发光元件和发光设备制造技术

本发明专利技术的一种发光元件包括在第一和第二电极之间的ｎ片发光层（ｎ是自然数）。在第ｍ发光层（ｍ是自然数：１≤ｍ≤ｎ）和第ｍ＋１发光层之间的第一层和第二层被提供。该第一和第二层互相接触。该第一层包含容易传输空穴的物质和具有受电子特性的物质。该第二层包含容易传输电子的物质和具有给电子特性的物质。钼氧化物用作为具有受电子特性的物质。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种在一对电极之间具有发光层的发光元件，更具体而言，本专利技术涉及该发光元件的层结构。
技术介绍
利用从电致发光元件(一种发光元件)发射的光的发光设备具有广视角和低功耗。最近几年，在发光设备的开发领域已经积极进行了对能够长期提供高质量图像的发光设备的研究和开发，以便支配应用于各种信息处理设备(诸如电视接收机和汽车导航系统)的显示设备的市场。为了获得能够长期提供高质量图像的发光设备，长寿命的发光元件和有效发光的发光元件的开发变得非常重要。例如，专利文件1公开了一种与具有多个发光单元的发光元件相关的技术，其中各个发光单元被电荷产生层隔离。该专利文件1描述了一种具有高亮度的长寿命发光元件。但是，在专利文件1中使用的五氧化二钒具有高的吸湿特性。因此，发光元件很可能由于五氧化二钒吸收的湿气而被恶化。发光元件的恶化导致了发光设备中的图像质量的恶化。因此，在发光设备的开发中，制造一种具有高抗湿特性以及高亮度的发光元件也是重要的。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种具有卓越抗湿特性的发光元件。更具体而言，本专利技术的目的是提供一种能够发射白光的具有卓越抗湿特性的发光元件。在本专利技术的一个方面，发光元件包括包含具有受电子特性的物质的层。由于该物质具有受电子特性，因此使用了钼氧化物。在本专利技术的另一个方面，发光元件包括在第一电极和第二电极之间的n片发光层(n是自然数)。该发光元件还包括在第m发光层(m是自然数1≤m≤n)和第m+1发光层之间的第一层和第二层。该第一和第二层互相接触。该第一层包含容易传输空穴的物质和具有受电子特性的物质。该第二层包含容易传输电子的物质和具有给电子特性的物质。此外，钼氧化物用作为具有给电子特性的物质。在本专利技术的另一个方面，发光元件包括n片层组(n是自然数)，每一层组具有在一对电极之间的第一层、第二层和发光层。该第一层包括容易传输空穴的物质和具有受电子特性的物质。该第二层包括容易传输电子的物质和具有给电子特性的物质。在该n片层组中，第m层组(m是自然数1≤m≤n)中包括的第一层和第m+1层组中包括的第二层被层压为互相接触。在本专利技术的另一个方面中，发光元件包括在第一电极和第二电极之间的n片发光层(n是自然数)。第二电极与第一电极相比更容易反射光。该发光元件还包括在第m发光层(m是自然数1＝m＝n)和第m+1发光层之间的第一层和第二层。此外，该第一和第二层互相接触。该第一层包括容易传输空穴的物质和具有受电子特性的物质。该第二层包括容易传输电子的物质和具有给电子特性的物质。该第m+1发光层表现出比第m发光层更短的发射光谱的峰值波长。该n片发光层被这样提供，使第m+1发光层被放置的比第m发光层更靠近第二电极。在本专利技术的另一个方面中，发光元件包括在第一电极和第二电极之间的n片发光层(n是自然数)。第二电极与第一电极相比更容易反射光。该发光元件还包括在第m发光层(m是自然数1＝m＝n)和第m+1发光层之间的第一层和第二层。该第一和第二层互相接触。该第一层包含容易传输空穴的物质和具有受电子特性的物质。该第二层包含容易传输电子的物质和具有给电子特性的物质。该n片发光层被这样提供，使表现出更短发射光谱的峰值波长的发光层被提供的更靠近第二电极。根据本专利技术，可以获得具有卓越抗湿特性的发光元件，这样该发光元件很难被侵入发光元件的湿气恶化。此外，可以提供一种能够发射白光的发光元件。此外，因为在本专利技术的发光元件中很难引起从发光元件发射的光和反射的光之间的干涉，因此可以容易控制从发光元件发射的光的色调。