一种套刻标记的筛选方法、可读存储介质及程序产品技术

本发明专利技术涉及计算光刻技术领域，特别涉及一种套刻标记的筛选方法、可读存储介质及程序产品，套刻标记的筛选方法包含以下步骤：获取待筛选套刻标记的特征参数；获取套刻测量的光学参数，并根据光学参数建立光学模型；将特征参数带入光学模型并设定至少两个在预设范围内的套刻误差，再仿真计算出待筛选套刻标记的非对称性结果；将套刻误差与非对称性结果进行直线拟合计算，得到拟合结果；根据拟合结果对待筛选套刻标记进行筛选。本发明专利技术提供的套刻标记的筛选方法可筛选出容易出现较大测量误差的套刻标记。套刻标记。套刻标记。

【技术实现步骤摘要】
一种套刻标记的筛选方法、可读存储介质及程序产品


[0001]本专利技术涉及计算光刻
，其特别涉及一种套刻标记的筛选方法、可读存储介质及程序产品。

技术介绍

[0002]在集成电路制造工艺中，套刻代表两层工艺层之间的对准关系，要求套刻误差应小于关键尺寸的1/3。随着光刻工艺节点的不断提升，关键尺寸不断减小，意味着对套刻误差的要求愈发严格。在光刻流程中，通过对套刻误差进行实时测量和反馈，实现套刻误差的控制。套刻误差的准确测量是套刻误差控制的基本前提。
[0003]套刻测量结果的鲁棒性和灵敏度等性能均与套刻标记的特征的密切相关，套刻标记的设计是准确测量套刻误差的基础。实际筛选过程中，需要对大量不同特征的套刻标记进行仿真计算，根据仿真计算结果进行排序，优选能满足工艺需求的套刻标记。
[0004]仿真计算的结果是代表套刻测量的相关指标。例如k值，代表测量结果对套刻误差变化的敏感性。但是当下以k为代表的套刻标记筛选指标，无法识别容易造成较大测量误差的套刻标记。

