可有效率地对有机发光二极管矩阵的电容充电的方法技术

先对连接于有机发光二极管单元的行数据线预先充电一段时间后再使该行数据线对该有机发光二极管单元充电，以使得该有机发光二极管单元的电容可以确实地充电至预期的数据电压，而不会有因充电时间不足造成有机发光二极管面板未确实反应数据电压的变动的情形。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种对电容充电的方法，特指一种。
技术介绍
在一般的显示器面板中，当驱动用的集成电路需写入数据电压至显示器面板所包含的各像素时，由该驱动用的集成电路延伸至各像素的行数据线可直接视为电容。而每一像素接收驱动用的集成电路所发出的数据电压的过程中，需要对被视为电容的各行数据线加以充电与放电以使得显示器面板所包含的各像素可依照驱动用的集成电路所发出的数据电压正确的工作。请参阅图1与图2。图1为先前技术的有机发光二极管显示器包含的电路中的行像素单元100与数据集成电路123的示意图。图2为应用于图1的行像素单元100的波形示意图。如图1所示，行像素单元100包含多个像素单元101、漏极电压源103、源极电压源105、参考电压源107、行数据线117、与一组列扫描线119。像素单元101包含用来当作控制晶体管的N型金属氧化物半导体(NMOS)109；电容111，其第一端耦合于N型金属氧化物半导体109的源极；P型金属氧化物半导体113，其栅极耦合于N型金属氧化物半导体的源极；以及二极管115，其第一端耦合于P型金属氧化物半导体113的漏极。漏极电压源103是与像素单元101耦合于二极管115的第二端。源极电压源105是与像素单元101耦合于P型金属氧化物半导体113的源极。参考电压源107是与像素单元101耦合于电容107的第二端。行数据线117是与行像素单元100所包含的每一像素单元101耦合于N型金属氧化物半导体109的漏极。每一列扫描线119是与像素单元101耦合于N型金属氧化物半导体109的栅极，图1中只图标该组列扫描线119所包含的列扫描线Scan N、Scan N+1、Scan N+2、与Scan N+3。该电路还包含数据集成电路123，耦合于行像素单元100所包含的每一行数据线117，并用来提供行数据线117所使用的数据电压。图2的波形示意图中，「扫描脉波」为该组列扫描线119所使用的波形，且「数据内容」为传输至行数据线117的数据。由图1与图2可知，当图2的数据不断地输入行像素单元100时，该组列扫描线119包含的每一列扫描线将轮流地被致能来开启N型金属氧化物半导体109，并藉此在单一扫描周期内更新每一像素单元101由行数据线117所接收的数据。但是由于随着液晶显示器面板的尺寸的增加，其电路负荷也将增加，因此在对应于每一列扫描线119的扫描周期中，像素单元101的电压未必能够达到输入的行数据线117的数据电压，意即像素单元101的电压未必能够与输入的行数据线117的数据电压同步。此是因扫描信号周期未必能与增加的液晶显示器面板尺寸同步调整，因而造成像素单元101所接收的数据电压常在未能充电至所输入的数据电压的电压值时，扫描周期就已结束，而无法继续充电至所输入的数据电压的电压值。一种可短期地解决此问题的技术为加厚液晶显示面板中金属导线间绝缘层的厚度，并加厚行数据线的金属导线厚度，以使得各导线的电容与电阻得以减少而降低电路负荷，加快像素单元充电与放电的反应速度以使得像素单元所接收的数据电压可与行数据线所提供的数据电压同步。但是随着有机发光二极管器面板的尺寸逐渐加大，此种用来增加导线厚度与绝缘层厚度来提高像素单元充电的反应速度的方法也将碰到瓶颈，因为导线厚度与绝缘层厚度并不可能无限度的增加来配合像素单元充电与放电的反应速度。请参阅图3与图4。图3为美国专利第6,809,719号所揭露的用来实现薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT LCD)的电路配置图。图4为用来实现图3所示的电路所使用的波形示意图。如图3的电路所示，每一三重列单元51T包含第一列单元50F、第二列单元50S、以及第三列单元50T，且三重列单元51T所包含的各列单元皆由相对应的列扫描线驱动器51所驱动。在同一行单元50C中，每一第一列单元50F所包含的控制晶体管52皆耦合于第一行数据线59F，每一第二列单元50S所包含的控制晶体管52皆耦合于第二行数据线59S，且每一第三列单元50T所包含的控制晶体管52皆耦合于第三行数据线59T。