一种透明基线路板的制备工艺优化方法及系统技术方案

本发明专利技术涉及数据处理技术领域，提供了一种透明基线路板的制备工艺优化方法及系统，所述方法包括：获取缓冲层镀膜通道和蚀刻层镀膜通道；输入缓冲层镀膜通道进行镀膜，生成第二状态透明玻璃基板，蚀刻镀膜生成第三状态透明玻璃基板；粘合生成第四状态透明玻璃基板，生产预测成品概率；优化获取曝光工艺控制参数优化结果和蚀刻工艺控制参数优化结果，初始化曝光加工通道，加工获取透明基线路板，解决透明基线路板的制备工艺优化的操作难度大，加工成品的品质不稳定，无法有效保证成品的合格率技术问题，实现提升制备工艺优化的可操作性，降低透明基线路板的制备工艺优化的操作难度，提高加工成品的品质的稳定性，有效保证成品的合格率技术效果。率技术效果。率技术效果。

【技术实现步骤摘要】
一种透明基线路板的制备工艺优化方法及系统


[0001]本专利技术涉及数据处理相关
，具体涉及一种透明基线路板的制备工艺优化方法及系统。

技术介绍

[0002]目前透明基线路板其透明基板多采用透明玻璃或透明PET膜、透明PI膜等。其功能线路多采用导电胶丝网印刷获得或者是采用覆铜板(透明基板与铜箔通过胶粘剂实现压合)，然后通过传统线路板制备工艺获得。
[0003]通过在透明基板上采用导电胶丝网印刷获得透明基线路板(此工艺目前仅用于玻璃基板)，因其方阻过大，导电率低导致不适用于较大功率负载电路。其附着力不够，环境耐候性差，目前多用于消费类电子产品，品质不稳定，产品有效使用周期短。
[0004]通过先制作覆铜板，然后通过传统线路板工艺而获得透明基线路板，因其透明基板、胶粘剂、铜箔其热应力落差，在透明基线路板经高温工序时，会出现线路位移，附着力差，导致应用于透明显示屏时，线路过细或铜箔厚都易导致铜箔剥离或断裂。制程工艺操作难度大，品质较难控制，良率低。
[0005]综上所述，现有技术中存在透明基线路板的制备工艺优化的操作难度大，加工成品的品质不稳定，无法有效保证成品的合格率的技术问题。

