一种堆叠类封装体结构、工艺及发光芯片器件制造技术

本发明专利技术申请公开了一种堆叠类封装体结构、工艺及发光芯片器件，包括封装体，所述封装体内分别包封有：引脚，所述引脚的底部外露于封装体；控制芯片，所述控制芯片的端子朝向引脚并贴片在引脚上；发光芯片，所述发光芯片堆叠设置在控制芯片的上方，且发光芯片的发光面外露于封装体；线路层，所述线路层将发光芯片、控制芯片以及引脚电性连接，所述引脚通过电镀形成，用以将封装体的电性引出，本申请将控制芯片和发光芯片采用上下堆叠类结构的封装，既减小结构，缩短电路，减小电阻，电路更加稳定，将控制芯片和发光芯片均采用倒装的方式贴片，封装尺寸进一步控制，可以满足超薄型芯片的生产要求。要求。要求。

【技术实现步骤摘要】
一种堆叠类封装体结构、工艺及发光芯片器件


[0001]本专利技术申请属于LED芯片封装
，尤其涉及一种堆叠类封装体结构、工艺及发光芯片器件。

技术介绍

[0002]随着集成电路封装技术的不断进步，集成电路的集成度日益提高，功能越来越丰富，种类也越来越多，发光器件集成电路是其中一种，发光器件（LED）是指将电流转化为光的半导体器件，具体是将LED发光芯片和控制芯片集成化电性连接在一起，实现对LED芯片的发光控制，之后将其封装，隔绝空气和湿气，保证芯片的使用寿命。
[0003]从芯片的封装发展历程来看，传统的发光器件封装一般是将控制芯片（IC芯片）和发光芯片（LED芯片）通过打线的方式进行电性连接，IC芯片和LED芯片全部贴在LED灯带上之后，再通过导电器件或者导线将IC芯片和LED芯片进行连接，然后封上胶进行透光，这种工艺制作的结构，在布设元器件时候，会导致元器件之间间距大，集成化程度低从而导致封装体积大。
[0004]为了控制间距，将传统的打线工艺升级为平铺型，结合重布线工艺实现电性连接代替打线，具体过程为：IC芯片和LED芯片平铺（即LED芯片放置在IC芯片的一侧）在基板上、贴片后通过半导体层层封装工艺形成重布线组（RDL），实现IC芯片和其旁侧的LED芯片的电性连接，但是这种集成封装方式，将IC芯片和LED芯片平铺，需要在宽度上增加封装尺寸，而且IC芯片和LED芯片在损坏时，难以将两部分单独拆分开更换，需要破坏整个封装体，而且封装尺寸不能减小，封装空间很受限，达不到超薄的要求，故亟待设计一种堆叠类封装体结构、工艺及发光芯片器件。

