有机电致显示器件及其制造方法技术

一种有机电致发光显示器件包括彼此相对并具有显示区域和围绕显示区域的非显示区域的第一和第二基板。在第一基板上形成阵列元件并在第二基板上形成电致发光二极管。该电致发光显示器件还包括位于非显示区域中的栅焊盘电极和数据焊盘电极。该栅焊盘电极和数据焊盘电极由具有耐腐蚀的导电材料构成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示器件及其制造方法，并尤其涉及有机电致发光器件(OELD)及制造该OELD的方法。
技术介绍
过去，许多显示器件应用阴极射线管(CRT)显示图像。但是，各类平板显示器如液晶显示(LCD)器件、等离子体显示板(PDP)器件、场发射显示(FED)器件、以及电致发光显示(ELD)器件等目前正发展为CRT的替代品。在这些各类平板显示器中，PDP器件具有显示尺寸大的优势，但它也有重量重和功耗高的缺点。同样，LCD器件具有外形薄和功耗低的优势，但也具有显示尺寸小的劣势。但是，OELD器件是具有响应时间快、亮度高和宽视角优势的发光显示器。图1是按照现有技术的OELD器件的电路示意图。如图1所示，栅线“GL”沿第一方向延伸，而彼此分离的数据线“DL”和电源线“PSL”沿垂直于第一方向的第二方向延伸。该栅线“GL”、数据线“DL”和电源线“PSL”限定了子像素区“SP”。开关薄膜晶体管“SwT”设置于栅线“GL”和数据线“DL”的交叉部分作为寻址元件。存储电容“Cst”连接到开关薄膜晶体管“SwT”和电源线“PSL”上。驱动薄膜晶体管“DrT”连接到存储电容“Cst”和电源线“PSL”上作为电流源元件。有机电致(EL)二极管“E”连接到驱动薄膜晶体管“DrT”上。当将正向电流施加给有机EL二极管“E”时，电子和空穴复合以通过在提供空穴的阳极和提供电子的阴极之间的P(阳)-N(阴)结产生电子-空穴对。因为该电子-空穴对具有低于单独电子和空穴的能量，因此在复合和单独的电子-空穴对之间存在能量差，从而由于该能量差而发光。通常，在阵列基板上既形成包括开关和驱动薄膜晶体管的阵列元件又形成有机EL二极管，并且该阵列基板和封装基板粘结。因此，降低了OELD器件的生产效率。例如，在生产后确定阵列元件和有机发光二极管其中之一具有缺陷时，则该阵列基板是不可接受的并因此会降低该OELD器件的生产效率。为了解决这个问题，提出了双面板型OELD，其中阵列元件和有机EL二极管形成在不同的基板上。图2所示为根据现有技术的双面板型OELD器件的截面图，并且图3所述为图2的双面板型OELD的数据焊盘区域的截面图。如图2和3所示，第一和第二基板1和71彼此间隔一定距离设置。在两个基板1和71中，限定了用于显示图像的显示区域“DA”和围绕该显示区域“DA”的非显示区域“NA”。密封图案93在非显示区域“NA”粘接第一基板1和第二基板71。在第一基板1的子像素区域“SP”中设置包括驱动薄膜晶体管“Tr”和开关薄膜晶体管(未示出)的阵列元件。在子像素区域“SP”的第二基板71上设置有机EL二极管“E”。该有机EL二极管“E”包括依次设置于第二基板71内表面的第一电极75、有机发光层87和第二电极90。有机发光层87包括位于各个子像素区“SP”的红(R)、绿(G)和蓝(B)有机发光层87a、87b和87c。在每个子像素区“SP”设置第二电极90。钝化层45覆盖具有驱动薄膜晶体管“Tr”的基板1并具有暴露漏极35的漏接触孔47。在每个像素区域“SP”的钝化层45上设置连接电极55并且连接电极55通过漏接触孔47连接到漏极35上。连接图案91在每个子像素区“SP”连接连接电极55和第二电极90。位于栅绝缘层14上的半导体层20包括有源层20a和欧姆接触层20b。在非显示区域“NA”的栅焊盘区域“GPA”，在和栅电极9和栅线(未示出)的同一层设置栅焊盘电极11。该栅焊盘电极11由和栅极9一样的材料构成。在非显示区域“NA”的数据盘区域“DPA”，在栅绝缘层14上与源极33和漏极35以及、数据线(未示出)的同一层上设置数据焊盘38。在钝化层45上设置栅焊盘电极端子57和数据焊盘电极端子60并且两个端子分别通过栅焊盘接触孔49和数据焊盘接触孔51与栅焊盘电极11和数据焊盘电极38接触。该栅数据焊盘端子57和数据焊盘端子60由和连接电极55一样的材料构成。