改善电极包覆性的发光二极管及其制备方法技术

本公开提供了一种改善电极包覆性的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管制备方法包括：提供一外延片，所述外延片的表面具有待蒸镀区域；在所述外延片的表面形成复合胶层，所述复合胶层具有露出所述待蒸镀区域的开口，所述复合胶层包括依次层叠的负性光刻胶层和正性光刻胶层；在所述开口中蒸镀形成电极。本公开能改善电极对电流阻挡层和透明导电层的包覆性。挡层和透明导电层的包覆性。挡层和透明导电层的包覆性。

【技术实现步骤摘要】
改善电极包覆性的发光二极管及其制备方法


[0001]本公开涉及光电子制造
，特别涉及一种改善电极包覆性的发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。
[0003]相关技术中，在制备发光二极管时，通常先在衬底上生长外延层；然后在外延层的部分表面上形成依次层叠的电流阻挡层和透明导电层；最后，在透明导电层上蒸镀形成电极，且电极延伸至外延层的表面。
[0004]在蒸镀电极前，需要在外延层上制作掩膜，掩膜具有露出透明导电层的开口，若开口尺寸过小，在蒸镀过程中形成的金属不容易覆盖在前一层蒸镀的金属表面上，进而导致电极的包覆性变差。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供了一种改善电极包覆性的发光二极管及其制备方法，能改善电极对电流阻挡层和透明导电层的包覆性。所述技术方案如下：
[0006]本公开实施例提供了一种发光二极管制备方法，所述发光二极管制备方法包括：提供一外延片，所述外延片的表面具有待蒸镀区域；在所述外延片的表面形成复合胶层，所述复合胶层具有露出所述待蒸镀区域的开口，所述复合胶层包括依次层叠的负性光刻胶层和正性光刻胶层；在所述开口中蒸镀形成电极。
[0007]在本公开实施例的一种实现方式中，所述在所述外延片的表面形成复合胶层包括：在所述外延片的表面涂覆一层负性光刻胶层，对所述负性光刻胶曝光；在所述负性光刻胶的表面涂覆一层正性光刻胶层，对所述正性光刻胶曝光；对所述负性光刻胶层和所述正性光刻胶层显影，去除所述负性光刻胶层和所述正性光刻胶层上与所述待蒸镀区域相对的区域，得到所述复合胶层。
[0008]在本公开实施例的另一种实现方式中，所述正性光刻胶层的厚度小于所述负性光刻胶的厚度。
[0009]在本公开实施例的另一种实现方式中，所述在所述外延片的表面涂覆一层负性光刻胶层包括：基于要形成的所述电极的厚度，在所述外延片的表面涂覆负性光刻胶层，所述负性光刻胶层的厚度不小于所述电极的厚度。
[0010]在本公开实施例的另一种实现方式中，对所述负性光刻胶层显影后，得到的所述负性光刻胶层的第一表面的面积小于第二表面的面积，所述第一表面和所述第二表面为所述负性光刻胶层相对的两个表面，且所述第一表面靠近所述外延片。
[0011]在本公开实施例的另一种实现方式中，对所述正性光刻胶层显影后，得到的所述
正性光刻胶层的第三表面的面积大于第四表面的面积，所述第三表面和所述第四表面为所述正性光刻胶层相对的两个表面，且所述第三表面与所述第二表面重合。
[0012]在本公开实施例的另一种实现方式中，所述在所述开口中蒸镀形成电极包括：通过所述开口依次蒸镀的Cr膜、Al膜、Ti膜、Pt膜和Au膜，形成所述电极。
[0013]在本公开实施例的另一种实现方式中，所述在所述开口中蒸镀形成电极包括：通过所述开口依次蒸镀的Cr膜、Al膜、Ti膜、Ni膜、Pt膜和Au膜，形成所述电极。
[0014]在本公开实施例的另一种实现方式中，制作所述外延片包括：提供一衬底；在所述衬底的表面形成外延层，所述外延层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；在所述第二半导体层的表面形成依次层叠的电流阻挡层和透明导电层。
[0015]本公开实施例提供了一种发光二极管，所述发光二极管采用如前文所述的发光二极管制备方法制备。
[0016]本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
