发光器件和显示面板制造技术

本申请公开了一种发光器件和显示面板，发光器件包括第一电极、发光层和第二电极，发光层设置于第一电极上，发光层的材料包括第一种材料和第二种材料，第一种材料的导带能小于第二种材料的导带能级，且第一种材料的价带能级小于第二种材料的价带能级，其中，第一种材料包括第一发光纳米颗粒和包覆第一发光纳米颗粒的第一配体，第二种材料包括第二发光纳米颗粒和包覆第二发光纳米颗粒的第二配体，第二电极设置于发光层上。在本申请中，发光层的材料采用不同导带能级或价带能级的材料形成，从而将载流子限制在发光层中，提高了载流子的复合机率，并提高载流子的注入效率，进而提高了发光器件的发光效率。光器件的发光效率。光器件的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
发光器件和显示面板


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种发光器件和显示面板。

技术介绍

[0002]近些年，随着对量子点发光二极管性能研究的深入，器件的电流效率和寿命方面取得了很大进展，电流效率和外量子效率(External Quantum Efficiency，EQE)成正比，但是，在量子点发光二极管器件结构中，由于发光层与相邻膜层间存在着不同的能级势垒，如，发光层与电极、电子传输层或者空穴传输层之间，导致载流子向发光层注入的效率很难达到一致，载流子包括空穴和电子，即，载流子注入不平衡，且使得载流子复合区域迁移，进而导致量子点发光二极管器件的发光效率降低。
[0003]因此，目前急需一种具有高发光效率的发光器件。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种发光器件和显示面板，以解决现有技术中载流子注入不平衡的问题。
[0005]本申请提供一种发光器件，包括：
[0006]第一电极；
[0007]发光层，所述发光层设置于所述第一电极上，所述发光层的材料包括第一种材料和第二种材料，所述第一种材料的导带能级小于所述第二种材料的导带能级，且所述第一种材料的价带能级小于所述第二种材料的价带能级，其中，所述第一种材料包括第一发光纳米颗粒和包覆所述第一发光纳米颗粒的第一配体，所述第二种材料包括第二发光纳米颗粒和包覆所述第二发光纳米颗粒的第二配体；以及
[0008]第二电极，所述第二电极设置于所述发光层上。
[0009]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一种材料的发光波长和所述第二种材料的发光波长差值在2nm范围以内。
[0010]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一配体的材料选自含有疏基、羧基、卤素、胺基和膦基的化合物中的一种或几种组合；所述第二配体的材料均选自含有疏基、羧基、卤素、胺基和膦基的化合物中的一种或几种组合。
[0011]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一配体的材料选自辛硫醇、十二硫醇、苯硫醇、1，2
‑
苯硫醇、1，3
‑
苯硫醇、1，4
‑
苯硫醇、1，2
‑
乙二硫醇、3
‑
巯基丙酸、油酸、1，2
‑
乙二胺、辛胺、油胺、三正辛基膦、三丁基膦、硫氰酸铵、四丁基碘化铵、四丁基溴化铵、四丁基氯化铵和四丁基氟化铵；所述第二配体的材料选自辛硫醇、十二硫醇、苯硫醇、1，2
‑
苯硫醇、1，3
‑
苯硫醇、1，4
‑
苯硫醇、1，2
‑
乙二硫醇、3
‑
巯基丙酸、油酸、1，2
‑
乙二胺、辛胺、油胺、三正辛基膦、三丁基膦、硫氰酸铵、四丁基碘化铵、四丁基溴化铵、四丁基氯化铵和四丁基氟化铵中的一种或几种组合。
[0012]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一发光纳米颗粒选自CdSe、CdS、CdTe、
CdSeTe、CdZnS、PbSe、ZnTe、CdSeS、PbS、PbTe、HgS、HgSe、HgTe、GaN、GaP、GaAs、InP、InAs、InZnP、InGaP和InGaN中的一种；所述第二发光纳米颗粒选自CdSe、CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、PbSe、ZnTe、CdSeS、PbS、PbTe、HgS、HgSe、HgTe、GaN、GaP、GaAs、InP、InAs、InZnP、InGaP和InGaN中的一种。
[0013]可选的，在本申请的一些实施例中，所述发光层为红色发光层和绿色发光层，所述第二种材料在所述发光层的材料中的质量占比大于50％。
[0014]可选的，在本申请的一些实施例中，所述发光层为蓝色发光层，所述第一种材料在所述发光层的材料中的质量占比大于50％。
[0015]可选的，在本申请的一些实施例中，所述发光层为蓝色发光层，所述发光层的材料还包括第三种材料，所述第三种材料的导带能级大于所述第一种材料的导带能级，所述第三种材料的价带能级大于所述第一种材料的价带能级，所述第三种材料的导带能级与所述第二种材料的导带能级不同，所述第三种材料的价带能级与所述第二种材料的价带能级不同，所述第三种材料包括第三发光纳米颗粒和包覆所述第三发光纳米颗粒的第三配体，所述第三种材料的发光波长与所述第一种材料以及所述第二种材料的发光波长差值在2nm范围以内；
