本发明专利技术涉及一种ＬＥＤ，其包括基板（１０）、第一电极层以及位于基板和第一电极层之间的薄胶体层（２０），其中该ＬＥＤ还包括位于胶体层内部和／或位于胶体层和第一电极层之间的平滑装置，使得胶体层与第一电极层相对的外表面的粗糙度Ｒ↓［ａ］≤３０ｎｍ且Ｒ↓［ａ］≥１ｎｍ，优选Ｒ↓［ａ］≤１０ｎｍ且Ｒ↓［ａ］≥３ｎｍ，并且更优选Ｒ↓［ａ］≤５ｎｍ且Ｒ↓［ａ］≥３ｎｍ。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及LED(发光二极管)，特别是有机LED(OLED)。当前LED通常包括基板、在大多数应用中由氧化物如ITO(氧化铟锡)制得的第一电极层、电致发光层和第二电极层。因折射率不同而导致在全反射中将要损失掉一定量由电致发光层发出的光。这特别适用于在第一电极层和基板(通常为玻璃基板)之间的跃迁。
技术介绍
已经发现通过在基板和第一电极层中间插入薄胶体层，可以在很大程度上克服这种全反射，其中该薄胶体层包括平均尺寸一般在大约100nm到200-300nm的小颗粒。例如，DE.102 28 937中对胶体层进行了说明，其在此结合作为参考。然而，还发现了这种胶体层的使用大大地增加了这种LED发生故障的风险。
技术实现思路
因此本专利技术的目的是要提供一种LED，其具有薄胶体层的优点但是又限制了LED发生故障或者甚至损坏的风险。该目的由权利要求1限定的LED实现。因此，提供一种LED，其包括基底、第一电极层以及位于基底和第一电极层之间的薄胶体层，该LED还包括至少一个位于胶体层内和/或位于胶体层和第一电极层之间的平滑装置，使得胶体层面对第一电极层的外表面的粗糙度Ra≤30nm且Ra≥1nm，优选Ra≤10nm且Ra≥3nm，更优选Ra≤5nm且Ra≥3nm。在本文中，Ra理解为表面轮廓的算术平均值，其可以通过例如原子力显微镜(AFM)测量。专利技术者们认真地研究了具有胶体层的LED增大故障风险这一问题，并且发现胶体层与第一电极层相对一侧上的平滑度是一个重要因素。因为，在大多数应用中，第一电极层非常薄，通常厚度仅仅在几个100nm的范围内。胶体层需要非常光滑以确保使整个平坦的表面与第一电极层相容。平滑度不足的胶体层会导致LED的故障增大。已经发现需要粗糙度Ra≤30nm且Ra≥1nm以达到可接受的水平。平滑装置可以位于胶体层内和/或位于胶体层和第一电极层之间，这取决于应用和平滑装置的性质。在本专利技术的优选实施方案中，平滑装置的折射率≥1.1且≤3.0，优选≥1.5且≤2.7，并且更优选≥1.6且≤2.7。这样能够使平滑装置引起的损失最小化。平滑装置和胶体层中的颗粒之间的折射率之差优选≥|0.3|且≤|3|，更优选≥|0.5|且≤|2.5|。在本专利技术的优选实施方案中，平滑装置包括至少一个实质上位于基底和第一电极层之间和/或位于胶体层内部或胶体层上的平滑层。平滑层的厚度和胶体层的厚度之间的比率优选≥0.9∶1且≤5∶1，更优选≥1.2∶1且≤3∶1，并且最优选≥1.5∶1且≤2∶1。在本文中，“胶体层的厚度”理解为特别是指胶体层在其最大膨胀和/或“突出”处测量的厚度。“平滑层的厚度”理解为特别是指平滑层在其最大膨胀和/或“突出”处测量的厚度。平滑层的厚度优选≥10nm且≤10μm，更优选≥100nm且≤5μm，并且最优选≥1μm且≤3μm。这已经证实了是获得平滑表面的优选厚度。在本专利技术的优选实施方案中，平滑层通过化学气相淀积(CVD)设置在胶体层上。在本专利技术的优选实施方案中，平滑层包括由TiO2、TiC、TiN、Ti(C，N)、SiO2、B2O3、Al2O3、GeO2、Rb2O、Ga2O3、HfO2、Ta2O5、ZrO2、SiNx或其混合物中选出的材料。在实践中已经证实这些材料是最有效的。还可以使用其他材料和混合物，如果它们可以用作足够透明的平滑层。在本专利技术的优选实施方案中，平滑层通过金属卤化物或其他合适材料的CVD设置在胶体层上。