技术实现思路

[0006]本申请通过提供了一种透明基线路板的制备工艺优化方法及系统，旨在解决现有技术中的透明基线路板的制备工艺优化的操作难度大，加工成品的品质不稳定，无法有效保证成品的合格率的技术问题。
[0007]鉴于上述问题，本申请实施例提供了一种透明基线路板的制备工艺优化方法及系统。<br/>[0008]本申请公开的第一个方面，提供了一种透明基线路板的制备工艺优化方法，其中，应用于透明基线路板的制备机床，所述机床包括PVD真空镀膜设备，所述PVD真空镀膜设备包括缓冲层镀膜通道和蚀刻层镀膜通道，所述方法包括：根据PVD真空镀膜设备，获取缓冲层镀膜通道和蚀刻层镀膜通道；将第一状态透明玻璃基板输入所述缓冲层镀膜通道进行镀膜，生成第二状态透明玻璃基板；将所述第二状态透明玻璃基板输入所述蚀刻层镀膜通道进行镀膜，生成第三状态透明玻璃基板；将蚀刻线路打印件和所述第三状态透明玻璃基板粘合，生成第四状态透明玻璃基板；根据曝光工艺控制参数和蚀刻工艺控制参数进行生产预测，获得成品概率；当所述成品概率小于或等于概率阈值，对所述曝光工艺控制参数和所述蚀刻工艺控制参数进行优化，生成曝光工艺控制参数优化结果和蚀刻工艺控制参数优化结果；根据所述曝光工艺控制参数优化结果初始化曝光加工通道，根据所述蚀刻工艺控制参数优化结果初始化蚀刻加工通道后，对所述第四状态透明玻璃基板进行加工处理，生成透明基线路板。
[0009]本申请公开的另一个方面，提供了一种透明基线路板的制备工艺优化系统，其中，所述系统包括：镀膜通道获取模块，用于根据PVD真空镀膜设备，获取缓冲层镀膜通道和蚀刻层镀膜通道；第二状态基板生成模块，用于将第一状态透明玻璃基板输入所述缓冲层镀膜通道进行镀膜，生成第二状态透明玻璃基板；第三状态基板生成模块，用于将所述第二状态透明玻璃基板输入所述蚀刻层镀膜通道进行镀膜，生成第三状态透明玻璃基板；第四状态基板生成模块，用于将蚀刻线路打印件和所述第三状态透明玻璃基板粘合，生成第四状态透明玻璃基板；成品概率获得模块，用于根据曝光工艺控制参数和蚀刻工艺控制参数进行生产预测，获得成品概率；工艺控制参数优化模块，用于当所述成品概率小于或等于概率阈值，对所述曝光工艺控制参数和所述蚀刻工艺控制参数进行优化，生成曝光工艺控制参数优化结果和蚀刻工艺控制参数优化结果；加工处理模块，用于根据所述曝光工艺控制参数优化结果初始化曝光加工通道，根据所述蚀刻工艺控制参数优化结果初始化蚀刻加工通道后，对所述第四状态透明玻璃基板进行加工处理，生成透明基线路板。
[0010]本申请中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
[0011]由于采用了获取缓冲层镀膜通道和蚀刻层镀膜通道；输入缓冲层镀膜通道进行镀膜，生成第二状态透明玻璃基板，输入蚀刻层镀膜通道进行镀膜，生成第三状态透明玻璃基板；粘合生成第四状态透明玻璃基板，进行生产预测，获得成品概率；当成品概率小于或等于概率阈值，对曝光工艺控制参数和蚀刻工艺控制参数进行优化，生成曝光工艺控制参数优化结果和蚀刻工艺控制参数优化结果，初始化曝光加工通道，对第四状态透明玻璃基板进行加工处理，生成透明基线路板，实现了采用生产预测的方式，获得成品概率，通过成品概率进行工艺控制参数优化调整，提升透明基线路板的制备工艺优化的可操作性，降低透明基线路板的制备工艺优化的操作难度，提高加工成品的品质的稳定性，有效保证成品的合格率的技术效果。
[0012]上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。
附图说明
[0013]图1为本申请实施例提供了一种透明基线路板的制备工艺优化方法可能的流程示意图；
[0014]图2为本申请实施例提供了一种透明基线路板的制备工艺优化方法中生成第二状态透明玻璃基板可能的流程示意图；
[0015]图3为本申请实施例提供了一种透明基线路板的制备工艺优化方法中生成第三状态透明玻璃基板可能的流程示意图；
[0016]图4为本申请实施例提供了一种透明基线路板的制备工艺优化系统可能的结构示意图。
[0017]附图标记说明：镀膜通道获取模块100，第二状态基板生成模块200，第三状态基板生成模块300，第四状态基板生成模块400，成品概率获得模块500，工艺控制参数优化模块600，加工处理模块700。
具体实施方式
[0018]本申请提供的技术方案总体思路如下：
[0019]本申请实施例提供了一种透明基线路板的制备工艺优化方法及系统，解决了透明基线路板的制备工艺优化的操作难度大，加工成品的品质不稳定，无法有效保证成品的合格率的技术问题，实现了采用生产预测的方式，获得成品概率，通过成品概率进行工艺控制参数优化调整，提升透明基线路板的制备工艺优化的可操作性，降低透明基线路板的制备工艺优化的操作难度，提高加工成品的品质的稳定性，有效保证成品的合格率的技术效果。