[0016]所述第三发光纳米颗粒选自CdSe、CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnS、PbSe、ZnTe、CdSeS、PbS、PbTe、HgS、HgSe、HgTe、GaN、GaP、GaAs、InP、InAs、InZnP、InGaP和InGaN中的一种，所述第三配体的材料选自含有疏基、羧基、卤素、胺基和膦基的化合物的一种或几种组合。
[0017]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一种材料在所述发光层的材料中的质量占比大于33.3％。
[0018]可选的，在本申请的一些实施例中，所述发光层的材料之间的导带能级的差值为大于0且小于1.5eV，且所述发光层的材料之间的价带能级的差值为大于0且小于1.5eV。
[0019]相应的，本申请还提供一种显示面板，所述显示面板包括如上任一项所述的发光器件。。
[0020]本申请公开了一种发光器件和显示面板，发光器件包括第一电极、发光层和第二电极，发光层设置于第一电极上，发光层的材料包括第一种材料和第二种材料，第一种材料的导带能级小于第二种材料的导带能级，且第一种材料的价带能级小于第二种材料的价带能级，其中，第一种材料包括第一发光纳米颗粒和包覆第一发光纳米颗粒的第一配体，第二种材料包括第二发光纳米颗粒和包覆第二发光纳米颗粒的第二配体，第二电极设置于发光层上。在本申请中，发光层的材料采用不同导带能级或者价带能级的材料形成，减小了发光层与相邻膜层之间的导带能级或者价带能级的差值，进而可以使得载流子注入平衡，进而提高了发光器件的发光效率。发光层的材料采用不同导带能级或者价带能级的材料形成，使得载流子被限制在发光层中，提高了载流子的复合机率，从而提高发光器件的发光效率以及寿命。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附
图。
[0022]图1是本申请实施例提供的发光器件的结构示意图。
[0023]图2是本申请实施例提供的发光器件的第一种材料和第二种材料的能级示意图。
[0024]图3是本申请实施例提供的发光器件的能级结构示意图。
[0025]图4是本申请实施例提供的发光器件的制备方法流程图。
[0026]图5是本申请实施例1提供的发光器件的电致发光谱图。
[0027]图6是本申请实施例2提供的发光器件的电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括：第一电极；发光层，所述发光层设置于所述第一电极上，所述发光层的材料包括第一种材料和第二种材料，所述第一种材料的导带能级小于所述第二种材料的导带能级，且所述第一种材料的价带能级小于所述第二种材料的价带能级，其中，所述第一种材料包括第一发光纳米颗粒和包覆所述第一发光纳米颗粒的第一配体，所述第二种材料包括第二发光纳米颗粒和包覆所述第二发光纳米颗粒的第二配体以及第二电极，所述第二电极设置于所述发光层上。2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一种材料的发光波长和所述第二种材料的发光波长差值在2nm范围以内。3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一配体的材料选自含有疏基、羧基、卤素、胺基和膦基的化合物中的一种或几种组合；所述第二配体的材料选自含有疏基、羧基、卤素、胺基和膦基的化合物中的一种或几种组合。4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述第一配体的材料的材料选自辛硫醇、十二硫醇、苯硫醇、1，2
‑
苯硫醇、1，3
‑
苯硫醇、1，4
‑
苯硫醇、1，2
‑
乙二硫醇、3
‑
巯基丙酸、油酸、1，2
‑
乙二胺、辛胺、油胺、三正辛基膦、三丁基膦、硫氰酸铵、四丁基碘化铵、四丁基溴化铵、四丁基氯化铵和四丁基氟化铵；所述第二配体的材料选自辛硫醇、十二硫醇、苯硫醇、1，2
‑
苯硫醇、1，3
‑
苯硫醇、1，4
‑
苯硫醇、1，2
‑
乙二硫醇、3
‑
巯基丙酸、油酸、1，2
‑
乙二胺、辛胺、油胺、三正辛基膦、三丁基膦、硫氰酸铵、四丁基碘化铵、四丁基溴化铵、四丁基氯化铵和四丁基氟化铵中的一种或几种组合。5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一发光纳米颗粒选自CdSe、CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、PbSe、ZnTe、CdSeS、PbS、PbTe、HgS、...

【专利技术属性】
技术研发人员：周礼宽，杨一行，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：