发光芯片及其制备方法、背光源和显示面板技术

本发明专利技术提供一种发光芯片，包括基底；多个发光单元，设置于基底上；发光单元包括至少两个发光元件，发光元件包括第一导电层、发光层、电子阻挡层和第二导电层，发光元件还包括电流扩展层，位于第二导电层背离基底的一侧；连接电极位于电流扩展层背离基底的一侧；相邻的两个发光元件之间的间隔区填充第一绝缘层，第一绝缘层的背离基底的一侧表面与电流扩展层的背离基底的一侧表面在同一高度；相邻的两个发光元件中，连接电极在基底上的正投影与第一个发光元件的电流扩展层、第一绝缘层和第二个发光元件的第一导电层在基底上的正投影交叠，连接电极与第一个发光元件的电流扩展层连接，且连接电极连接第二个发光元件的第一导电层。连接电极连接第二个发光元件的第一导电层。连接电极连接第二个发光元件的第一导电层。

【技术实现步骤摘要】
发光芯片及其制备方法、背光源和显示面板


[0001]本专利技术属于显示领域，具体涉及一种发光芯片及其制备方法、背光源和显示面板。

技术介绍

[0002]目前，次毫米发光二极管(Mini Light Emitting Diode，简称Mini LED)尺寸约为100
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300μm。微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，简称Micro LED)尺寸为100μm以下。Mini LED和Micro LED既可以作为背光源中的发光单元，也可以作为显示面板中的发光单元。
[0003]无论作为背光源中的发光单元还是作为显示面板中的发光单元，通常是将两个或者两个以上的次毫米发光二极管或者微型发光二极管通过连接电极串联在一起，能够简化工艺并降低成本。
[0004]但目前连接电极通常形成在陡峭的绝缘层坡面上，制备工艺(如沉积工艺)难以实现，且容易导致连接电极断开，无法实现两个次毫米发光二极管或者微型发光二极管之间的稳定串联连接。

