一种带有可调节修正板的蚀刻设备制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体制备技术领域，具体涉及是一种带有可调节修正板的蚀刻设备包括蚀刻机窗口，蚀刻机窗口一侧设置有离子源装置，且与离子源装置相对的一侧设置有基片承载台，基片承载台上固定有基片，其中离子源装置和基片承载台间设置有修正板组，修正板组能调节离子源装置到达基片表面离子束的能量，通过在基片与离子源装置间增加修正板组，分散强能量的等离子体或者离子束，使得基片获得能量强度均匀的等离子体离子束。同时，修正板组为两层结构，不仅可以遮挡能量强的等离子体或离子束，还可以更改等离子体或离子束的气流，使得等离子体或者离子束的气流更加均匀，通过第二层修正板，可以调节不同的形状，使得基片均匀性更好。性更好。性更好。

【技术实现步骤摘要】
一种带有可调节修正板的蚀刻设备


[0001]本技术涉及半导体制备
，具体涉及是一种带有可调节修正板的蚀刻设备。

技术介绍

[0002]在半导体器件制造中，刻蚀工艺步骤是半导体器件制备工艺中重要的步骤之一，半导体刻蚀工艺主要分为湿法刻蚀和干法刻蚀，干法刻蚀由于可各向异性，选择比可控等优点，使得电路图更加精准，因此越来越多的使用到半导体器件制程中。检验刻蚀好坏的参数有刻蚀速率，均匀性等，且这些参数直接影响半导体器件性能。
[0003]公开号为CN207082516U的中国专利公开了一种半导体晶片等离子蚀刻装置，其中包括蚀刻腔和喷气装置，其中离子流直接对基片进行蚀刻，由于其受结构的影响，需要对蚀刻均匀性进行提高的话，仅能通过调节工艺参数，使得加工难度提高。

