EL显示装置制造方法及图纸

为了对源极信号线的寄生电容充分地充电和放电并且将预定的电流值编程到像素晶体管，必须从源极激励电路输出相对大的电流。然而，如果这样大的电流流过源极信号线，则这个电流值被编程到像素中，引起比所想要的电流大的电流流过ＥＬ元件１５。例如，如果使用１０倍大的电流进行编程，则１０倍大的电流流过ＥＬ元件１５，并因而ＥＬ元件１５以１０倍的亮度发光。为获得预定发射亮度，可以将电流流过ＥＬ元件的时间减少到一帧（１Ｆ）的１／１０。这样，可以对源极信号线的寄生电容充分地充电和放电，并且可以获得预定的发射亮度。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种自发光的显示面板，诸如使用有机或无机场效发光(electroluminescent)(EL)元件的EL显示面板。而且，它涉及信息显示器及类似物，它们使用EL显示面板、用于EL显示面板的激励方法和用于EL显示面板的激励电路。
技术介绍
通常，有源矩阵显示器通过在矩阵内排列大量像素并相应于视频信号控制每个像素的光强度来显示图像。例如，如果液晶用作电化学物质，则每个像素的透射比按照写入该像素的电压而改变。即使在使用有机场效发光(EL)材料作为电化学物质的有源矩阵显示器的情况下，基本操作也与使用液晶的情况相同。在液晶显示面板中，每个像素象快门一样工作，且如同由像素或快门挡住或展现背面光那样显示图像。有机EL显示面板是自发光类型，其中每个像素有发光元件。因而，诸如有机EL显示面板的自发光类型显示面板具有比液晶显示面板更看得见、不需要背面照明、具有高响应速度等优点。有机EL显示面板中每个发光元件(像素)的亮度由电流量控制。也就是说，有机EL显示面板大大不同于液晶显示面板的地方是发光元件由电流激励或控制。有机EL显示面板的构造可以是简单矩阵类型或有源矩阵类型。实现前一种类型的大高分辨率显示面板很难，尽管前一种类型在结构上简单而且便宜。后一种类型使大高分辨率显示面板能够实现，但涉及到的问题是，这是一种技术难度高的控制方法且相对昂贵。目前，正集中于开发有源矩阵类型显示面板。在有源矩阵类型显示面板中，流经在每个像素中提供的发光元件的电流是由安装在像素中的薄膜晶体管(晶体管)控制的。这样一种有源矩阵类型的有机EL显示面板揭示于日本专利公开号No.8-234683。显示面板的一个像素的等效电路示于图62。像素16由作为发光元件的EL元件15、第一晶体管11a、第二晶体管11b和储能电容19组成。发光元件15是有机场效发光(EL)元件。按照本专利技术，提供(控制)电流给EL元件15的晶体管11a称为激励晶体管11。作为开关而工作的晶体管，诸如图62中所示的晶体管11b，称为开关晶体管11。在许多情况下，由于有机EL元件15的整流作用而可称为OLED(有机发光二极管)。在图62等中，二极管符号用于发光元件OLED15。附带地，按照本专利技术的发光元件15不限于OLED。它可以是任何类型，只要它的亮度由流过元件15的电流量控制。例子包括无机EL元件、由半导体组成的白色发光二极管、典型发光二极管及发光晶体管。不必要求发光元件15整流。双向二极管也是可用的。尽管参考数字15描述为EL元件，但它有时可用于EL膜或EL结构的意思。在图62的例子中，P沟道晶体管11a的源极端子(S)标明为Vdd(电源电位)，而EL元件15的阴极连接到接地电位(Vk)。另一方面，阳极连接到晶体管11a的漏极端子(D)。此外，P沟道晶体管11b的栅极端子连接到栅极信号线17a，源极端子连接到源极信号线18，以及漏极端子连接到储能电容19和P沟道晶体管11b的栅极端子(G)。附带地，尽管这里陈述了提供用于激励EL元件15的电流的晶体管元件11a是p沟道晶体管，但这不是限制性的，它们可以是n沟道晶体管。当然，晶体管11可以是双极晶体管、FET或MOSFET。底板71不限于玻璃衬底，可以是硅衬底或金属衬底的。为激励像素16，表示亮度信息的视频信号首先施加于具有所选择的栅极信号线17a的源极信号线18。然后，晶体管11a导通，储能电容19，对充电或者放电并且晶体管11b的栅极电位匹配于视频信号的电位。当取消选择栅极信号线17a时，晶体管11a截止，且晶体管11b以电子方式与源极信号线18切断。晶体管11a的栅极电位由储能电容19保持稳定。通过晶体管11a传递到发光元件15的电流取决于晶体管11a的栅极-源极电压Vgs，且发光元件15在相应于通过晶体管11a提供的电流量的亮度上继续发光。有机EL显示面板由低温多晶硅晶体管阵列组成。但是，由于有机EL元件使用电流来发光，因此存在晶体管特性变化将引起显示不规则的问题。