[0017]本公开实施例提供的发光二极管制备方法，先制作外延层，然后，在外延层的表面制作复合胶层，复合胶层有露出待蒸镀区域的开口。这样就可以通过复合胶层的开口向外延片的待蒸镀区域蒸镀形成电极。
[0018]蒸镀过程中，随着镀膜时间的增加，反应腔内温度会逐渐增大，由于负性光刻胶层和正性光刻胶层均会随着温度的增加而出现收缩，在收缩的过程中光刻胶上的开口的尺寸就会逐渐变大，即开口的面积会随温度的提升逐渐增大，所以随着蒸镀的进行，开口的面积会逐渐变大，这样可以镀膜的区域就更大，因此，电极更加容易蒸镀至前一层蒸镀的金属的表面上，从而提升电极自身的包覆性。
[0019]由于正性光刻胶和负性光刻胶随温度的变化趋势不一致，且负性光刻胶对温度较敏感，在温度较低时，负性光刻胶的收缩变化较大，而正性光刻胶的收缩变化较小，当温度较高时，负性光刻胶的收缩变化较小，而正性光刻胶的收缩变化较大。因此，在温度逐步变化时，复合胶层中位于下方的负性光刻胶层率先随着温度的增加而开始收缩，这样就使得复合胶层的开口的面积逐步增加，而复合胶层中位于上方的正性光刻胶层则变化缓慢，此时正性光刻胶层会限制负性光刻胶层的收缩形变，使复合胶层的开口的面积逐步缓慢地增加，从而避免一次性开口过大。当温度增加到临界值时，负性光刻胶层的变化量过小，正性光刻胶层则会随温度的变化而收缩，此时，由正性光刻胶层带动下方的负性光刻胶层继续形变，使开口的面积继续增加，从而进一步提升电极的包覆性。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1是本公开实施例提供的一种发光二极管制备方法的流程图；
[0022]图2是本公开实施例提供的一种发光二极管的制备状态图；
[0023]图3是本公开实施例提供的一种发光二极管的制备状态图；
[0024]图4是本公开实施例提供的一种发光二极管的制备状态图。
[0025]图中各标记说明如下：
[0026]10、衬底；
[0027]20、外延层；21、第一半导体层；22、发光层；23、第二半导体层；24、凹槽；
[0028]30、电极；31、电流阻挡层；32、透明导电层；
[0029]40、复合胶层；41、负性光刻胶层；42、正性光刻胶层；401、第一表面；402、第二表面；403、第三表面；404、第四表面。
具体实施方式
[0030]为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
[0031]除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”、“第三”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管制备方法，其特征在于，所述发光二极管制备方法包括：提供一外延片，所述外延片的表面具有待蒸镀区域；在所述外延片的表面形成复合胶层，所述复合胶层具有露出所述待蒸镀区域的开口，所述复合胶层包括依次层叠的负性光刻胶层和正性光刻胶层；在所述开口中蒸镀形成电极。2.根据权利要求1所述的发光二极管制备方法，其特征在于，所述在所述外延片的表面形成复合胶层包括：在所述外延片的表面涂覆一层负性光刻胶层，对所述负性光刻胶曝光；在所述负性光刻胶的表面涂覆一层正性光刻胶层，对所述正性光刻胶曝光；对所述负性光刻胶层和所述正性光刻胶层显影，去除所述负性光刻胶层和所述正性光刻胶层上与所述待蒸镀区域相对的区域，得到所述复合胶层。3.根据权利要求2所述的发光二极管制备方法，其特征在于，所述正性光刻胶层的厚度小于所述负性光刻胶的厚度。4.根据权利要求2所述的发光二极管制备方法，其特征在于，所述在所述外延片的表面涂覆一层负性光刻胶层包括：基于要形成的所述电极的厚度，在所述外延片的表面涂覆负性光刻胶层，所述负性光刻胶层的厚度不小于所述电极的厚度。5.根据权利要求2所述的发光二极管制备方法，其特征在于，对所述负性光刻胶层显影后，得到的所述负性光刻胶层的第一表面的面积小于第...

【专利技术属性】
技术研发人员：张圣君，冯岩，王聪，王莉，訾孟飞，王江波，梅劲，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：