长出第一掺杂层；
[0016]在所述第一掺杂层远离所述第一表面的一侧上外延生长出第一发光层；
[0017]在所述第一发光层远离所述第一掺杂层的一侧表面上外延生长出第二掺杂层。
[0018]在可选的实施例中，所述对所述半导体晶片进行刻蚀，在所述第二预设区域形成至少一个所述第一发光元件，包括：
[0019]对所述半导体晶片进行第一次刻蚀，去除所述第一预设区域中的第二掺杂层以及第一发光层，并在所述第二预设区域图案化所述第二掺杂层以及第一发光层，形成对应所述第一发光元件的柱状单元，每个柱状单元之间形成刻蚀间隙；所述刻蚀间隙和所述第一预设区域暴露所述第一掺杂层；
[0020]对所述第一预设区域未形成所述半导体块的区域以及所述刻蚀间隙处的第一掺杂层进行减薄处理；
[0021]对所述刻蚀间隙处的所述第一掺杂层进行第二次刻蚀，将每个所述刻蚀间隙处的所述第一掺杂层隔断，所述第一掺杂层在所述刻蚀间隙内形成用于放置第一焊盘的表面。
[0022]在可选的实施例中，所述开关元件包括：栅极金属件、源极金属件和漏极金属件，所述在每个半导体块上形成开关结构，包括：
[0023]在所述未晶化的半导体块远离所述第一表面的一侧形成绝缘块；
[0024]在所述绝缘块远离所述第一表面的一侧形成栅极金属件；
[0025]在所述未晶化的半导体块的两侧分别形成源极金属件和漏极金属件，所述源极金属件和漏极金属件与所述未晶化的半导体块接触；
[0026]在所述栅极金属件、源极金属件和漏极金属件之间的空间内形成层间电介质；其中所述源极金属件和漏极金属件部分露出所述层间电介质，以形成接触电极。
[0027]在可选的实施例中，还包括：
[0028]在所述层间电介质远离所述第一表面的一侧形成覆盖所述接触电极的第一保护层；
[0029]在所述第一保护层和所述第二掺杂层远离所述第一表面的一侧形成电连接件；其中每个所述接触电极与一电连接件通过在所述第一保护层上沉积的过孔63金属耦接；
[0030]在所述第二掺杂层上的电连接件远离所述第一表面的一侧形成第二焊盘。
[0031]在可选的实施例中，还包括：
[0032]将遮光材料填充每个所述第一发光元件之间的刻蚀间隙内；或者，
[0033]还包括：将遮光材料填充每个所述第一发光元件之间的刻蚀间隙内；以及，在所述填充刻蚀间隙之后的衬底上形成覆盖每个所述第一发光元件和每个所述半导体块的第二保护层。
[0034]本申请第二方面实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括显示区域和非显示区域A2，所述显示面板包括：
[0035]衬底；
[0036]多个半导体块，所述多个半导体块形成在所述第一表面上的第二预设区域，且每个半导体块上远离所述第一表面的一侧设有开关结构；
[0037]多个第一发光元件，以及各自与多个第一发光元件一一对应的第二发光元件和第三发光元件，设置在所述第一表面上的第二预设区域；其中，所述半导体块在所述第一发光元件形成之前处于未晶化状态，并在所述第一发光元件形成过程中结晶化。
[0038]在可选的实施例中，所述第一发光元件包括第一发光层，所述第二发光元件包括第二发光层，所述第三发光元件包括第三发光层，所述第一发光层、所述第二发光层以及所述第三发光层各自激发产生一单色光。
[0039]本申请第三方面实施例提供一种显示装置，包括如上所述的显示面板。
[0040]由上述技术方案可知，本申请提供的一种显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置，通过在制备过程中，先形成未晶化的半导体块，之后在结晶温度下形成第一发光元件，最后转移第二发光元件和第三发光元件，借助于第一发光元件形成过程中的结晶温度，使得半导体块结晶化，从而制备形成显示面板，本申请相较于现有技术减少了三分之一的巨量转移，结晶化的TFT迁移率高，稳定性好，可以实现色域更本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在衬底的第一表面上的第一预设区域形成多个未晶化的半导体块；于一结晶温度下，在所述第一表面上的第二预设区域形成至少一个第一发光元件；其中，所述半导体块在所述结晶温度下结晶化；在每个所述半导体块远离所述第一表面的一侧形成开关结构；将各自与第一发光元件一一对应的第二发光元件和第三发光元件转移到所述第二预设区域，以形成所述显示面板；其中，所述第一预设区域对应所述显示面板的非显示区域，所述第二预设区域对应所述显示面板的显示区域。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一表面上的第二预设区域形成至少一个第一发光元件，包括：在所述结晶温度下，在所述第一表面上生长出覆盖所述衬底的半导体晶片；对所述半导体晶片进行刻蚀，在所述第二预设区域形成至少一个所述第一发光元件，并去除所述第一预设区域上的所述半导体晶片。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一表面上生长出覆盖所述衬底的半导体晶片，包括：在所述半导体块和所述衬底暴露的表面上通过外延生长出第一掺杂层；在所述第一掺杂层远离所述第一表面的一侧上外延生长出第一发光层；在所述第一发光层远离所述第一掺杂层的一侧表面上外延生长出第二掺杂层；其中，所述第一掺杂层为P型掺杂层和N型掺杂层中的一个，所述第二掺杂层为P型掺杂层和N型掺杂层中的另一个。4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述对所述半导体晶片进行刻蚀，在所述第二预设区域形成至少一个所述第一发光元件，包括：对所述半导体晶片进行第一次刻蚀，去除所述第一预设区域中的第二掺杂层以及第一发光层，并在所述第二预设区域图案化所述第二掺杂层以及第一发光层，形成对应所述第一发光元件的柱状单元，每个柱状单元之间形成刻蚀间隙；所述刻蚀间隙和所述第一预设区域暴露所述第一掺杂层；对所述第一预设区域未形成所述半导体块的区域以及所述刻蚀间隙处的第一掺杂层进行减薄处理；对所述刻蚀间隙处的所述第一掺杂层进行第二次刻蚀，将每个所述刻蚀间隙处的所述第一掺杂层隔断，所述第一掺杂层在所述刻蚀间隙内...
【专利技术属性】
技术研发人员：张合静，鲜济遥，袁海江，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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