[0020]在介绍了本申请基本原理后，下面将结合说明书附图来具体介绍本申请的各种非限制性的实施方式。
[0021]实施例一
[0022]如图1所示，本申请实施例提供了一种透明基线路板的制备工艺优化方法，其中，应用于透明基线路板的制备机床，所述机床包括PVD真空镀膜设备，所述PVD真空镀膜设备包括缓冲层镀膜通道和蚀刻层镀膜通道，所述方法包括：
[0023]S10：根据PVD真空镀膜设备，获取缓冲层镀膜通道和蚀刻层镀膜通道；
[0024]S20：将第一状态透明玻璃基板输入所述缓冲层镀膜通道进行镀膜，生成第二状态透明玻璃基板；
[0025]如图2所示，步骤S20包括步骤：
[0026]S21：根据所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种透明基线路板的制备工艺优化方法，其特征在于，应用于透明基线路板的制备机床，所述机床包括PVD真空镀膜设备，所述PVD真空镀膜设备包括缓冲层镀膜通道和蚀刻层镀膜通道，包括：根据PVD真空镀膜设备，获取缓冲层镀膜通道和蚀刻层镀膜通道；将第一状态透明玻璃基板输入所述缓冲层镀膜通道进行镀膜，生成第二状态透明玻璃基板；将所述第二状态透明玻璃基板输入所述蚀刻层镀膜通道进行镀膜，生成第三状态透明玻璃基板；将蚀刻线路打印件和所述第三状态透明玻璃基板粘合，生成第四状态透明玻璃基板；根据曝光工艺控制参数和蚀刻工艺控制参数进行生产预测，获得成品概率；当所述成品概率小于或等于概率阈值，对所述曝光工艺控制参数和所述蚀刻工艺控制参数进行优化，生成曝光工艺控制参数优化结果和蚀刻工艺控制参数优化结果；根据所述曝光工艺控制参数优化结果初始化曝光加工通道，根据所述蚀刻工艺控制参数优化结果初始化蚀刻加工通道后，对所述第四状态透明玻璃基板进行加工处理，生成透明基线路板。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将第一状态透明玻璃基板输入所述缓冲层镀膜通道进行镀膜，生成第二状态透明玻璃基板，包括：根据所述第一状态透明玻璃基板，匹配缓冲层材料类型、缓冲层厚度参数和缓冲层面积参数；根据所述缓冲层材料类型、所述缓冲层厚度参数和所述缓冲层面积参数，基于第一云端粒子库，筛选缓冲层镀膜控制参数；将所述缓冲层镀膜控制参数控制所述缓冲层镀膜通道对所述第一状态透明玻璃基板进行镀膜，生成所述第二状态透明玻璃基板。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述缓冲层材料类型、所述缓冲层厚度参数和所述缓冲层面积参数，基于第一云端粒子库，筛选缓冲层镀膜控制参数，包括：将所述缓冲层材料类型、所述缓冲层厚度参数和所述缓冲层面积参数输入所述第一云端粒子库，获取多个缓冲层镀膜控制粒子；遍历所述多个缓冲层镀膜控制粒子，提取多组：缓冲材料溅射位置、缓冲材料单位溅射量、缓冲材料溅射频率和缓冲材料溅射时间；根据所述多组：缓冲材料溅射位置、缓冲材料单位溅射量、缓冲材料溅射频率和缓冲材料溅射时间的触发频率特征，对所述多个缓冲层镀膜控制粒子进行可信度评价，生成多个粒子支持度；根据所述多个粒子支持度筛选最大粒子支持度，生成所述缓冲层镀膜控制参数。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述第二状态透明玻璃基板输入所述蚀刻层镀膜通道进行镀膜，生成第三状态透明玻璃基板，包括：根据所述第二状态透明玻璃基板，匹配铜膜厚度参数和铜膜面积参数；根据所述铜膜厚度参数和铜膜面积参数，基于第二云端粒子库，筛选蚀刻层镀膜控制参数；将所述蚀刻层镀膜控制参数控制所述蚀刻层镀膜通道对所述第二状态透明玻璃基板
进行镀膜，生成所述第三状态透明玻璃基板。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，根据曝光工艺控制参数和蚀刻工艺控制参数进行生产预测，获得成品概率，包括：当所述曝光工艺控制参数输入成品概率标识模型时，激活曝光成品概率标识层，输出曝光成品概率；当所述蚀刻工艺控制参数输入所述成品概率标识模型时，激活蚀刻成品概率标识层，输出蚀刻成品概率；将所述曝光成品概率和所述蚀刻成品概率融合，获得所述成品概率。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述当所述成品概率小于或等于概率阈值，对所述曝光工艺控制参数和所述蚀刻工艺控制参数进行优化，生成曝光工艺控制参数优化结果和蚀刻工艺控制参数优化结果...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎杰，李在平，马明海，李晓科，
申请(专利权)人：深圳市威能照明有限公司，
类型：发明
国别省市：