有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光装置制造方法及图纸

披露了一种有机发光二极管(OLED)和一种包括该OLED的有机发光装置，该OLED包括设置在两个电极之间的至少一个发光材料层(EML)，并且所述至少一个发光材料层(EML)包括被至少一个吸电子基团取代的嘧啶基有机化合物的第一化合物和具有并四苯基核的有机化合物的第二化合物。第一化合物和第二化合物可以是相同的发光材料层或相邻设置的发光材料层。OLED可以通过调整第一化合物和第二化合物之间的能级来利用第一化合物和第二化合物的优点来降低其驱动电压并提高其发光效率。其驱动电压并提高其发光效率。其驱动电压并提高其发光效率。

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年9月16日在韩国提交的韩国专利申请第10
‑
2021
‑
0123976号的权益，通过引用将上述专利申请的整体内容并入本申请。


[0003]本公开内容涉及一种有机发光二极管，且更具体地，涉及一种具有优异发光特性的有机发光二极管和具有该有机发光二极管的有机发光装置。

技术介绍

[0004]随着显示装置的大型化，需要一种具有较低间距占用的平板显示装置。在平板显示装置中，使用有机发光二极管(OLED)的显示装置已成为焦点。
[0005]OLED可以形成为厚度小于的薄膜，并且可以实现单向或双向图像作为电极配置。此外，OLED可以形成在诸如塑料基板的柔性透明基板上，从而OLED可以容易地实现柔性或可折叠显示器。此外，OLED与LCD(液晶显示装置)相比具有优势，例如，OLED可以在10V以下的较低电压下驱动，并且具有非常高的色纯度。
[0006]在OLED中，当电荷注入电子注入电极(即，阴极)与空穴注入电极(即，阳极)之间的发光材料层时，电荷重组以形成激子，然后随着重组激子转移到稳定的基态而发光。
[0007]现有技术的荧光材料显示出低发光效率，因为仅单重态激子参与其发光过程。与荧光材料相比，其中三重态激子以及单重态激子参与发光过程的磷光材料具有较高的发光效率。然而，作为代表性磷光材料的金属络合物的发光寿命太短，无法应用于商业装置。/>
技术实现思路

