显示器件及其制备方法技术

本发明专利技术的目的是低成本、高产量制备高可靠性的显示器件。本发明专利技术的显示器件包括：其间插有电致发光层的第一反射电极层和第二透明电极层，其中电致发光层具有含有有机化合物和无机化合物的层，且第一电极层包含含有选自钼、钛和碳中至少一种的铝合金。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
随着具有电致发光(下文也称EL)元件或液晶元件的显示器件的屏幕越来越大、清晰度越来越高，纯铝作为配线材料越来越引入注意，这是由于纯铝具有低电阻且易于加工成配线。但是，纯铝在耐热性上存在问题。在显示器件制备过程中的热处理会在纯铝薄膜表面上产生称为小丘的凸状突起。所述的小丘导致了配线间的短路，产生了缺陷。因而，希望使用具有低电阻、高耐热性且减少小丘的配线材料。添加有另一种元素的铝合金薄膜应运而生(例如，参考1日本专利申请未审公开No.2003-89864)。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种工艺通过使用该工艺，在不使用复杂的工序和设备下，通过使用低电阻和高耐热性的配线材料可以高产量地形成具有高可靠性和良好的电特性的显示器件，所述技术能抑制小丘的产生。在本专利技术中，作为反射电极的第一电极层含有铝合金，所述铝合金含有选自钼、钛和碳中的至少一种或多种。包含含有选自钼、钛和碳中至少一种或多种的铝合金的膜在热处理时几乎不结晶，并且在膜表面上具有良好的平面性。而且，所述膜即使对接近可见光区域内的光也具有高的反射率，因而可以产生高效率的光反射。所述包含含有选自钼、钛和碳中至少一种或多种的铝合金的膜为无毒的并且对人和环境无害，这些都是优点。可以应用本专利技术的显示器件包括发光显示器件，其具有连接至发光元件的TFT，其中含有用于发光即称作电致发光(以下也称为EL)的有机材料或有机材料与无机材料混合物的层设置在电极之间。本专利技术的显示器件包括设置在第一反射电极层上的电致发光层；和设置在电致发光层上的第二透明电极层，其中电致发光层具有含有有机化合物和无机化合物的层，其与第一电极层接触，并且第一电极层含有铝合金，所述铝合金含有选自钼、钛和碳中的至少一种或多种。本专利技术的显示器件包括在第一反射电极层上的透光导电膜；在导电膜上的电致发光层；和在电致发光层上的第二透明电极层，其中电致发光层具有与导电膜接触的、含有有机化合物和无机化合物的层，并且第一电极层含有铝合金，所述铝合金含有选自钼、钛和碳中的至少一种或多种。本专利技术的显示器件包括含有半导体层、栅绝缘层、栅极层、源极层和漏极层的薄膜晶体管；设置在薄膜晶体管上的绝缘层；设置在绝缘层上的夹层膜；设置在夹层膜上的第一反射电极层；以及设置在电致发光层上的第二透明电极层，其中电致发光层具有含有有机化合物和无机化合物的层，其与第一电极层接触，所述夹层膜仅设置在第一电极层的下面，并且第一电极层含有铝合金，所述铝合金含有选自钼、钛和碳中的至少一种或多种。本专利技术的显示器件包括含有半导体层、栅绝缘层、栅极层、源极层和漏极层的薄膜晶体管；设置在薄膜晶体管上的绝缘层；设置在绝缘层上的夹层膜；设置在夹层膜上的第一反射电极层；设置在第一电极层上的透光导电膜；设置在导电膜上的电致发光层；以及设置在电致发光层上的第二透明电极层，其中电致发光层具有与导电膜接触的、含有有机化合物和无机化合物的层，所述夹层膜仅设置在第一电极层的下面，并且第一电极层含有铝合金，所述铝合金含有选自钼、钛和碳中的至少一种或多种。一种制备本专利技术的显示器件的方法，包括下述步骤形成含有铝合金的第一反射电极层，所述铝合金含有选自钼、钛和碳中的至少一种或多种；在第一电极层上形成电致发光层；和在电致发光层上形成第二透明电极层，其中电致发光层形成使得含有有机化合物和无机化合物的层与第一电极层接触。一种制备本专利技术的显示器件的方法，包括下述步骤形成含有铝合金的第一反射电极层，所述铝合金含有选自钼、钛和碳中的至少一种或多种；在第一电极层上形成透光导电膜；在导电膜上形成电致发光层；和在电致发光层上形成第二透明电极层，其中电致发光层形成使得含有有机化合物和无机化合物的层与导电膜接触。