本发明专利技术涉及的有机电致发光元件，其特征在于，在阳极与阴极之间至少具有含磷光性化合物的发光层的有机电致发光元件中，在上述发光层与上述阴极之间，具有与上述发光层相邻的邻接层，在该邻接层中含有ＨＯＭＯ为－５．７ｅＶ～－７．０ｅＶ、ＬＵＭＯ为－１．３～－２．３ｅＶ且具有吸电子基的化合物。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及的化合物，优选分子量450～1500。由此可以更加得到本专利技术的效果。下面的30的合成法作为上述化合物合成法的例子。把2，2-双(4-氨基苯基)-六氟丙烷2.0g与3，5-双(三氟甲基)碘苯8.0g，以醋酸钯与三叔丁基膦作为催化剂，在二甲苯溶剂中，用叔丁醇钠作为碱，搅拌加热8小时。反应终止后，添加乙酸乙酯与四氢呋喃与水，萃取有机层。用硫酸镁进行干燥，减压蒸出溶剂后用柱色谱法精制后，用乙腈重结晶，得到2.2g的30。本专利技术涉及的发光层含有磷光性化合物。由此，可以得到高的发光效率。本专利技术涉及的发光层中含有的磷光性化合物，可从有机EL元件的发光层中使用的公知的磷光性化合物中适当选择使用。例如，特开2001-247859号说明书中列举的铱配位化合物或WO 00/70655号说明书第16～18页中列举的用化学式表示的，例如三(2-苯基吡啶)铱等或锇配位化合物，或2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21H，23H-卟啉铂配位化合物等铂配位化合物也可以作为掺杂物。通过用该磷光性化合物作为掺杂物，可以实现内部量子效率高的发光有机EL元件。作为本专利技术中使用的磷光性化合物，优选含元素周期表8族金属的配位化合物，更优选铱化合物、锇化合物或铂化合物(铂的配位化合物)、稀土类配位化合物，其中，最优选铱化合物。下面示出本专利技术中使用的磷光性化合物的具体例子，但又不限于这些。这些化合物，可采用例如Inorg.Chem.，40卷，1704～1711中记载的方法等进行合成。 (CF3CF2CF2COO-)2 此外，还可以举出，例如J.Am.Chem.Soc.，123卷4304～4312页(2001年)、WO 00/70655号、WO 02/15645号、特开2001-247859号、特开2001-345183号、特开2002-117978号、特开2002-170684号、特开2002-203678号、特开2002-235076号、特开2002-302671号、特开2002-324679号、特开2002-332291号、特开2002-332292号、特开2002-338588号等中记载的通式中举出的铱配位化合物或作为具体例子举出的铱配位化合物，特开2002-8860号记载的式(IV)表示的铱配位化合物等。本专利技术涉及的磷光性化合物，溶液中磷光量子收率在25℃为0.001以上，优选0.01以上，更优选0.1以上。磷光量子收率，按照第4版实验化学讲座7的分光II的398页(1992年版，丸善)中记载的方法进行测定。在本专利技术中，在含磷光性化合物的发光层与阴极之间存在，在与发光层相邻的邻接层中，含有满足HOMO为-5.7eV～7.0V、LUMO为-1.3～-2.3eV且具有吸电子基的化合物，通常该邻接层，在有机EL元件中相当于下述电子输送层或空穴阻止层。与发光层相邻的空穴阻止层或电子输送层，既具有输送电子的功能，又具有阻止从发光层移动的空穴到达阴极的作用，特别是与含有磷光性化合物的发光层相邻的这些层中含有满足HOMO为-5.7eV～-7.0eV、LUMO为-1.3～-2.3eV且具有吸电子基的化合物，借此可更进一步提高阻止从含有磷光性化合物的发光层移动的空穴到达阴极的作用，制成具有高的发光强度、发光效率，及长寿命的有机EL元件。其次，对本专利技术的有机EL元件的构成层进行更详细地说明。在本专利技术中，有机EL元件的层结构的优选具体例子如下所示，本专利技术对此未作特别限定。(i)阳极/发光层/电子输送层/阴极(ii)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极(iii)阳极/空穴输送层/发光层/空穴阻止层/电子输送层/阴极(iv)阳极/空穴输送层/发光层/空穴阻止层/电子输送层/阴极缓冲层/阴极(v)阳极/阳极缓冲层/空穴输送层/发光层/空穴阻止层/电子输送层/阴极缓冲层/阴极 (阳极)作为有机EL元件中的阳极，优选的可以采用功率函数大的(4eV以上)金属、合金、导电性化合物及这些的混合物作为电极物质。