[0008]因此，本公开内容的实施方式涉及OLED和包括该OLED的有机发光装置，其基本上避免了由于现有技术的限制和缺点而产生的一个或多个问题。
[0009]本公开内容的一个方面是提供一种能够提高发光效率、色纯度和发光寿命的OLED以及包括该OLED的有机发光装置。
[0010]在下面的描述中将列出附加的特征和优点，这些特征和优点的一部分根据说明书将变得显而易见，或者可通过实践本文提供的专利技术构思而获知。本专利技术构思的其他特征和方面可以通过在书面描述中具体指出的或从其得出的结构、以及其权利要求以及附图来实现和获得。
[0011]为了实现本专利技术构思的这些和其他方面，如具体和广泛地描述的，一种有机发光二极管包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；和发光层，所述发光层设置在第一电极和第二电极之间并且包括至少一个发光材料层，其中所述至少一个发光材料层包括第一化合物和第二化合物，并且其中所述第一化合物具有以下式1的结构且所述第二化合物具有以下式5的结构：
[0012][式1][0013][0014]其中，在式1中，
[0015]R1和R2各自独立地为未取代或取代的C6‑
C
30
芳基、或未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基；
[0016]R3至R5各自独立地为氢、氕、氘、氚、未取代或取代的C1‑
C
20
烷基、未取代或取代的C6‑
C
30
芳基、或未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基，当n为2或更大的整数时，各R3彼此相同或不同，当p为2或更大的整数时，各R4彼此相同或不同，并且当q为2或更大的整数时，各R5彼此相同或不同；
[0017]可选地，
[0018]当n为2或更大的整数时连接R3的两个相邻元素、当p为2或更大的整数时连接R4的两个相邻元素、和/或当q为2或更大的整数时连接R5的两个相邻元素形成未取代或取代的C6‑
C
20
芳环或者未取代或取代的C3‑
C
20
杂芳环；
[0019]X为单键、CR6R7、NR6、O或S，其中R6和R7各自独立地为氢、氕、氘、氚、未取代或取代的C1‑
C
20
烷基、未取代或取代的C6‑
C
30
芳基、或未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基；
[0020]Z1至Z3中的两个为N，Z1至Z3中的另一个为CR8，其中R8为
‑
CN；
[0021]Ar是未取代或取代的C6‑
C
30
芳撑基、或未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳撑基；
[0022]m为1至4的整数；
[0023]n为0至10的整数；和
[0024]p和q各自独立地为0至4的整数，
[0025][式5][0026][0027]其中，在式5中，
[0028]R
31
至R
36
各自独立地为氢、氕、氘、氚、未取代或取代的C1‑
C
20
烷基、未取代或取代的
C6‑
C
30
芳基、或未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基，当r为2或更大的整数时，各R
31
彼此相同或不同，当s为2或更大的整数时，各R
32
彼此相同或不同，当t为2或更大的整数时，各R
33
彼此相同或不同，当u为2或更大的整数时，各R
34
彼此相同或不同，当v为2或更大的整数时，各R
35
彼此相同或不同，当w为2或更大的整数时，各R
36
彼此相同或不同；
[0029]Ar1至Ar4各自独立地为未取代或取代的C6‑
C
30
芳基、或未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基；
[0030]r、s、t和u各自独立地为0至10的整数；以及
[0031]v和w各自为0至4的整数。
[0032]作为示例，第一化合物的最低未占分子轨道(LUMO)能级和第二化合物的LUMO能级可满足以下方程式(1)中的关系：
[0033]LUMO
FD
≥LUMO
DF
ꢀꢀꢀꢀꢀ
(1)
[0034]其中LUMO
FD
是第二化合物的LUMO能级并且LUMO
DF
是第一化合物的LUMO能级。
[0035]或者，第一化合物的最高占据分子轨道(HOMO)能级和第二化合物的HOMO能级可满足以下方程式(2)中的关系：
[0036]HOMO
FD
≥HOMO
DF
ꢀꢀꢀꢀꢀ
(2)
[0037]其中HOMO
FD
是第二化合物的HOMO能级并且HOMO
DF
是第一化合物的HOMO能级。
[0038]作为示例，第一化合物可具有满足以下方程式(3)中的关系的HOMO能级和LUMO能级之间的能带间隙：
[0039]2.0eV≤Eg
DF
≤3.0eV本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；和发光层，所述发光层设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括至少一个发光材料层，其中所述至少一个发光材料层包括第一化合物和第二化合物，并且其中所述第一化合物具有以下式1的结构且所述第二化合物具有以下式5的结构：[式1]其中，在式1中，R1和R2各自独立地为未取代或取代的C6‑
C
30
芳基、或未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基；R3至R5各自独立地为氢、氕、氘、氚、未取代或取代的C1‑
C
20
烷基、未取代或取代的C6‑
C
30
芳基、或未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基，当n为2或更大的整数时，各R3彼此相同或不同，当p为2或更大的整数时，各R4彼此相同或不同，并且当q为2或更大的整数时，各R5彼此相同或不同；可选地，当n为2或更大的整数时连接R3的两个相邻元素、当p为2或更大的整数时连接R4的两个相邻元素、和/或当q为2或更大的整数时连接R5的两个相邻元素形成未取代或取代的C6‑