技术实现思路

[0004]本技术针对以上问题，提供一种带有可调节修正板的蚀刻设备。
[0005]采用的技术方案是，一种带有可调节修正板的蚀刻设备包括蚀刻机窗口，蚀刻机窗口一侧设置有离子源装置，且与离子源装置相对的一侧设置有基片承载台，基片承载台上固定有基片，其中离子源装置和基片承载台间设置有修正板组，修正板组能调节离子源装置到达基片表面离子束的能量。
[0006]可选的，修正板组包括第一修正板和第二修正板，且第一修正板靠近基片承载台，第二修正板靠近离子源装置，离子源装置发出的离子束能从第一修正板和第二修正板间穿过。
[0007]可选的，蚀刻机窗口内设置有蚀刻腔，第一修正板和第二修正板的边缘与蚀刻腔内壁贴合。
[0008]进一步的，第一修正板和第二修正板呈圆形或者方形。
[0009]可选的，第一修正板内设置有透孔，第二修正板由第一抵片和第二抵片组成，且第一抵片和第二抵片间有透光间隙。
[0010]可选的，第一修正板和第二修正板间距为1um
‑
20um。
[0011]进一步的，第一修正板与基片间距为1mm
‑
50mm。
[0012]可选的，第一修正板和第二修正板材料为氧化钇、陶瓷或石墨中的一种。
[0013]本技术的有益效果至少包括以下之一；
[0014]1、通过在基片与离子源装置间增加修正板组，分散强能量的等离子体或者离子束，使得基片获得能量强度均匀的等离子体离子束。
[0015]2、同时，修正板组为两层结构，不仅可以遮挡能量强的等离子体或离子束，还可以更改等离子体或离子束的气流，使得等离子体或者离子束的气流更加均匀，通过第二层修正板，可以调节不同的形状，使得基片均匀性更好。
附图说明
[0016]图1为一种带有可调节修正板的蚀刻设备结构示意图；
[0017]图2为一种第一修正板结构示意图；
[0018]图3为一种第二修正板结构示意图；
[0019]图4为另一种第一修正板结构示意图；
[0020]图5为另一种第二修正板结构示意图；
[0021]图中标记为： 1为蚀刻机窗口、2为离子源装置、3为蚀刻腔、4为第一修正板、5为第二修正板、501为第一抵片、502为第二抵片、6为支撑杆、7为第一垫片、8为第二垫片、9为基片、10为基片承载台、11为透孔、12为透光间隙。
具体实施方式
[0022]为了使本技术的目的、技术方案及优点能够更加清晰明白，以下结合附图和实施例对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术保护内容。
[0023]在本技术的描述中，需要说明的是，术语
ꢀ“
上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制；术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性，此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0024]如图1所示，一种带有可调节修正板的蚀刻设备包括蚀刻机窗口1，蚀刻机窗口1一侧设置有离子源装置2，且与离子源装置2相对的一侧设置有基片承载台10，基片承载台10上固定有基片9，其中离子源装置2和基片承载台10间设置有修正板组，修正板组能调节离子源装置2到达基片9表面离子束的能量。
[0025]这样设计的目的在于，通过在基片与离子源装置间增加修正板组，分散强能量的等离子体或者离子束，使得基片获得能量强度均匀的等离子体离子束，能解决刻蚀工艺过程中，等离子体或者离子束分布不均匀导致的基片均匀性差的问题。
[0026]需要指出的是，本实施例提供的技术方案多是针对现有蚀刻设备离子源与基片间部分进行改进的，其他必要的如喷气结构、真空结构等等均未进行调整，因此在本实施例中并未进行赘述，并非代表本实施例提供的技术方案中并不存在以上必要设备。
[0027]同时，根据实际使用的限制，本实施例提供的蚀刻设备可以为感应耦合等离子体蚀刻设备、电容耦合高能等离子体刻蚀设备及离子束刻蚀设备。
[0028]本实施例中，修正板组包括第一修正板4和第二修正板5，且第一修正板4靠近基片承载台10，第二修正板5靠近离子源装置2，离子源装置2发出的离子束能从第一修正板4和第二修正板5间穿过，蚀刻机窗口1内设置有蚀刻腔3，第一修正板4和第二修正板5的边缘与蚀刻腔3内壁贴合，第一修正板4和第二修正板5呈圆形或者方形。
[0029]这样设计的目的在于，修正板组为两层结构，不仅可以遮挡能量强的等离子体或离子束，还可以更改等离子体或离子束的气流，使得等离子体或者离子束的气流更加均匀，通过第二层修正板，可以调节不同的形状，使得基片均匀性更好。
[0030]如图2和图3所示，提供了一种圆形结构的修正板组，其中第一修正板4内设置有透孔11，第二修正板5由第一抵片501和第二抵片502组成，且第一抵片501和第二抵片502间有透光间隙12，通过设置的第一抵片501和第二抵片502确定好哪些地方刻蚀速率过高，可以在指定位置遮挡，以达到刻蚀速率统一的目的。
[0031]如图4和图5所示，则提供了一种方形结构的修正板组，其中第一修正板4内设置有透孔11，第二修正板5由第一抵片501和第二抵片502组成，且第一抵片501和第二抵片502间有透光间隙12，通过设置的第一抵片501和第二抵片502确定好哪些地方刻蚀速率过高，可以在指定位置遮挡，以达到刻蚀速率统一的目的。
[0032]在实际使用中，当第二层修正板不启用时，有调节等离子体或离子束气流作用，当确定基片均匀性差异后，可以将第二层指定特定位置，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带有可调节修正板的蚀刻设备，包括蚀刻机窗口（1），所述蚀刻机窗口（1）一侧设置有离子源装置（2），且与离子源装置（2）相对的一侧设置有基片承载台（10），所述基片承载台（10）上固定有基片（9），其特征在于：所述离子源装置（2）和基片承载台（10）间设置有修正板组，所述修正板组能调节离子源装置（2）到达基片（9）表面离子束的能量。2.根据权利要求1所述的一种带有可调节修正板的蚀刻设备，其特征在于：所述修正板组包括第一修正板（4）和第二修正板（5），且第一修正板（4）靠近基片承载台（10），所述第二修正板（5）靠近离子源装置（2），所述离子源装置（2）发出的离子束能从第一修正板（4）和第二修正板（5）间穿过。3.根据权利要求2所述的一种带有可调节修正板的蚀刻设备，其特征在于：所述蚀刻机窗口（1）内设置有蚀刻腔（3），所述第一修正板（4）和第二修正板（5）的边缘与蚀刻腔（3）内壁贴合。4.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖亚飞，徐健，
申请(专利权)人：四川科尔威光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：