石英晶片及晶体振荡器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种石英晶片及晶体振荡器，石英晶片包括：晶片主体，所述晶片主体具有第一侧面及第二侧面，所述第一侧面的长度大于所述第二侧面的长度，所述晶片主体的第一面开设有一蚀刻槽，所述蚀刻槽贯穿所述第一侧面设置，所述蚀刻槽的外侧形成支撑部。通过在晶片主体的第一面开设有蚀刻槽，蚀刻槽贯穿晶片主体的第一侧面设置，晶片主体的第一侧面为晶片主体长度长的一侧面，也就是说，晶片主体的第一侧面为晶片主体的长侧边，有利于蚀刻得到扁长状的蚀刻槽，有利于大大增加晶片主体的减薄面积，从而有利于得到更加轻薄化的晶片主体，从而有利于降低后续制备得到的晶体振荡器的厚度，以及提高后续制备得到的晶体振荡器的频率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
石英晶片及晶体振荡器


[0001]本技术涉及晶片
，特别涉及一种石英晶片及晶体振荡器。

技术介绍

[0002]石英晶片是晶体振荡器的一个组成部件，也是晶体振荡器中最为重要的部件，石英晶片通常需要通过用蚀刻液进行蚀刻，以达到一定厚度，满足生产需要。
[0003]然而，石英晶片是晶体振荡器的重要部件，而晶体振荡器用于各类智能设备上，由于现有的智能设备往轻薄化的方向发展，也对晶体振荡器提出了微型化及高频化的要求，因此，也对石英晶片提出了轻薄化及高频化的要求。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要提供一种石英晶片及晶体振荡器。
[0005]本技术解决上述技术问题的技术方案如下：一种石英晶片，包括：
[0006]晶片主体，所述晶片主体具有相邻设置的第一侧面及第二侧面，所述第一侧面的长度大于所述第二侧面的长度，所述晶片主体的第一面开设有一蚀刻槽，所述蚀刻槽贯穿所述第一侧面设置，所述蚀刻槽的外侧形成支撑部。
[0007]在一个实施例中，所述蚀刻槽具有第一内侧壁及第二内侧壁，所述第一内侧壁与所述第二内侧壁相互连接，所述第一内侧壁与所述第一侧面相互平行设置，所述第一内侧壁的长度大于所述第二内侧壁的长度。
[0008]在一个实施例中，所述蚀刻槽具有第三内侧壁，所述第三内侧壁与所述第一内侧壁连接，且所述第三内侧壁与所述第二内侧壁相对设置。
[0009]在一个实施例中，所述蚀刻槽的底部至所述晶片主体第二面的距离小于所述支撑部的厚度。
[0010]在一个实施例中，所述蚀刻槽设置有一倾斜面，所述倾斜面的一端与所述第一内侧壁连接，所述倾斜面的另一端与所述第二内侧壁连接，所述倾斜面与所述第一内侧壁之间的夹角为钝角，所述倾斜面与所述第二内侧壁之间的夹角为钝角。
[0011]在一个实施例中，所述晶片主体具有第三侧面，所述第三侧面与所述第一侧面连接，所述第三侧面与所述第一侧面相背设置，所述第二内侧壁与所述第二侧面之间的间距大于所述第三内侧壁与所述第三侧面之间的间距。
[0012]在一个实施例中，还包括第一电极及第二电极，所述第一电极设置于所述蚀刻槽的底部上，所述第二电极设置于所述晶片主体的第二面上，所述第二电极与所述第一电极对齐设置，所述晶片主体的第二面与第一面相背设置。
[0013]在一个实施例中，所述第一电极为铜电极、银电极或金电极中的一种。
[0014]在一个实施例中，所述第二电极为铜电极、银电极或金电极中的一种。
[0015]一种晶体振荡器，包括上述任一项实施例中所述的石英晶片。
[0016]与现有技术相比，本技术至少具有以下优点：
[0017]本技术通过在晶片主体的第一面开设有蚀刻槽，蚀刻槽贯穿晶片主体的第一侧面设置，晶片主体的第一侧面为晶片主体长度长的一侧面，也就是说，晶片主体的第一侧面为晶片主体的长侧边，有利于蚀刻得到扁长状的蚀刻槽，有利于大大增加晶片主体的减薄面积，从而有利于得到更加轻薄化的晶片主体，从而有利于降低后续制备得到的晶体振荡器的厚度，以及提高后续制备得到的晶体振荡器的频率。
附图说明
[0018]图1为一个实施例的石英晶片的结构示意图；
[0019]图2为一个实施例的石英晶片的另一视角的结构示意图；
[0020]图3为一个实施例的石英晶片的另一视角的结构示意图。
具体实施方式
[0021]需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。以下将结合本技术实施例的附图，对本技术的技术方案做进一步描述，本技术不仅限于以下具体实施方式。