附图说明 图1是解释本专利技术的发光元件的图示；图2是解释本专利技术的发光元件的图示；图3是显示根据本专利技术的发光设备的顶视图；图4是解释在根据本专利技术的发光设备中包括的电路的图示；图5是根据本专利技术的发光设备的顶视图；图6是解释根据本专利技术的发光设备的帧操作的图示；图7A到7C是根据本专利技术的发光设备的横截面图示；图8A到8C是显示根据本专利技术的电器的图示；图9是解释根据本专利技术的发光元件的图示；图10是显示根据本专利技术的发光元件的发射光谱的图示；和图11是显示有关钼氧化物和α-NPD的混合层的传输光谱的图示。具体实施例方式以下将参考附图等等来描述根据本专利技术的实施方式和实施例。此外，本专利技术可以以许多不同的方式执行。本领域技术人员很容易理解这里所公开的实施方式和细节可以用各种方法修改，而不背离本专利技术的目的和范围。本专利技术不应该理解为限制为以下给出的实施方式的描述。实施方式1在图1中，包含容易传输空穴的物质和具有受电子特性的物质的第一层103和包含容易传输电子的物质和具有给电子特性的物质的第二层104被提供在第一电极101和第二电极102之间。该第一层103和第二层104被层压互相接触。此外，空穴在包含容易传输空穴的物质和具有受电子特性的物质的第一层103中产生，而电子在包含容易传输电子的物质和具有给电子特性的物质的第二层104中产生。此外，第一发光层111被提供在第一电极101和第一层103之间。第二发光层121被提供在第二电极102和第二层104之间。此外，在该实施方式中，第一电极101起到阳极的作用，第二电极102起到阴极的作用。优选地，第一电极101和第二电极102的一个或两个是由容易透射可见光的物质制造的。用于第一电极101的物质并不是特别限制的。为了形成起到与本实施方式相同的阳极作用的第一电极101，第一电极优选地是由具有高功函数的物质制造的，诸如铟锡氧化物、包含硅氧化物的铟锡氧化物、其中2到2％的锌氧化物被混合在铟氧化物中的铟锌氧化物、以及其中百分之几的镓氧化物被混合到锌氧化物中的镓锌氧化物。此外，由上述具有高功函数的物质制造的电极容易地透射可见光。此外，用于第二电极102的物质并不是特别限制的。为了形成起到与本实施方式相同的阴极作用的第二电极102，第二电极优选地是由具有低功函数的物质制造的，诸如包含碱金属(例如，锂(Li)，镁等等)、碱土等等的铝。容易传输空穴的物质并不是特别限制的。例如，容易传输空穴的物质可以由芳族胺(即，具有苯环氮键的一种)化合物制造，诸如4，4’-bis(N--N-phenyl-amino)-biphenyl(缩写为α-NPD)；4，4’-bis(N--N-phenyl-amino)-biphenyl(缩写为TPD)；4，4’，4”-tris(N，N-diphenyl-amino)-triphenylamine(缩写为TDATA)；和4，4’，4”-tris(N-(3-methylphenyl)-N-phenyl-amino)-triphenylamine(缩写为MTDATA)。具有受电子特性的物质并不是特别限制的。例如，优选地使用具有低吸湿特性的物质，诸如钼氧化物。容易传输电子的物质并不是特别限制的。例如，容易传输电子的物质可以由具有喹啉基或苯并喹啉基的金属复合物制造，诸如tris(8-quinolinolate)alumihum(缩写为Alq3)；tris(4-methyl-8-quinolinolate)aluminum(缩写为Almq3)；bis(10-hydroxybenzo-quinolinato)beryllium(缩写为BeBq2)；和bis(2-methyl-8-quinoli本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光元件，包括：在第一电极和第二电极之间的ｎ片发光层（ｎ是自然数）；和在第ｍ发光层（ｍ是自然数：１≤ｍ≤ｎ）和第ｍ＋１发光层之间的、包含容易传输空穴的物质和具有受电子特性的物质的第一层和包含容易传输电子的物质和具有给电子 特性的物质的第二层，该第二层与第一层接触，其中具有受电子特性的物质是钼氧化物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊木大介，池田寿雄，安部宽子，濑尾哲史，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]