有机发光显示器制造技术

本发明专利技术提供一种有机发光显示器，其包括一第一基板、一第二基板、多个有机发光元件以及一抗反射层，其中各有机发光元件分别设于一次像素内，而各次像素内亦包括抗反射层。各次像素内包括抗反射层的部分定义为一非发光区，而各非发光区占有约略６０％至８７％的其所对应次像素的面积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种有机发光显示器，特别是涉及一种具有较高显示画面对比且使用寿命较长的有机发光显示器。
技术介绍
在平面显示器中，有机发光显示器虽然起步较LCD晚，但却以具备自发光、广视角、响应速度快、低耗电量、对比强、亮度高、厚度薄、可全彩化、结构简单以及操作环境温度范围大等优点，故已逐渐在中、小尺寸携带式显示器领域中受到瞩目。然而，因为有机发光显示器内部由金属材料构成的导线或电极等图案会反射光线，故当有机发光显示器在环境光源较强的情形下使用时，常发生对比率不佳而影响显示画面品质的问题。为了改善显示画面对比不佳的缺点，现有技术于有机发光显示器的基板表面设置一偏光片(polarizer)，以降低环境光源的反射。然而，偏光片虽可有效降低环境光源的反射，但同时却也使有机发光显示器本身所产生的光线仅具有约42％的穿透率，因此造成发光效率不佳。同时，为了弥补发光效率不佳而造成显示画面亮度不足的情形，往往必须提供有机发光元件较高的电压以提升其发光亮度，如此会增加耗电量，亦会缩减有机发光元件的使用寿命。因此，现有于基板表面设置偏光片的方法仍有其缺点，无法兼顾显示画面对比率与亮度及底耗电量的要求。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种利用抗反射层来提高有机发光显示器的影像画面的对比率的有机发光显示器结构及方法，以解决上述现有有机发光显示器对比度较差的问题。根据本专利技术的权利要求，揭露一种有机发光显示器，其包括一第一基板、一相对设于第一基板下的第二基板、多个有机发光元件分别设于一次像素中，以及一设于各次像素内的抗反射层。各次像素内包括抗反射层的部分定义为一非发光区，而各非发光区占有约略60％至87％的其所对应次像素的面积。根据本专利技术的权利要求，还揭露一种改善有机发光显示器的对比率的方法，该有机发光显示器包括一第一基板、一具有多个次像素且平行相对于第一基板的第二基板、多个有机发光元件以及一抗反射层，设于各次像素内，其中抗反射层于各次像素内所占面积比率定义为一抗反射层/次像素面积比(anti-reflect/sub-pixel ratio)。本专利技术方法先依据有机发光元件的特性决定出其相对寿命(relative life-time)对该抗反射层/次像素面积比的一第一关系式，并依据机发光显示器的特性决定出有机发光显示器的对比率(contrast ratio)对抗反射层/次像素面积比的一第二关系式。然后，选定一预定的最小对比率以及一预定的最小相对寿命值，并根据该第一关系式与第二关系式计算出一预定的该抗反射层/次像素面积比的范围。最后，依据该预定的抗反射层/次像素面积比的范围而设计出抗反射层在各次像素内所占面积，以使有机发光显示器的对比率大于等于预定的最小对比率，且有机发光显示器的各有机发光元件的相对寿命大于等于该预定的最小相对寿命值。由于本专利技术在设计抗反射层于每一次像素内所占面积时，同时考量发光元件使用寿命与有机发光显示器的对比问题，因此所设计出的抗反射层/次像素面积比具有一最佳范围，其能满足业界对于有机发光显示器对比率的要求，且不致降低有机发光元件的寿命，甚至能提供较长的使用寿命。附图说明图1为本专利技术有机发光显示器的侧剖面示意图。图2为图1所示有机发光显示器的次像素区的配置示意图。图3为抗反射层/次像素面积比对有机发光元件相对寿命与对比率的关系曲线图。简单符号说明10 有机发光显示器 11 第一基板12 第二基板 12a 显示面14 抗反射层 14a 抗反射层开口15 缓冲层 16 栅极介电层18 漏极 20 源极 22 半导体层 24 栅极26 层间介电层 28 导电层30 层间介电层 32 像素电极34 平坦层 36 有机发光层38 阴极 40 次像素区42 发光区 44 非发光区46 有机发光元件具体实施方式请参考图1，图1为本专利技术有机发光显示器10的侧剖面示意图，图中仅绘出单一次像素区40以作为说明。