技术实现思路
考虑到上述常规EL元件的问题，本专利技术的一个目标是提供一种EL显示器的激励方法，即使存在像素晶体管特性的变化，它也可实现比常规方法更一致的显示，并且它引起比常规方法少的模糊活动图片。为达到上述目标，本专利技术的第一专利技术是一种用于EL显示面板的激励方法，该EL显示面板包括以矩阵排列的EL元件；提供要流过EL元件的电流的激励晶体管；放置在EL元件的电流通路中的第一开关元件；为控制而使第一开关元件导通或截止的栅极激励电路；以及提供编程电流给激励晶体管的源极激励电路，其中，激励晶体管是p沟道晶体管，在源极激励电路中产生编程电流的单位晶体管是n沟道晶体管，以及在一帧时段或一场时段期间栅极激励电路至少两次或多次关断第一开关元件。本专利技术的第二专利技术是一种用于EL显示面板的激励方法，该EL显示面板包括以矩阵安排的EL元件；提供要流过EL元件的电流的激励晶体管；放置在EL元件的电流通路中的第一开关元件；为控制而使第一开关元件导通和关断的栅极激励电路；以及提供编程电流给激励晶体管的源极激励电路，其中，激励晶体管是p沟道晶体管，在源极激励电路中产生编程电流的单位晶体管是n沟道晶体管，在一帧时段或一场时段期间在两个水平扫描周期内栅极激励电路保持第一开关元件关断。本专利技术的第三专利技术是一种用于EL显示面板的激励方法，该EL显示面板包括以矩阵安排的EL元件；提供要流过EL元件的电流的激励晶体管；放置在EL元件的电流通路中的第一开关元件；为控制而使第一开关元件导通和截止的栅极激励电路；以及提供编程电流给激励晶体管的源极激励电路， 其中，激励晶体管是p沟道晶体管，在源极激励电路中产生编程电流的单位晶体管是n沟道晶体管，选择像素行和用电流编程的时段是由第一时段和第二时段构成的，在第一时段期间施加第一电流，在第二时段期间施加第二电流，第一电流比第二电流大，以及在第一时段期间源极激励电路输出第一电流，并且在第一时段之后来到的第二时段期间输出第二电流。本专利技术的第四专利技术是用于依照本专利技术第一专利技术的EL显示面板的激励方法，其中，在一帧时段或一场时段期间周期性地关断第一开关元件。本专利技术的第五专利技术是一种EL显示面板，包括输出编程电流的源极激励电路；以矩阵排列的EL元件；提供要流过EL元件的电流的激励晶体管；放置在EL元件的电流通路中的第一开关元件；构成用于将编程电流传送给激励晶体管的通路的第二开关元件；使第一开关元件导通和截止用于控制的第一栅极激励电路；使第二开关元件导通和截止用于控制的第二栅极激励电路；提供编程电流给激励晶体管的源极激励电路；其中，激励晶体管是p沟道晶体管，在源极激励电路中产生编程电流的单位晶体管是n沟道晶体管，在一帧时段或一场时段期间第一栅极激励电路多次关断第一开关元件，在显示面板的一侧放置或形成第一栅极激励电路，以及在显示面板的另一侧放置或形成第二栅极激励电路。本专利技术的第六专利技术是依照本专利技术第五专利技术的EL显示面板，其中，在与激励晶体管和源极激励电路相同的生产过程中形成栅极激励电路而源极激励电路由半导体芯片构成。本专利技术的第七专利技术是一种EL显示面板，包括栅极信号线；源极信号线；输出编程电流的源极激励电路； 栅极激励电路；以矩阵排列的EL元件；提供要流过EL元件的电流的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＥＬ显示装置，其特征在于，具有：　　　　将具有ＥＬ元件的象素配置成矩阵状的显示画面；以及　　　　向所述象素施加视频信号的源极驱动电路，　　　　在所述象素中形成向所述ＥＬ元件供给驱动用电流的驱动用晶体管，　　　　所述驱动用晶体管是ｐ沟道晶体管。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：高原博司，柘植仁志，
申请(专利权)人：东芝松下显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]