C
20
芳环或者未取代或取代的C3‑
C
20
杂芳环；X为单键、CR6R7、NR6、O或S，其中R6和R7各自独立地为氢、氕、氘、氚、未取代或取代的C1‑
C
20
烷基、未取代或取代的C6‑
C
30
芳基、或未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基；Z1至Z3中的两个为N，Z1至Z3中的另一个为CR8，其中R8为
‑
CN；Ar是未取代或取代的C6‑
C
30
芳撑基、或未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳撑基；m为1至4的整数；n为0至10的整数；和p和q各自独立地为0至4的整数，[式5]
其中，在式5中，R
31
至R
36
各自独立地为氢、氕、氘、氚、未取代或取代的C1‑
C
20
烷基、未取代或取代的C6‑
C
30
芳基、或未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基，当r为2或更大的整数时，各R
31
彼此相同或不同，当s为2或更大的整数时，各R
32
彼此相同或不同，当t为2或更大的整数时，各R
33
彼此相同或不同，当u为2或更大的整数时，各R
34
彼此相同或不同，当v为2或更大的整数时，各R
35
彼此相同或不同，当w为2或更大的整数时，各R
36
彼此相同或不同；Ar1至Ar4各自独立地为未取代或取代的C6‑
C
30
芳基、或未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基；r、s、t和u各自独立地为0至10的整数；以及v和w各自独立地为0至4的整数。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一化合物的最低未占分子轨道(LUMO)能级和所述第二化合物的LUMO能级满足以下方程式(1)中的关系：LUMO
FD
≥LUMO
DF
ꢀꢀꢀꢀꢀ
(1)其中LUMO
FD
是所述第二化合物的LUMO能级并且LUMO
DF
是所述第一化合物的LUMO能级。3.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一化合物的最高占据分子轨道(HOMO)能级和所述第二化合物的HOMO能级满足以下方程式(2)中的关系：HOMO
FD
≥HOMO
DF
ꢀꢀꢀꢀꢀ
(2)其中HOMO
FD
是所述第二化合物的HOMO能级并且HOMO
DF
是所述第一化合物的HOMO能级。4.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一化合物具有满足以下方程式(3)中的关系的能带间隙：2.0eV≤Eg
DF
≤3.0eV
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(3)其中Eg
DF
是所述第一化合物的HOMO能级和LUMO能级之间的能带间隙。5.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一化合物具有以下式2的结构：[式2]
其中，在式2中，R3、R4、R5、R
11
和R
12
各自独立地为氢、氕、氘、氚、未取代或取代的C1‑
C
20
烷基、未取代或取代的C6‑
C
30
芳基、或未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基，当j为2或更大的整数时，各R
11
彼此相同或不同，当k为2或更大的整数时，各R
12
彼此相同或不同，当n为2或更大的整数时，各R3彼此相同或不同，当p为2或更大的整数时，各R4彼此相同或不同，并且当q为2或更大的整数时，各R5彼此相同或不同；可选地，当j为2或更大的整数时连接R
11
的两个相邻元素、当k为2或更大的整数时连接R
12
的两个相邻元素、当n为2或更大的整数时连接R3的两个相邻元素、当p为2或更大的整数时连接R4的两个相邻元素、和/或当q为2或更大的整数时连接R5的两个相邻元素形成未取代或取代的C6‑
C
20
芳环或者未取代或取代的C3‑
C
20
杂芳环；X为单键、CR6R7、NR6、O或S，其中R6和R7各自独立地为氢、氕、氘、氚、未取代或取代的C1‑
C
20
烷基、未取代或取代的C6‑
C
30
芳基、或未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基；j和k各自独立地为0至5的整数；m为1至4的整数；n为0至3的整数；和p和q各自独立地为0至4的整数。6.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一化合物具有以下式3的结构：[式3]
其中，在式3中，R
11
至R
13
各自独立地为氢、氕、氘、氚、未取代或取代的C1‑
C
20
烷基、未取代或取代的C6‑
C
30
芳基、或未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基，当j为2或更大的整数时，各R
11
彼此相同或不同，当k为2或更大的整数时，各R
12
彼此相同或不同，并且当n为2或更大的整数时，各R3彼此相同或不同；R
14
至R
17
各自独立地为氢、氕、氘、氚、未取代或取代的C1‑
C
20
烷基、未取代或取代的C6‑
C
30
芳基、或未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基；R
21
至R
24
各自独立地为氢、氕、氘、氚、未取代或取代的C1‑
C
20
烷基、未取代或取代的C6‑
C
30
芳基、或未取代或取代的C3‑
C
30
杂芳基，或者R
21
至R
24
中的两个相邻基团形成未取代或取代的C6‑
C
20
芳环或未取代或取代的C3‑
C
20
杂芳环，其中R
21
至R...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪太良，金东荣，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：