如果在平滑层中使用上述材料，那么优选使用一种或多种下述挥发性前驱体化合物或其混合物用于CVD过程 Si正硅酸三烷酯(trialkyl orthosilicates)，特别是正硅酸三乙酯(triethyl orthosilicate)、乙酰丙铜硅(silicon acetylacetonate)、二-t-丁氧基-二-乙酰氧基硅烷(di-t-butoxy-di-acetoxysilane)、四甲基环四硅氧烷(tetramethylcyclotetrasiloxane)、硅烷(silane)，特别是二硅烷(disilane)、三硅烷(trisilane)(如果使用SiNx则尤其优选)、氧氮化硅(silicon oxynitride) B硼酸三烷酯(trialkyl boranes)、特别是硼酸三甲酯(trimethyl borane) Al三烷氧基铝(trialkoxy aluminum)，特别是Al(OC2H5)3 Ge卤化锗，特别是GeCl4 Rb卤化铷，特别是RbCl Ga卤化镓，特别是GaCl3 Hf卤化铪，特别是HfF4 Ta卤化钽，特别是TaF5和/或TaCl5 Zr卤化锆，特别是ZrCl4 Ti卤化钛，特别是TiCl2、TiCl3、TiCl4 N氨、肼、N2O C烃、有机卤素化合物，特别是CCl4、CHCl3、CH2Cl2在CVD过程中，在优选为氧气下氧化沉积(通常沉积在加热的基板上)的情况下，这些前驱体化合物与反应物反应。对于热CVD来说，沉积温度优选在400℃到600℃之间，该温度对耐高温基板尤其适合。可以通过使用例如等离子体激活的CVD或光辅助的CVD将这些温度降低或调整到适合于有机LED的基板的范围内(根据应用，T＜300℃或＜400℃)。在本专利技术的优选实施方案中，平滑装置包括位于胶体层内部和/或位于胶体层和第一电极层之间的平滑颗粒，该平滑颗粒优选通过溶胶-凝胶法制得，优选以活性金属有机化合物开始反应。通过使用这种平滑颗粒，能够容易地获得胶体层的有效平滑性。平滑颗粒批料(batch)的厚度和胶体层的厚度之间的比率优选为≥0.9∶1且≤5∶1，更优选≥1.2∶1且≤3∶1，并且最优选≥1.5∶1且≤2∶1。在本文中，“胶体层的厚度”理解为特别是指胶体层在其最大膨胀和/或“突出”处测量的厚度。“平滑颗粒批料的厚度”理解为特别是指通过堆积或填充平滑颗粒得到的平滑颗粒批料在其最大膨胀和/或“突出”处测量的厚度(关于这点，也参见下述图2)。平滑颗粒批料的厚度优选10nm且≤10μm，更优选为100nm且≤5μm，并且最优选为200nm且≤3μm。这已经证实了是获得平滑表面的优选厚度。在本专利技术的优选实施方案中，平滑颗粒的平均粒度0nm且≤100nm，优选5nm且≤50nm，并且更优选10nm且≤30nm。在本专利技术的优选实施方案中，平滑颗粒是从通过均匀沉淀制得的胶体颗粒的稳定溶液获得。可以用于该过程的产品可以从市场上购买到，例如从Nyacol、Nanogate或Nissan Chemical获得。 在本专利技术的优选实施方案中，平滑颗粒由稳定溶胶制得，优选是合适的金属醇盐。在干燥过程中，金属醇盐溶胶通过交联反应形成了形成纳米范围内的颗粒的均匀凝胶。在本专利技术的优选实施方案中，平滑颗粒的平均粒度和胶体层中颗粒的平均粒度之间的比率为≥1∶30且≤1∶2，优选为≥1∶20且≤1∶10。在本专利技术的优选实施方案中，平滑颗粒的折射率与胶体层中颗粒的折射率不同。平滑颗粒和胶体层中的颗粒之间的折射率之差优选在≥|0.3|且≤|3|，更优选为≥|0.5|且≤|2.5|。在本专利技术的优选实施方案中，平滑颗粒的折射率等于或高于发光层的折射率。平滑颗粒和发光层之间的折射率之差优选为≥|0.3|且≤|3|，更本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种ＬＥＤ，包括基板、第一电极层以及位于基板和第一电极层之间的薄胶体层，该ＬＥＤ还包括至少一个位于胶体层内部和／或位于胶体层和第一电极层之间的平滑装置，使得胶体层与第一电极层相对的外表面的粗糙度Ｒ↓［ａ］≤３０ｎｍ且Ｒ↓［ａ］≥１ｎｍ，优选Ｒ↓［ａ］≤１０ｎｍ且Ｒ↓［ａ］≥３ｎｍ，并且更优选Ｒ↓［ａ］≤５ｎｍ且Ｒ↓［ａ］≥３ｎｍ。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：H比克特尔，W布塞尔特，GF加尔特纳，EI哈斯卡尔，J奥皮茨，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]
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