一种低勘探程度区优质烃源岩分布的评价方法技术

本发明专利技术提供了一种低勘探程度区优质烃源岩分布的评价方法，属于油气勘探领域。现有低勘探程度区岩心样本有限，分析化验数据少，不能准确评价优质烃源岩分布。通过对低勘探程度区内地层的成熟度、丰度进行划分，找出成熟且高有机碳含量烃源岩段作为目标烃源岩段，根据目标烃源岩段的气测录井全烃含量数据确定气测录井全烃含量增大倍数。根据同盆地内与低勘探程度区毗邻的成熟探区的气测录井全烃含量数据，确定在成熟探区中优质烃源岩段的最小的气测录井全烃含量增大倍数作为评价参数。将低勘探程度区中气测录井全烃含量增大倍数大于评价参数的目标烃源岩段，进一步评价，有机质类型为干酪根Ⅰ型和/或干酪根Ⅱ1型的腐泥型烃源岩段为优质烃源岩段。源岩段为优质烃源岩段。源岩段为优质烃源岩段。

【技术实现步骤摘要】
一种低勘探程度区优质烃源岩分布的评价方法


[0001]本专利技术涉及一种低勘探程度区优质烃源岩分布的评价方法，属于油气勘探领域。

技术介绍

[0002]随着油气勘探程度的不断深化，在成熟探区的勘探难度日益增大，而低勘探程度区钻井密度低，分析化验资料少。武明辉等人的文章《油气区块勘探程度划分方法研究》中提到通常低勘探程度区有二维和三维地震、数十口钻井，由于低勘探程度区油气资源量大、探明率低，油气勘探领域从成熟探区到低勘探程度区的延伸势在必行。
[0003]中国工程院院士邓运华在《试论优质烃源岩与大油田的共生关系》中提出为油田作贡献的烃源岩厚度不一定很大，但是有机质丰度很高，品质好。因此低勘探程度区优质烃源岩的识别是勘探过程中首先要解决的难题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种低勘探程度区优质烃源岩分布的评价方法，用于解决难以在低勘探程度区内确定优质烃源岩垂向发育段和平面分布的问题。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术提供了一种低勘探程度区优质烃源岩分布的评价方法，包括如下步骤：
[0006]1)获取成熟勘探区中钻井的有机碳含量数据和气测录井全烃含量数据；所述成熟勘探区毗邻低勘探程度区；
[0007]2)根据步骤1)中的有机碳含量数据和气测录井全烃含量数据，找出成熟勘探区中优质烃源岩段中的有机碳含量最低的标准烃源岩段，确定所述标准烃源岩段的最小的气测录井全烃含量增大倍数作为评价参数；
[0008]所述气测录井全烃含量增大倍数为气测录井全烃含量数据与气测录井全烃含量数据中基值的比值；
[0009]3)获取低勘探程度区内钻井的气测录井全烃含量数据，计算低勘探程度区的气测录井全烃含量增大倍数；
[0010]4)将低勘探程度区中气测录井全烃含量增大倍数大于评价参数的岩段划分为优质烃源岩段。
[0011]进一步地，获取低勘探程度区的镜质体反射率曲线，将镜质体反射率处于设定范围内的岩段标定为成熟烃源岩段；步骤4)中，将低勘探程度区中气测录井全烃含量增大倍数大于评价参数的成熟烃源岩段划分为优质烃源岩段。
[0012]1)收集低勘探程度区及与其毗邻内的同盆地成熟探区地质及地震资料。根据低勘探程度区内钻井的岩心样本、测井、录井和地震资料，获取对应的岩心分析化验数据和测井数据，从同盆地内与低勘探程度区毗邻的成熟探区，获取成熟探区内优质烃源岩段有机碳含量数据和气测录井全烃含量数据。其中岩心分析化验数据包括取心深度、有机碳含量、镜质体反射率、热解峰峰顶温度图版等数据，测井数据包括声波时差、电阻率；录井资料包括
气测录井全烃含量曲线数据；地震资料包括三维地震数据及地震层位、断层等解释成果。
[0013]2)确定低勘探程度区内的成熟烃源岩段。具体做法为获取低勘探程度区的镜质体反射率曲线，将镜质体反射率处于设定范围内的岩段标定为成熟烃源岩段。
[0014]进一步地，获取低勘探程度区镜质体反射率曲线的方法为：获取低勘探程度区中岩心样本的岩心分析数据，所述岩心分析数据包括镜质体反射率和深度，根据镜质体反射率与深度的回归方程，计算没有岩心分析数据的岩段的镜质体反射率，得到镜质体反射率曲线。
[0015]由于低勘探程度区只有少量的岩心分析数据，不足以对整个井区进行评价，对应地，也就只有岩心样本的镜质体反射率数据，因此计算整个低勘探程度区的镜质体反射率曲线时，需要根据镜质体反射率与深度的回归方程，计算出没有岩心分析数据的岩段的镜质体反射率，与岩心分析数据中的镜质体反射率进行验证，得到镜质体反射率曲线。
[0016]进一步地，在上述方法中，所述设定范围为0.7％～1.3％。
[0017]将镜质体反射率大于等于0.7％且小于1.3％的地层划分为成熟烃源岩段，可以较准确地提取出低勘探勘探程度区中的成熟烃源岩段，提高评价的准确性。