每一行单元50C皆包含一组对应的行数据线59F、59S、与59T，且行数据线59F、59S、与59T皆有其对应的行数据线驱动器。如图4的波形示意图所示，S(N)为对应于一三重列单元51T的一列扫描线驱动器51的输出状态波形，且S(N+1)为对应于一与S(N)对应的三重列单元51相邻的另一三重列单元51T的一列扫描线驱动器51的输出状态波形。由图4可知，当一三重列单元51T的有效扫描周期结束后，将立即进行另一相邻的三重列单元51T的有效扫描周期，但当一三重列单元51T结束其有效扫描周期时，其包含的各电容可能尚未充电至其欲表现的数据电压，因此造成输出信号的错误。当此种输出信号的错误在不同的三重列单元51T累加之后，所造成的误差将难以估计。此外，由于图3的电路是应用于薄膜晶体管液晶显示器，因此在形成不同组的行数据线时，必须使用不同层的光罩，以免降低液晶显示器的开口率，但此做法也增加了使用的光罩的成本。
技术实现思路
本专利技术提供一种有机发光二极管矩阵的电容充电方法，其中该有机发光二极管矩阵是由多条列扫描线以及多条行数据线相互交叉构成。该有机发光二极管矩阵包含有多个像素区，且该有机发光二极管矩阵包含的每一像素区是由两相邻的列扫描线与两相邻的行数据线所定义出来。每一像素区包括含有控制晶体管的发光二极管单元。该有机发光二极管矩阵的第一像素区包含第一有机发光二极管单元，该有机发光二极管矩阵的第二像素区包含第二有机发光二极管单元，该第一像素区是与该第二像素区位于同一行且相邻。该第一有机发光二极管单元包含第一控制晶体管，其漏极是连接至第一行数据线，该第二有机发光二极管单元包含第二控制晶体管，其漏极是连接至第二行数据线，且该第一行数据线在该有机发光二极管矩阵中是相邻于该第二行数据线。该方法包括开启该第一控制晶体管，使该第一行数据线对该第一有机发光二极管单元充电，以及在该第一有机发光二极管单元被充电的同时，对该第二行数据线充电。附图说明图1为先前技术的薄膜晶体管液晶显示器包含的电路中的行像素单元与数据集成电路的示意图。图2为应用于图1的行像素单元的波形示意图。图3为先前技术中用来实现薄膜晶体管液晶显示器的电路配置图。图4为用来实现图3所示的电路所使用的波形示意图。图5为用来实施本专利技术的方法的有机发光二极管矩阵所包含的有机发光二极管行单元与数据集成电路的示意图。图6为用来实施本专利技术的方法于图5所示的有机发光二极管行单元的波形示意图。图7为本专利技术的方法的流程图。图8，其为本专利技术的有机发光二极管矩阵的另一种实施方式的示意图。有机发光二极管行单元 100、200有机发光二极管单元101、201漏极电压源103、203源极电压源105、205参考电压源107、207N型金属氧化物半导体 109、209电容 111、211P型金属氧化物半导体 113、213二极管115、215行数据线 117、217、221、59F、59S、59T列扫描线 119、219、SCAN N、SCAN N+1、SCAN N+2、SCAN N+3数据集本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管矩阵的电容充电方法，其中该有机发光二极管矩阵是由多条列扫描线以及多条行数据线相互交叉构成；该有机发光二极管矩阵包含有多个像素区，且该有机发光二极管矩阵包含的每一像素区是由两相邻的列扫描线与两相邻的行数据线所定义出来；每一像素区包括含有控制晶体管的发光二极管单元；该有机发光二极管矩阵的第一像素区包含第一有机发光二极管单元，该有机发光二极管矩阵的第二像素区包含第二有机发光二极管单元，该第一像素区是与该第二像素区位于同一行且相邻，该第一有机发光二极管单元包含第一控制晶体管，其漏极是连接至第一行数据线，该第二有机发光二极管单元包含第二控制晶体管，其漏极是连接至第二行数据线，且该第一行数据线在该有机发光二极管矩阵中是相邻于该第二行数据线；该方法包括：开启该第一控制晶体管，使该第一行数据线对该第一 有机发光二极管单元充电；以及在该第一有机发光二极管单元被充电的同时，对该第二行数据线充电。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：唐宇骏，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]