技术实现思路

[0005]本专利技术针对上述两个次毫米发光二极管或者微型发光二极管之间无法通过连接电极实现稳定串联连接的问题，提供一种发光芯片，包括基底；多个发光单元，设置于所述基底上；
[0006]所述发光单元包括至少两个发光元件，所述至少两个发光元件通过连接电极串联连接；所述至少两个发光元件间隔分布；
[0007]所述发光元件包括第一导电层、发光层、电子阻挡层和第二导电层，所述第一导电层、所述发光层、所述电子阻挡层和所述第二导电层依次叠置于所述基底上；
[0008]所述发光元件还包括电流扩展层，位于所述第二导电层背离所述基底的一侧；所述连接电极位于所述电流扩展层背离所述基底的一侧；
[0009]相邻的两个所述发光元件之间的间隔区填充第一绝缘层，所述第一绝缘层的背离所述基底的一侧表面与所述电流扩展层的背离所述基底的一侧表面在同一高度；
[0010]相邻的两个所述发光元件中，所述连接电极在所述基底上的正投影与第一个所述发光元件的所述电流扩展层、所述第一绝缘层和第二个所述发光元件的所述第一导电层在所述基底上的正投影交叠，所述连接电极与第一个所述发光元件的所述电流扩展层接触并连接，且所述连接电极延伸至通过开设在所述第一绝缘层中的第一过孔连接第二个所述发光元件的所述第一导电层。
[0011]可选地，所述连接电极的背离所述基底的一侧表面为平行于所述基底的平面。
[0012]可选地，所述第一绝缘层充满相邻两个所述发光元件之间的间隔区，
[0013]所述第一绝缘层的背离所述基底的一侧表面与所述电流扩展层的背离所述基底的一侧表面平齐。
[0014]可选地，所述第一绝缘层充满相邻两个所述发光元件之间的间隔区，
[0015]所述第一绝缘层的背离所述基底的一侧表面上形成多个微结构，所述多个微结构均匀分布；
[0016]所述微结构的沿远离所述基底方向的尺寸为所述连接电极厚度的1/20～1/10。
[0017]可选地，所述微结构包括条形凹槽或者凹坑；
[0018]所述凹槽沿垂直于其长度方向的截面形状包括矩形、三角形或者半圆弧形；
[0019]所述凹坑的截面形状包括矩形、三角形或者半圆弧形。
[0020]可选地，沿相邻两个所述发光元件的排布方向，所述微结构的周期小于200nm；所述微结构的占空比小于0.3；
[0021]所述微结构的深度范围为100～120nm。
[0022]可选地，所述第一绝缘层包括第一子层和第二子层，所述第一子层和所述第二子层依次叠置于所述基底上，所述第二子层在所述基底上的正投影覆盖所述第一子层在所述基底上的正投影；
[0023]所述第二子层的厚度小于所述第一子层的厚度，且所述第二子层的厚度小于所述电流扩展层的厚度，所述第二子层的厚度小于所述连接电极的厚度。
[0024]可选地，所述第二子层位于所述电流扩展层和所述连接电极之间。
[0025]可选地，所述第一子层的材料包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的任意一种材料；
[0026]所述第二子层包括氧化硅和氧化钛的叠层。
[0027]可选地，还包括第二绝缘层、第一电极和第二电极，
[0028]所述第二绝缘层位于所述连接电极背离所述基底的一侧，所述第二绝缘层在所述基底上的正投影覆盖整个所述基底；
[0029]所述第一电极和所述第二电极位于所述第二绝缘层背离所述基底的一侧；所述第一电极在所述基底上的正投影与相邻两个所述发光元件中第一个所述发光元件的所述第一导电层在所述基底上的正投影交叠；所述第二电极在所述基底上的正投影与相邻两个所述发光元件中第二个所述发光元件的所述第二导电层在所述基底上的正投影交叠；
[0030]相邻两个所述发光元件中第一个所述发光元件的所述第一导电层背离所述基底的一侧面上设置有第一辅助连接电极，所述第一辅助连接电极位于所述第一电极与第一个所述发光元件的所述第一导电层的正投影交叠区域；
[0031]相邻两个所述发光元件中第二个所述发光元件的所述第二导电层背离所述基底的一侧面上设置有第二辅助连接电极，所述第二辅助连接电极位于所述第二电极与第二个所述发光元件的所述第二导电层的正投影交叠区域；
[0032]所述第一电极通过开设在所述第二绝缘层中的第二过孔连接所述第一辅助连接电极；
[0033]所述第二电极通过开设在所述第二绝缘层中的第三过孔连接所述第二辅助连接电极。
[0034]可选地，所述第一辅助连接电极和所述第二辅助连接电极与所述连接电极采用相同的导电材料；
[0035]所述第二绝缘层与所述第二子层采用相同的绝缘材料。
[0036]可选地，所述基底的与所述发光元件接触的表面上形成有多个微凸起结构，所述
多个微凸起结构均匀分布；
[0037]所述发光元件的第一导电层包括第一层、第二层和第三层，所述第一层、所述第二层和所述第三层依次叠置于所述基底上；
[0038]所述第二层、所述第三层、所述发光层、所述电子阻挡层、所述第二导电层和所述电流扩展层在所述基底上的正投影面积小于所述第一层在所述基底上的正投影面积；
[0039]所述第二层、所述第三层、所述发光层、所述电子阻挡层、所述第二导电层和所述电流扩展层在所述基底上的正投影落入所述第一层在所述基底上的正投影区域内；
[0040]所述第二层、所述第三层、所述发光层、所述电子阻挡层、所述第二导电层和所述电流扩展层的整体叠层结构沿垂直于所述基底的截面形状包括正梯形、矩形和倒梯形中的任意一种。
[0041]本专利技术实施例还提供一种上述发光芯片的制备方法，包括：在基底上制备发光单元；制备发光单元包括制备至少两个发光元件；制备发光元件包括依次制备第一导电层、发光层、电子阻挡层、第二导电层和电流扩展层；
[0042]制备第一绝缘层及其中的第一过孔；所述第一绝缘层位于相邻两个所述发光元件之间的间隔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光芯片，包括基底；多个发光单元，设置于所述基底上；所述发光单元包括至少两个发光元件，所述至少两个发光元件通过连接电极串联连接；所述至少两个发光元件间隔分布；所述发光元件包括第一导电层、发光层、电子阻挡层和第二导电层，所述第一导电层、所述发光层、所述电子阻挡层和所述第二导电层依次叠置于所述基底上；其特征在于，所述发光元件还包括电流扩展层，位于所述第二导电层背离所述基底的一侧；所述连接电极位于所述电流扩展层背离所述基底的一侧；相邻的两个所述发光元件之间的间隔区填充第一绝缘层，所述第一绝缘层的背离所述基底的一侧表面与所述电流扩展层的背离所述基底的一侧表面在同一高度；相邻的两个所述发光元件中，所述连接电极在所述基底上的正投影与第一个所述发光元件的所述电流扩展层、所述第一绝缘层和第二个所述发光元件的所述第一导电层在所述基底上的正投影交叠，所述连接电极与第一个所述发光元件的所述电流扩展层接触并连接，且所述连接电极延伸至通过开设在所述第一绝缘层中的第一过孔连接第二个所述发光元件的所述第一导电层。2.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述连接电极的背离所述基底的一侧表面为平行于所述基底的平面。3.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述第一绝缘层充满相邻两个所述发光元件之间的间隔区，所述第一绝缘层的背离所述基底的一侧表面与所述电流扩展层的背离所述基底的一侧表面平齐。4.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述第一绝缘层充满相邻两个所述发光元件之间的间隔区，所述第一绝缘层的背离所述基底的一侧表面上形成多个微结构，所述多个微结构均匀分布。所述微结构的沿远离所述基底方向的尺寸为所述连接电极厚度的1/20～1/10。5.根据权利要求4所述的发光芯片，其特征在于，所述微结构包括条形凹槽或者凹坑；所述凹槽沿垂直于其长度方向的截面形状包括矩形、三角形或者半圆弧形；所述凹坑的截面形状包括矩形、三角形或者半圆弧形。6.根据权利要求5所述的发光芯片，其特征在于，沿相邻两个所述发光元件的排布方向，所述微结构的周期小于200nm；所述微结构的占空比小于0.3；所述微结构的深度范围为100～120nm。7.根据权利要求2
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4任意一项所述的发光芯片，其特征在于，所述第一绝缘层包括第一子层和第二子层，所述第一子层和所述第二子层依次叠置于所述基底上，所述第二子层在所述基底上的正投影覆盖所述第一子层在所述基底上的正投影；所述第二子层的厚度小于所述第一子层的厚度，且所述第二子层的厚度小于所述电流扩展层的厚度，所述第二子层的厚度小于所述连接电极的厚度。8.根据权利要求7所述的发光芯片，其特征在于，所述第二子层位于所述电流扩展层和所述连接电极之间。9.根据权利要求8所述的发光芯片，其特征在于，所述第一子层的材料包括氮化硅、氧
化硅和氮氧化硅中的任意一种材料；所述第二子层包括氧化硅和氧化钛的叠层。10.根据权利要求9所述的发光芯片，其特征在于，还包括第二绝缘层、第一电极和第二电极，所述第二绝缘层位于所述连接电极背离所述基底的一侧，所述第二绝缘层在所述基底上...

【专利技术属性】
技术研发人员：李浩坤，孙雪菲，周婷婷，王英涛，贾倩，柳在健，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：