作为该电极物质的具体例子，可以举出Au等金属、CuI、氧化铟锡(ITO)、SnO2、ZnO等导电性透明材料。另外，IDIXO(In2O3-ZnO)等非晶质，也可用作制造透明导电膜的材料。阳极，把这些电极物质采用蒸镀或溅射等方法，形成薄膜，采用光刻法形成所希望图案也可以，或在不要求很精的图案时(100μm以上程度)，在上述电极物质蒸镀或溅射时通过所希望形状的掩模形成图像也可以。当以该阳极发出发光时，希望透过率大于10％，另外，阳极的薄膜电阻为数百Ω/□以下是优选的。另外，膜厚也取决于材料，通常为10～1000nm，优选10～200nm的范围。(阴极)另一方面，作为阴极，可以采用功率函数小的(4eV以下)金属(称作电子注入性金属)、合金、导电性化合物及这些的混合物作为电极物质。作为这种电极物质的具体例子，可以举出钠、钠-钾合金、镁、锂、镁/铜混合物、镁/银混合物、镁/铝混合物、镁/铱混合物、铝/氧化铝(Al2O3)混合物、稀土类金属等。这些之中，从对电子注入性及氧化等的耐久性观点考虑，电子注入性金属与比其功率函数大的稳定金属的第二金属的混合物，例如镁/银混合物、镁/铝混合物、镁/铱混合物、铝/氧化铝(Al2O3)混合物、锂/铝混合物、铝等是合适的。阴极，把这些电极物质采用蒸镀或溅射等方法，形成薄膜而制成的。另外，阳极的薄膜电阻为数百Ω/□以下是优选的。膜厚通常在10nm～5μm，优选50～200nm的范围内选择偶。还有，为了透过发出的光，有机EL元件的阳极或阴极的任一个，只要是透明或半透明即可，如果可以提高发光亮度，均是合适的。另外，采用上述金属1～20nm膜厚制作阴极后，采用阳极说明中列举的导电性透明材料在其上制作，可以制成透明的或半透明的阴极，与其相对应的是，可以制成阳极与阴极两者均具有透过性的元件。下面对用作本专利技术的有机EL元件构成层的注入层、阻止层、电子输送层加以说明。<缓冲层>阴极缓冲层、阳极缓冲层注入层是根据需要设置，具有阴极缓冲层(电子注入层)与阳极缓冲层(空穴注入层)，在上述那样的阳极与发光层或空穴输送层之间，以及在阴极与发光层或电子输送层之间存在。所谓缓冲层，为了降低驱动电压及提高发光亮度，设置在电极与有机层间的层，在《有机EL元件及其工业化最前线》(1998年11月30日エヌ·テイ一·エス社发行)的第2编第2章“电极材料”(123～166页)作了详细记载，有阳极缓冲层与阴极缓冲层。阳极缓冲层(空穴注入层)，在特开平9-45479号、特开平9-260062号、特开平8-288069号等中也有详细记载，作为具体例子，可以举出酞菁铜为代表的酞菁缓冲层、以氧化钯为代表的氧化物缓冲层、无定形炭缓冲层、采用聚苯胺(エメラルデイン)及聚噻吩等导电性高分子的高分子缓冲层等。阴极缓冲层(电子注入层)，在特开平6-325871号、特开平9-17574号、特开平10-74586号等中也有详细记载，具体的可以举出以锶及铝为代表的金属缓冲层、以氟化锂为代表的碱金属化合物缓冲层、以氟化镁为代表的碱土金属化合物缓冲层、以氧化铝为代表的氧化物缓冲层等。上述缓冲层(注入层)希望是特别薄的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种有机电致发光元件，其特征在于，在阳极与阴极之间至少具有含磷光性化合物的发光层的有机电致发光元件中，在上述发光层与上述阴极之间，具有与上述发光层相邻的邻接层，在该邻接层中含有ＨＯＭＯ为－５．７ｅＶ～－７．０ｅＶ、ＬＵＭＯ为－１．３～－２．３ｅＶ且具有吸电子基的化合物。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：押山智宽，北弘志，加藤荣作，
申请(专利权)人：柯尼卡美能达控股株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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