一种制备本专利技术的显示器件的方法，包括下述步骤形成含有半导体层、栅绝缘层、栅极层、源极层和漏极层的薄膜晶体管；在薄膜晶体管上形成绝缘层；在绝缘层上形成夹层膜；在绝缘层和夹层膜中形成开口，其延伸至源极层或漏极层；在开口和夹层膜上形成含有选自钼、钛和碳中至少一种或多种的导电膜，使其与源极层或漏极层接触；使导电膜和夹层膜图案化来形成第一反射电极层；在第一电极层上形成电致发光层；并且在电致发光层上形成第二透明电极层，其中电致发光层形成使得含有有机化合物和无机化合物的层与第一电极层接触。一种制备显示器件的方法，包括下述步骤形成含有半导体层、栅绝缘层、栅极层、源极层和漏极层的薄膜晶体管；在薄膜晶体管上形成绝缘层；在绝缘层上形成夹层膜；在绝缘层和夹层膜中形成开口，其延伸至源极层或漏极层；在开口和夹层膜上形成含有选自钼、钛和碳中至少一种或多种的第一导电膜，使其与源极层或漏极层接触；在第一导电膜上形成第二导电膜；使第一导电膜、第二导电膜和夹层膜图案化来形成第一反射电极层；在第一电极层上形成电致发光层；和在电致发光层上形成第二透明电极层，其中电致发光层形成使得含有有机化合物和无机化合物的层与第一电极层接触。通过使用本专利技术可以制备出高可靠性的显示器件。因而，可以高产量的制备高清晰度和高图像质量的显示器件。附图说明图1A和1B分别显示了本专利技术的显示器件。图2A-2D显示了本专利技术显示器件的制备方法。图3A-3C显示了本专利技术显示器件的制备方法。图4A和4B显示了本专利技术显示器件的制备方法。图5A-5C显示了本专利技术显示器件的制备方法。图6A和6B显示了本专利技术显示器件的制备方法。图7A和7B显示了本专利技术的显示器件。图8A和8B显示了本专利技术显示器件的制备方法。图9显示了本专利技术的显示器件。图10显示了本专利技术的显示器件。图11显示了本专利技术的显示器件。图12显示了本专利技术的显示器件。图13A-13C显示了本专利技术的显示器件。图14显示了图15中的显示器件的等效电路的示意图。图15显示了本专利技术的显示器件。图16A-16C分别显示了本专利技术显示器件的顶视图。图17A和17B分别显示了本专利技术显示器件的顶视图。图18A和18B分别显示了可应用于本专利技术的发光元件的结构。图19A-19D为应用本专利技术的电子设备。图20A和20B为应用本专利技术的电子设备。图21A和21B为应用本专利技术的电子设备。图22为应用本专利技术的电子设备。图23A-23C分别为实施方案1的样品的试验数据的曲线图。图24A和24B分别为实施方案1的样品的试验数据的曲线图。图25A和25B分别为实施方案1的样品的试验数据的曲线图。图26显示了可应用于本专利技术的滴注法。图27为应用本专利技术的电子设备的主要结构的框图。具体实施例方式本专利技术的实施方式和实施例将参照附图进行具体的描述。但是，本专利技术不限于下面的描述，并且本领域技术人员容易理解在不脱离本
技术实现思路
和范围内，可以对本专利技术作出各种变化和修改。因而，本专利技术将通过下述非限定性的实施方式和实施例的描述得到解释。需要注意的是，在下述本专利技术的结构中，不同附图中相同的参照数字表示相同的部分或者具有相似功能的部分，且注释不会再重复。本实施方式的显示器件将参照图1A和1B进行描述。如图1A和1B所示，根据本实施方式的显示器件为顶端发光的显示器件，其中光从密封基底透出。图1A和1B的显示器件为具有不同结构的发光元件的实例。图1A中的显示器件包括在基底600上的基膜601a、基膜601b、薄膜晶体管605、栅绝缘层602、绝缘层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示器件，包括：形成在基底上的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括半导体层、栅绝缘层、栅极，以及源极和漏极中的至少一种；和与所述源极和漏极中的至少一种电连接的发光元件，其中所述发光元件包括其间插有电致发光层的第一电极和第二电极，并且其中第一电极包含铝和选自钼、钛和碳中的至少一种。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：秋元健吾，丸山穗高，曾根宽人，池田寿雄，坂田淳一郎，濑尾哲史，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]