[0022]需要理解的是，实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件。在本技术的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
[0023]请参阅图1、图2及图3，一个实施例中，提供石英晶片10，包括晶片主体100，所述晶片主体100具有相邻设置的第一侧面110及第二侧面120，所述第一侧面110的长度大于所述第二侧面120的长度，所述晶片主体100的第一面开设有一蚀刻槽130，所述蚀刻槽130贯穿所述第一侧面110设置，所述蚀刻槽130的外侧形成支撑部131。
[0024]需要说明的是，本实施例中，晶片主体100为具有上下两个面的矩形平板状结构，晶片主体100的第一面为晶片主体100的上表面，晶片主体100的第二面为晶片主体100的下表面，晶片主体100的第一面与第二面相背设置，晶片主体100的第一侧面110及第二侧面120相邻设置，且第一侧面110的长度大于第二侧面120的长度，也就是说，晶片主体100的第一侧面110为晶片主体100的长边，通过在晶片主体100的第一面开设有蚀刻槽130，且蚀刻槽130贯穿晶片主体100的第一侧面110设置，蚀刻槽130的外侧周围形成有支撑部131，支撑部131可以起到支撑安装作用，可以加强晶片主体100的结构稳定性，同时，在对晶片主体100进行安装时，可以通过夹取支撑部131部分进行安装，避免对晶片主体100造成损坏，可以保证晶片主体100的正常安装及使用，具体地，晶片主体100的第一侧面110为晶片主体100长度长的一侧面，也就是说，晶片主体100的第一侧面110为晶片主体100的长侧边，有利于蚀刻得到扁长状的蚀刻槽130，有利于大大增加晶片主体100的减薄面积，从而有利于得到更加轻薄化的晶片主体100，从而有利于降低后续制备得到的晶体振荡器的厚度，以及提高后续制备得到的晶体振荡器的频率。
[0025]请参阅图1、图2及图3，在一个实施例中，所述蚀刻槽130具有第一内侧壁132及第
二内侧壁133，所述第一内侧壁132与所述第二内侧壁133相互连接，所述第一内侧壁132与所述第一侧面110相互平行设置，所述第一内侧壁132的长度大于所述第二内侧壁133的长度。可以理解的，本实施例中，蚀刻槽130的第一内侧壁132为朝向晶片主体100第一侧面110的内侧壁，且与第一侧面110相互平行设置，如此，可以在晶片主体100上形成凹形状的蚀刻槽130，且通过将第一内侧壁132的长度设置为大于第二内侧壁133的长度，可以保证形成扁长状的蚀刻槽130结构，有利于大大增加晶片主体100的减薄面积，使得该石英晶片更加轻薄化。
[0026]请参阅图1、图2及图3，在一个实施例中，所述蚀刻槽130具有第三内侧壁134，所述第三内侧壁134与所述第一内侧壁132连接，且所述第三内侧壁134与所述第二内侧壁133相对设置。可以理解的，本实施例中，蚀刻槽130为具有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种石英晶片，其特征在于，包括：晶片主体，所述晶片主体具有相邻设置的第一侧面及第二侧面，所述第一侧面的长度大于所述第二侧面的长度，所述晶片主体的第一面开设有一蚀刻槽，所述蚀刻槽贯穿所述第一侧面设置，所述蚀刻槽的外侧形成支撑部。2.根据权利要求1所述的石英晶片，其特征在于，所述蚀刻槽具有第一内侧壁及第二内侧壁，所述第一内侧壁与所述第二内侧壁相互连接，所述第一内侧壁与所述第一侧面相互平行设置，所述第一内侧壁的长度大于所述第二内侧壁的长度。3.根据权利要求2所述的石英晶片，其特征在于，所述蚀刻槽具有第三内侧壁，所述第三内侧壁与所述第一内侧壁连接，且所述第三内侧壁与所述第二内侧壁相对设置。4.根据权利要求1所述的石英晶片，其特征在于，所述蚀刻槽的底部至所述晶片主体第二面的距离小于所述支撑部的厚度。5.根据权利要求2所述的石英晶片，其特征在于，所述蚀刻槽设置有一倾斜面，所述倾斜面的一端与所述第一内侧壁连接，所述倾斜面的另一端与所述第二内侧壁连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：李锦雄，朱永安，祁浩勇，陈汉杰，
申请(专利权)人：研创科技惠州有限公司，
类型：新型
国别省市：