技术实现思路

[0005]在为了解决传统方法无法识别容易造成较大测量误差的套刻标记的问题，本专利技术提供一种套刻标记的筛选方法、可读存储介质及程序产品。
[0006]本专利技术为解决上述技术问题，提供如下的技术方案：一种套刻标记的筛选方法，所述套刻标记的筛选方法包含以下步骤：获取待筛选套刻标记的特征参数；获取套刻测量的光学参数，并根据所述光学参数建立光学模型；将所述特征参数带入所述光学模型并设定至少两个在预设范围内的套刻误差，再仿真计算出所述待筛选套刻标记的非对称性结果；将所述套刻误差与所述非对称性结果进行直线拟合计算，得到拟合结果；根据所述拟合结果对所述待筛选套刻标记进行筛选。
[0007]优选地，所述拟合结果包括拟合直线的截距与斜率的比值和/或拟合直线的相关性指标。
[0008]优选地，所述套刻误差的数量为两个。
[0009]优选地，根据所述拟合结果对所述待筛选套刻标记进行筛选包括以下步骤：当所述套刻误差的数量为两个时，依据所述拟合直线的截距与斜率的比值对所述待筛选套刻标记进筛选；当所述套刻误差的数量大于两个时，依据所述拟合直线的相关性指标和/或截距与斜率的比值对所述待筛选套刻标记进行筛选。
[0010]优选地，当所述拟合直线的截距与斜率的比值大于预设的第一阈值时和/或所述相关性指标小于预设的第二阈值时，筛选出所述拟合直线对应的所述套刻标记。
[0011]优选地，所述预设范围为0~40nm。
[0012]优选地，将所述套刻误差与所述非对称性结果进行直线拟合计算获得如下直线方
程：Asy = slope*overlay + intercept；其中，Asy为非对称性结果、overlay为设定的套刻误差，slope与intercept分别对应拟合直线的斜率以及截距。
[0013]优选地，所述特征参数包括膜层厚度、膜层材料、图形尺寸、图形参数、切分参数；所述光学参数包括光源类型、波长和其他参数。
[0014]本专利技术为解决上述技术问题，提供又一技术方案如下：一种可读存储介质，其上存储有计算机程序指令，所述计算机程序指令被执行时实现如上述套刻标记的筛选方法的步骤。
[0015]本专利技术为解决上述技术问题，提供又一技术方案如下：一种程序产品，包括计算机程序指令，所述计算机程序指令被执行时实现如上述方法的步骤。
[0016]与现有技术相比，本专利技术所提供的一种套刻标记的筛选方法，具有如下的有益效果：1.本专利技术第一实施例提供一种套刻标记的筛选方法，包含以下步骤：获取待筛选套刻标记的特征参数；获取套刻测量的光学参数，并根据光学参数建立光学模型；将特征参数带入光学模型并设定至少两个在预设范围内的套刻误差，再仿真计算出待筛选套刻标记的非对称性结果；将套刻误差与非对称性结果进行直线拟合计算，得到拟合结果；根据拟合结果对待筛选套刻标记进行筛选。可以理解地，套刻标记的非对称性结果可以用来反映套刻标记在曝光过程中产生的套刻误差，通过将非对称性结果与套刻误差做直线拟合，可根据拟合的结果来判断哪些套刻标记在预设的工艺条件下，容易产生较大测量误差，应理解，相比于真实的曝光过程，拟合的情况可看理想条件，若某些套刻标记在理想条件下都可拟合计算出较大的测量误差，那么在真实的工艺过程中，则更加容易出现较大的测量误差。可见，本专利技术第一实施例提供的一种套刻标记的筛选方法通过直线拟合的方式筛选出在真实曝光过程中容易出现较大测量误差的套刻标记，一方面无需通过真实的曝光过程来判断哪些套刻标记会在曝光后产生较大的测量误差，提高了工艺的良品率，同时也缩减了成本；另一方面，该方法可在短时间内对大量的套刻标记进行筛选，提升了工艺流程的效率。
[0017]2.本专利技术第一实施例提供一种套刻标记的筛选方法中，拟合结果包括拟合直线的截距与斜率的比值和/或拟合直线的相关性指标。应理解，拟合直线的相关性指标、截距与斜率的比值均与计算误差相关，计算误差即对应真实工艺流程中的测量误差，相关性指标越大，则计算误差越小；截距与斜率的比值越小，则计算误差越小。可见，计算误差与拟合直线的相关性指标、截距与斜率的比值正相关或负相关，通过这评价这两项指标判断出计算误差的大小。
[0018]3.本专利技术第一实施例提供一种套刻标记的筛选方法中，套刻误差的数量为两个。应理解，拟合一条直线至少需要两个点，拟合的点越多，拟合的直线也就越准确，但是相应的，也会增加拟合仿真过程的时间，因此，只设置两个套刻误差可在保证拟合条件的情况下，缩短仿真过程的时间，提高筛选的效率。
[0019]4.本专利技术第一实施例提供一种套刻标记的筛选方法中，根据拟合结果对待筛选套刻标记进行筛选包括以下步骤：当套刻误差的数量为两个时，依据拟合直线的截距与斜率的比值对待筛选套刻标记进筛选；当套刻误差的数量大于两个时，依据拟合直线的相关性
指标和/或截距与斜率的比值对待筛选套刻标记进行筛选。可以理解地，拟合直线的相关性指标越大，计算误差越小；拟合直线的截距与斜率的比值越小，计算误差越小。当只通过两个点来进行拟合时，评价直线的相关性指标没有意义，因此仅通过评价截距与斜率的比值来判断计算误差的大小；当套刻误差的数量超过两个时，可通过相关性指标和截距与斜率的比值来评价计算误差。可见，上述方式更加灵活，实用性更强。
[0020]5.本专利技术第一实施例提供一种套刻标记的筛选方法中，当拟合直线的截距与斜率的比值大于预设的第一阈值时和/或相关性指标小于预设的第二阈值时，筛选出拟合直线对应的套刻标记。可以理解地，本专利技术第一实施例提供的套刻标记的筛选方法的目的是筛选出容易出现较大测量误差的套刻标记，那么在不同工艺流程中，对测量误差的大小的评价标准不一定相同，因此，可通过预设的第一阈值和第二阈值来灵活地调整筛选的标准，以满足不同工艺流程下的筛选任务。
[0021]6.本专利技术第一实施例提供一种套刻标记的筛选方法中，预设范围为0~40nm。可以理解地，较大范围的套刻误差在实际生产过程中不容易出现，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种套刻标记的筛选方法，其特征在于：所述套刻标记的筛选方法包含以下步骤：获取待筛选套刻标记的特征参数；获取套刻测量所需的光学参数，并根据所述光学参数建立光学模型；将所述特征参数代入所述光学模型并设定至少两个在预设范围内的套刻误差，再仿真计算出所述待筛选套刻标记的非对称性结果；将所述套刻误差与所述非对称性结果进行直线拟合计算，得到拟合结果；根据所述拟合结果对所述待筛选套刻标记进行筛选。2.如权利要求1所述的套刻标记的筛选方法，其特征在于：所述拟合结果包括拟合直线的截距与斜率的比值和/或拟合直线的相关性指标。3.如权利要求2所述的套刻标记的筛选方法，其特征在于：所述套刻误差的数量为两个。4.如权利要求2所述的套刻标记的筛选方法，其特征在于：根据所述拟合结果对所述待筛选套刻标记进行筛选包括以下步骤：当所述套刻误差的数量为两个时，依据所述拟合直线的截距与斜率的比值对所述待筛选套刻标记进筛选；当所述套刻误差的数量大于两个时，依据所述拟合直线的相关性指标和/或截距与斜率的比值对所述待筛选套刻标记进行筛选。5.如权利要求4所述的套刻标记的筛选方法，其特征在于：当所述拟合直线的截距与斜...

【专利技术属性】
技术研发人员：管小飞，
申请(专利权)人：东方晶源微电子科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：