如图1所示，本专利技术的有机发光显示器10包括一第一基板11与一第二基板12，第一基板11与第二基板12平行相对设置，并利用框胶(图未示)接合以维持一固定间距。本实施例的有机发光显示器10为一背面发光型面板，故第二基板12相反于第一基板11的表面12a为有机发光显示器10的显示面，而第二基板12由透明的材料所制成，例如玻璃、塑料或石英等透光材料。第一基板11的材料则可为透光材料或不透光材料。第二基板12包括多个次像素区40，且各次像素区40皆包括一有机发光元件46、一薄膜晶体管、抗反射层14及其它薄膜层，以下将依有机发光显示器10的侧剖面结构由下而上依序介绍第二基板12上所设置的各材料层。第二基板12邻近于第一基板11的表面设置有一抗反射(antireflective)层14，其具有一开口14a。在本实施例中，抗反射层14为一黑色矩阵层(blackmatrix，BM)，能吸收由显示面12a射入的环境光线，并避免环境光线被反射而影响到有机发光显示器10的显示画面的对比率。黑色矩阵层的材料可为铬、氧化铬与氮化铬，或其它任何具有良好抗反射作用的材料，其中黑色矩阵层的反射率优选小于7％。由于抗反射层14为不透光的材料，因此次像素区40内具有抗反射层14的部分定义为一非发光区44，而次像素区40之内不具有抗反射层14的部分(即抗反射层14的开口14a处)定义为一发光区42。抗反射层14表面覆盖有一不导电的缓冲层15，而缓冲层15的上方设有一晶体管，其包括一栅极24、一栅极介电层16、一漏极18、一源极20以及一作为晶体管通道的半导体层22。此外，漏极18与源极20之上皆设有一导电层28，以分别电连接数据线(图未示)与像素电极32。由于晶体管与导电层28的材料通常包括具反射性质的导电材料，例如金属材料，因此本专利技术的晶体管与导电层28位于抗反射层14的正上方，以避免晶体管或导电层28反射环境光线。在栅极介电层16之上设有一第一层间介电(inter-layer dielectric)层26，且在导电层28上的非发光区44另设有一第二层间介电层30与一不导电的平坦层34，其中第一层间介电层26与第二层间介电层30可由氮化硅(siliconnitride，SiNx)、氧化硅(silicon oxide，SiOx)、四乙烷氧硅化物(Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate，TEOS)或其它不导电的无机或有机材料制成，而平坦层34的材料可为丙烯酸树脂(acrylic resin)等有机材料，亦可使用上述介电层的材料制作。有机发光元件46则设于上述不导电的材料层上方，且位于各次像素区40的发光区42。有机发光元件46包括作为阳极的像素电极32、有机发光层36以及阴极38。在本实施例中，像素电极32的材料优选包括透明的金属氧化物，例如氧化铟锡(Indium-tin-oxide，ITO)或氧化铟锌(Indium-zinc-oxide，IZO)。阴极优选包括具有高反射特性的材料，例如铝或Ag或其合金等等的金属材料，以反射有机发光层36所产生的光线，藉以提升亮度。有机发光层36包括空穴传输层、发光层以及电子传输层，经由像素电极32与阴极38的驱动而发光。图2为图1所示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光显示器，包括：一第一基板；一第二基板，相对设于该第一基板之下，且该第二基板包括多个次像素；多个有机发光元件，分别设于每一该些次像素内；以及一抗反射层，设于该些次像素内，且各该次像素内包括该抗反射层 的部分定义为一非发光区，而各该非发光区占有约６０％至８７％的所对应该次像素的面积。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李世昊，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]