为了提高连接电极55和连接图案91之间以及连接图案91和第二电极90之间的的界面属性和接触电阻，连接电极55、连接图案91和第二电极90由同样材料构成。当第二电极90用作阴极，该第二电极90由具有低功函的铝(Al)构成。因此，该连接电极55和连接图案91也由铝(Al)构成。铝暴露于空气中的时候，会被腐蚀。因为设置于由密封图案93封装的显示区域“DA”中，因此由铝(Al)构成的连接电极55、连接图案91和第二电极90不容易受到腐蚀。换句话说，通过密封图案93环绕的第一和第二基板之间的空间处于真空条件下或者充满惰性气体。但是，由与连接电极55同一材料，即铝，构成的栅焊盘端子57和数据焊盘端子60暴露于空气中。因此，栅焊盘端子57和数据焊盘端子60容易受到腐蚀。此外，通常栅焊盘电极11和数据焊盘电极38由具有低电阻率的材料构成以防止信号延迟，诸如铝(Al)、铝合金(AlNd)、铝(Al)/钼(Mo)和铝合金(AlNd)/钼(Mo)，他们在暴露于空气中时都容易受到腐蚀，即使栅焊盘端子57和数据焊盘端子60没有形成在栅和数据焊盘区域“GPA”和“DPA”中时。特别地，即使在栅焊盘电极11和数据焊盘电极38具有上层由钼(Mo)构成并且下层由铝(Al)或者铝合金(AlNd)构成的双层结构时，由于上层在形成接触孔47、49和51的过程中上层和钝化层45一起受到蚀刻，因此下层会暴露于空气中并受到腐蚀。
技术实现思路
因此，本专利技术涉及一种OELD器件及制造该OELD器件的方法，其能够基本上克服因现有技术的局限和缺点带来的一个或多个问题。本专利技术的优点在于提供了一种可以防止焊盘区域受到腐蚀并改善生产率的OELD器件及其制造方法。本专利技术的附加优点和特征将在后面的描述中得以阐明，通过以下描述，将使它们对于本领域普通技术人员在某种程度上显而易见，或者可通过实践本专利技术来认识它们。本专利技术的这些和其他优点可通过书面描述及其权利要求以及附图中具体指出的结构来实现和得到。为了实现这些和其它优点，按照本专利技术的目的，作为具体和广义的描述，一种有机电致发光显示器件包括彼此相对并具有多个子像素区域的第一和第二基板；位于第一基板上栅线；在第一基板上和栅线交叉以限定子像素区域的数据线；连接到栅线和数据线的阵列元件；连接到阵列元件上并设置于子像素区域的连接电极；电连接到栅线上具有上层和下层的栅焊盘电极；电连接到数据线上具有上层和下层的数据焊盘电极；以及位于第二基板上的电致发光二极管，其中所述栅焊盘电极和数据焊盘电极的上层具有分别暴露栅焊盘电极下层和数据焊盘电极下层的栅焊盘接触孔和数据焊盘接触孔。在另一方面，用于制造电致显示器件的方法包括在第一基板上形成栅线、位于栅线一端的栅焊盘电极和数据焊盘电极，栅线、栅焊盘电极和数据焊盘电极各具有上下两层；形成覆盖栅线和栅焊盘电极以及数据焊盘电极的栅绝缘层；在栅绝缘层上形成与栅线交叉以限定子像素区域的数据线；形成连接到栅线和数据线的阵列元件；在阵列元件上形成钝化层；在子像素区钝化层上形成连接电极；暴露栅焊盘电极的下层和数据焊盘电极的下层；在第二基板上形成电致发光二极管；以及粘结第一和第二基板。在本专利技术的另一方面，一种电致发光器件包括具有包含阵列元件的第一基板，该阵列元件包括栅线、与栅线交叉以限定像素区域的数据线、位本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致显示器件，包括：　　　　彼此相对并具有多个子像素区域的第一和第二基板；　　　　位于所述第一基板上的栅线；　　　　在所述第一基板上和所述栅线交叉以限定所述子像素区域的数据线；　　　　连接到所述栅线和数据线的阵列元件；　　　　连接到所述阵列元件上并设置于所述子像素区域中的连接电极；　　　　电连接到所述栅线上并具有上层和下层的栅焊盘电极；　　　　电连接到所述数据线上并具有上层和下层的数据焊盘电极，所述数据焊盘电极和栅焊盘电极设置于同一层；以及　　　　位于所述第二基板上的电致发光二极管，其中所述栅焊盘电极和数据焊盘电极的上层具有分别暴露出所述栅焊盘电极的下层和所述数据焊盘电极的下层的栅焊盘接触孔和数据焊盘接触孔。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金玉姬，
申请(专利权)人：LG菲利浦LCD株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]