[0018]进一步地，获取低勘探程度区的声波时差和电阻率，根据声波时差和电阻率计算有机碳含量，将有机碳含量大于设定值的岩段标定为高有机碳含量烃源岩段；步骤4)中，将低勘探程度区中气测录井全烃含量增大倍数大于评价参数的成熟、高有机碳含量烃源岩段划分为优质烃源岩段。
[0019]3)获取成熟勘探区中钻井的有机碳含量数据和气测录井全烃含量数据；所述成熟勘探区为与低勘探程度区同盆地内同层系或者同深度的毗邻成熟探区。
[0020]有机碳含量数据和气测录井全烃含量数据，确定所述优质烃源岩段最小的气测录井全烃含量增大倍数作为评价参数。
[0021]所述气测录井全烃含量增大倍数为气测录井全烃含量数据与气测录井全烃含量数据基值的比值；在压力平衡条件下，钻头并未进入新的油气层，上部地层中一些气体侵入钻井液，使全烃曲线出现微量变化，称这段曲线平均值为基值。
[0022]4)确定成熟烃源岩段内的高有机碳含量烃源岩段。获取低勘探程度区的声波时差和电阻率，进而计算出有机碳含量，找出其中有机碳含量大于设定值的高有机碳含量烃源岩段，将低勘探程度区中气测录井全烃含量增大倍数大于评价参数的高有机碳含量烃源岩段划分作为优质烃源岩段判别标准，对低勘探程度区进行初步筛选，也可以消除因测井误差造成的烃源岩误判，提高评价的准确性。
[0023]进一步地，在上述方法中，根据声波时差和电阻率计算有机碳含量的方法为：利用声波时差和电阻率曲线重叠的ΔLogR法计算有机碳含量。
[0024]选择声波时差和电阻率两个参数，通过ΔLogR法计算有机碳含量来预测低勘探程度区的丰度，可以对低勘探程度区进行有效筛选，减少整体的计算量。
[0025]进一步地，在上述方法中，所述设定值为1％。
[0026]将有机碳含量大于1％的岩段标定为高有机碳含量烃源岩段，提高了评价的准确度。
[0027]5)测井高有机碳烃源岩段的筛选。根据步骤1)获取成熟探区内优质烃源岩段所具有的完整烃源岩分析化验数据，确定成熟探区中优质烃源岩段，根据成熟探区中优质烃源
岩段的气测录井全烃含量数据，结合气测录井全烃含量基值，计算研究探区高有机碳烃源岩段的气测录井全烃含量数据与气测录井全烃含量基值的比值，确定出优质烃源岩段对应的气测录井全烃含量最小增大倍数(即评价参数)K。
[0028]应用步骤1)获取的低勘探程度区的气测录井全烃含量数据，确定每口井的气测录井全烃含量基值；应用步骤1)获取的低勘探程度区的气测录井全烃含量数据深度在步骤3)中获取的高有机碳烃源岩段内的气测录井全烃含量数据，得到高有机碳烃源岩段气测录井全烃含量与全烃含量基值的比值，将计算得到的比值与评价参数K进行比较，将大于等于K的层段判断为可信的高有机碳烃源岩段，小于K的层段判断为不可信高有机碳烃源岩段。
[0029]进一步地，还获取低勘探程度区的热解峰峰顶温度图版，确定低勘探程度区中设定有机质类型的腐泥型烃源岩段；步骤4)中，将低勘探程度区中气测录井全烃含量增大倍数大于评价参数的高有机碳、腐泥型、成熟的烃源岩段划分为优质烃源岩段。
[0030]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低勘探程度区优质烃源岩分布的评价方法，其特征在于，包括如下步骤：1)获取成熟勘探区中钻井的有机碳含量数据和气测录井全烃含量数据；所述成熟勘探区毗邻低勘探程度区；2)根据步骤1)中的有机碳含量数据和气测录井全烃含量数据，找出成熟勘探区中优质烃源岩段中的有机碳含量最低的标准烃源岩段，确定所述标准烃源岩段的最小的气测录井全烃含量增大倍数作为评价参数；所述气测录井全烃含量增大倍数为气测录井全烃含量数据与气测录井全烃含量数据中基值的比值；3)获取低勘探程度区内钻井的气测录井全烃含量数据，计算低勘探程度区的气测录井全烃含量增大倍数；4)将低勘探程度区中气测录井全烃含量增大倍数大于评价参数的岩段划分为优质烃源岩段。2.根据权利要求1所述的低勘探程度区优质烃源岩分布的评价方法，其特征在于，获取低勘探程度区的镜质体反射率曲线，将镜质体反射率处于设定范围内的岩段标定为成熟烃源岩段；步骤4)中，将低勘探程度区中气测录井全烃含量增大倍数大于评价参数的成熟烃源岩段划分为优质烃源岩段。3.根据权利要求2所述的低勘探程度区优质烃源岩分布的评价方法，其特征在于，获取低勘探程度区镜质体反射率曲线的方法为：获取低勘探程度区中岩心样本的岩心分析数据，所述岩心分析数据包括镜质体反射率和深度，根据镜质体反射率与深度的回归方程，计算没有岩心分析数据的岩段的镜质体反射率，得到镜质体反射率曲线。4.根据权利要求2所述的低勘探程度区优质烃源岩分布的评价...

【专利技术属性】
技术研发人员：王学军，李凤娇，周凯，袁波，齐仁理，周艳，李素华，曾传富，
申请(专利权)人：中国石油化工股份有限公司中原油田分公司勘探开发研究院，
类型：发明
国别省市：