技术实现思路

[0005]为解决上述现有技术中的问题，本专利技术申请提供了一种堆叠类封装体结构、工艺及发光芯片器件。
[0006]为实现上述目的，本专利技术申请提出的一种堆叠类封装体结构，包括封装体，所述封装体内分别包封有：引脚，所述引脚的底部外露于封装体；控制芯片，所述控制芯片的端子朝向引脚并贴片在引脚上；发光芯片，所述发光芯片堆叠设置在控制芯片的上方，且发光芯片的发光面外露于封装体；线路层，所述线路层将发光芯片、控制芯片以及引脚电性连接。
[0007]进一步，所述引脚通过电镀形成，用以将封装体的电性引出，所述引脚外露于封装体的一端电镀设置有焊盘。
[0008]进一步，所述线路层包括导电柱、重布线层和金属柱，所述重布线层将控制芯片的电性引出，以实现重新布线，所述金属柱和导电柱通过重布线层分别与发光芯片和引脚电
性连接。
[0009]进一步，所述发光芯片的端子朝向控制芯片倒装设置在控制芯片的上方。
[0010]进一步，该封装体结构还包括在发光芯片上包封荧光胶。
[0011]一种堆叠类发光芯片器件，包括上述堆叠类封装体结构。
[0012]一种堆叠类封装体的封装工艺，包括以下步骤：第一次封装步骤：在引脚上倒装贴装控制芯片，在引脚上电镀导电柱，后第一次封装并研磨暴露出共面的导电柱顶面；线路层形成步骤：在封装体表面形成重布线层，以实现导电柱顶面的电性连接，并在重布线层上形成金属柱；第二次封装步骤：后第二次封装将线路层包封，并研磨暴露出金属柱的顶面，后将发光芯片对应金属柱贴片。
[0013]进一步，所述引脚通过电镀形成，用以将封装体的电性引出，所述引脚外露于封装体的一端电镀设置有焊盘。
[0014]进一步，所述线路层包括导电柱、重布线层和金属柱，所述重布线层将控制芯片的电性引出，以实现重新布线，所述金属柱和导电柱通过重布线层分别与发光芯片和引脚电性连接。
[0015]进一步，所述发光芯片的端子朝向控制芯片倒装设置在控制芯片的上方。
[0016]进一步，该封装体结构还包括在发光芯片上包封荧光胶。
[0017]本专利技术申请：本申请将控制芯片和发光芯片采用上下堆叠类结构的封装，既减小结构，缩短电路，减小电阻，电路更加稳定，将控制芯片和发光芯片均采用倒装的方式贴片，封装尺寸进一步控制，可以满足超薄型芯片的生产要求，而且将平铺式芯片连接改变为堆叠类芯片连接，控制芯片或者发光芯片不是一次包封，损坏时可以单独拆开，减小其他部分的损坏。
附图说明
[0018]图1为本专利技术申请一种堆叠类封装体结构及发光芯片器件的产品截面图；图2为本专利技术申请一种堆叠类封装体的封装工艺的第一次封装步骤的示意图；图3为本专利技术申请一种堆叠类封装体的封装工艺的线路层形成步骤的示意图；图4为本专利技术申请一种堆叠类封装体的封装工艺的第二次封装步骤的示意图。
[0019]图中标记说明：封装体1、引脚2、控制芯片3、发光芯片4、线路层5、导电柱6、金属柱7、荧光胶8。
具体实施方式
[0020]为了更好地了解本专利技术申请的目的、结构及功能，下面结合附图1
‑
附图4，对本专利技术申请提出的一种堆叠类封装体结构、工艺及发光芯片器件，做进一步详细的描述。
[0021]请参阅图1，图1为本专利技术申请一种堆叠类封装体结构及发光芯片器件的产品截面图，包括封装体1，封装体1内分别包封有：引脚2，引脚2的底部外露于封装体1，引脚2通过电镀形成，用以将封装体1的电性引出，引脚2外露于封装体1的一端电镀设置有焊盘；
控制芯片3，控制芯片3的端子朝向引脚2并贴片在引脚2上，即将控制芯片3倒装贴装在引脚2上；发光芯片4，发光芯片4堆叠设置在控制芯片3的上方，且发光芯片4的发光面外露于封装体1，发光芯片4的端子朝向控制芯片3倒装设置在控制芯片3的上方，该封装体结构还包括在发光芯片4上包封荧光胶8；线路层5，线路层5将发光芯片4、控制芯片3以及引脚2电性连接，线路层5包括导电柱6、重布线层和金属柱7，重布线层将控制芯片3的电性引出，以实现重新布线，金属柱7和导电柱6通过重布线层分别与发光芯片4和引脚2电性连接。
[0022]一种堆叠类发光芯片器件，包括上述的堆叠类封装体结构。
[0023]将控制芯片3和发光芯片4采用上下堆叠类结构的封装，既减小结构，缩短电路，减小电阻，电路更加稳定，将控制芯片3和发光芯片4均采用倒装的方式贴片，封装尺寸进一步控制，控制芯片3或者发光芯片4不是一次包封，损坏时可以单独拆开，减小其他部分的损坏。
[0024]请参阅附图2
‑
附图4，为本专利技术申请一种堆叠类封装体的封装工艺的各步骤的示意图，包括以下步骤：第一次封装步骤：在引脚2上倒装贴装控制芯片3，在引脚2上电镀导电柱6，后第一次封装并研磨暴露出共面的导电柱6顶面；线路层5形成步骤：在封装体1表面形成重布线层，以实现导电柱6顶面的电性连接，并在重布线层上形成金属柱7；第二次封装步骤：后第二次封装将线路层5包封，并研磨暴露出金属柱7的顶面，后将发光芯片4对应金属柱7贴片；请参阅图2和第一次封装步骤，提供一基板，在基板上电镀出引脚2，将控制芯片3的端子朝向引脚2并倒装贴装控制芯片3，并在其他引脚2上电镀出导电柱6，之后第一次封装并研磨暴露出共面的导电柱6顶面，第一次封装后的导电柱6高度大于控制芯片3高度、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种堆叠类封装体结构，包括封装体，其特征在于，所述封装体内分别包封有：引脚，所述引脚的底部外露于封装体；控制芯片，所述控制芯片的端子朝向引脚并贴片在引脚上；发光芯片，所述发光芯片堆叠设置在控制芯片的上方，且发光芯片的发光面外露于封装体；线路层，所述线路层将发光芯片、控制芯片以及引脚电性连接。2.根据权利要求1所述的堆叠类封装体结构，其特征在于，所述引脚通过电镀形成，用以将封装体的电性引出，所述引脚外露于封装体的一端电镀设置有焊盘。3.根据权利要求2所述的堆叠类封装体结构，其特征在于，所述线路层包括导电柱、重布线层和金属柱，所述重布线层将控制芯片的电性引出，以实现重新布线，所述金属柱和导电柱通过重布线层分别与发光芯片和引脚电性连接。4.根据权利要求3所述的堆叠类封装体结构，其特征在于，所述发光芯片的端子朝向控制芯片倒装设置在控制芯片的上方。5.根据权利要求4所述的堆叠类封装体结构，其特征在于，该封装体结构还包括在发光芯片上包封荧光胶。6.一种堆叠类发光芯片器件，其特征在于，包括权利要求1
‑
5任意一项所述堆叠类封装...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭小春，
申请(专利权)人：合肥矽迈微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：