提高电致发光显示器中介质层绝缘性能的方法技术

一种提高电致发光显示器中介质层绝缘性能的方法，涉及平板显示技术领域，本发明专利技术是在玻璃基板上制备好无机下介质层、发光层、无机上介质层的表面，旋涂一层有机膜，在其上再制备金属电极的方法。本发明专利技术通过在无机介质层上制备一层有机膜的方法，增加介质层整体的耐压、可靠性，提高器件的电致发光性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于平板显示
，特别是涉及一种提高电致发光显示器中介质层绝 缘性能的方法。技术背景-无机电致发光平板显示器具有全固态、重量轻、厚度薄、视角大、结构简单等特点，能在低温、震动等恶劣环境中使用，并且可以实现大面积的彩色动态显示，有着很广阔的应用前景。传统的电致发光显示器的结构如图1所示，是由玻璃1、透明下电极2、下介质层3、发光层4、上介质层5和上电极6组成，上介质层2、下介质层3对称分布于发光层4两侧，为保证器件的耐压性能，其一般使用低介电常数介质层(介电常数低于50)。传统的电致发光显示器中上介质层2和下介质层3一般采用的是五氧化二钜、三氧化二钇、三氧化二铝、三氧化二钐、二氧化铪等低介电常数的材料，又为了保持较低的阈值电压，介质层的厚度一般只能做到300-700纳米之间，这样薄的膜在制备过程中对环境的要求高。为了保证无机EL器件的耐压和亮度，通常需要对各种无机介质薄膜材料进行复合，经过介质层的复合一定程度上提高了器件中绝缘层的可靠性。但是这样薄的材料在制作过程中依然很难完全避免针孔、灰尘介入等情况发生，而造成介质层绝缘性能下降，在测试屏时造成漏电、击穿、打火、断线等情况发生。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，所 述的这种要解决现有技术中的电致发 光显示器的器件工作时容易出现的漏电、击穿、打火、断线的技术问题。本专利技术一种，包括如下步骤一个清洗基片的步骤； 一个将透明IT0 (铟锡氧化物)下电极光刻成形的步骤， 一个 在下电极上沉积下介质层的步骤，所述的下介质层选自氧化铝、或者钛酸锶钡、或 者钛酸锶，或者氧化铝、钛酸锶钡、钛酸锶任意两个或三个的组成的复合膜； 一个 在下介质层上制备发光层的步骤，所述的发光层选自发黄光的掺锰硫化锌，或发绿 光的掺锰硅锗酸锌、或发红光的掺铕氧化镓、或发蓝光的掺铕硫代铝酸钡； 一个在 发光层上制备上介质层的步骤，所述的上介质层选自氧化哈、或者五氧化二钽、或 者氧化铝、或者氧化哈、五氧化二钽、氧化铝任意两个或者三个组成的复合膜；一 个在上介质层涂布一层有机胶的步骤，所述的有机胶为感光型光刻胶或非感光型光 刻胶，所述的光刻胶的厚度在1 7微米之间； 一个预烘的步骤； 一个表面清洁处 理的步骤，使需要镀膜的表面去除残留光刻胶或其它化学品的污染； 一个制备上电 极薄膜的步骤。进一步的，在上介质层上涂布一层感光型光刻胶有机胶的步骤中，还包括一个 曝光成形电极隔离柱的步骤； 一个坚膜的步骤； 一个显影的步骤，显影液选用纯有 机溶液，显影时间为60s 180s之间； 一个漂洗的步骤，漂洗液为纯有机溶液；一 个采用压縮气吹干的步骤。进一步的，所述下介质层通过电子束蒸发、或者磁控溅射、或者溶胶-凝胶的方 法制备。进一步的，所述的发光层通过电子束蒸发、或者磁控溅射的方法制备。 进一步的，所述的上介质层通过电子束蒸发、或者磁控溅射的方法制备，所述的上介质层厚度在300nm到1000nm之间，采用两种或三种相复合的方法。进一步的，所述的有机胶，选自PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、或者Polyimide(聚酰亚氨)、或者PVA (Polyvinylphenol)、或者PET (Polyethylene ter印hthalate)、或者PMGI。进一步的，在上介质层上涂布一层非感光型光刻胶有机胶的步骤中，所述的有机胶的厚度在50 200nm之间，上电极通过直接掩模法成形。进一步的，在上介质层上涂布一层感光型光刻胶有机胶的步骤中，经过曝光显 影成形后，形成倒三角状或倒梯形状隔离柱，有机胶的厚度控制在2 7iim之间。进一步的，在上介质层上涂布一层感光型光刻胶有机胶的步骤中，经过曝光显 影成形后，形成倒梯形状隔离柱的过程中，先涂一层PMGI的胶，预烘后再在其上涂 一层正型光刻胶，然后进行一次曝光、 一次显影，显影后的图形为T形状。进一步的，所述有机胶涂布方法为旋涂、或者滚涂、或者提拉法。进一步的，所述的预烘和所述坚膜采用热板加热方法、或者烘箱加热方法、或 者红外加热方法进行。进一步的，所述的显影方法和所述漂洗方式采用浸泡方法、或者喷淋方法、或 者浸泡与喷淋结合的方法进行。进一步的，所述的表面清洁处理，使用含氧等离子体，或者含氩等离子体，或 者含氧、氩混合体轰击处理基板；这样可以处理掉显影后可能残留的杂质，使镀膜 时的接触界面更清洁，薄膜附着力提高。进一步的，在制备上电极薄膜的步骤中，采用直接在经过光刻形成有机膜电极 隔离图形上进行电子束蒸镀或溅射的方法制备。进一步的，在制备上电极薄膜的步骤中，采用金属掩模图形在非感光有机膜上的 方法制备。进一步的，在制备上电极薄膜的步骤中，在镀膜中成形的薄膜为导电材料，所述 的薄膜的厚度在100 250nm之间。进一步的，所述的导电材料选自金属或者ITO。进一步的，在制备上电极薄膜的步骤中，镀金属电极薄膜时，采用直接蒸镀或 者金属掩模方法来蒸镀。进一步的，在制备上电极薄膜的步骤中，镀膜中成膜方式为电子束蒸发镀膜。进一步的，在制备上电极薄膜的步骤中，镀膜中成膜方式为磁控溅射镀膜。 本专利技术通过有机绝缘膜的应用增加了有机/无机复合介质层的可靠性，提高了电 致发光显示器件的耐压性能。通过旋涂、加热等过程制作的有机膜平坦度比较高， 致密性好，可以有效弥补无机介质薄膜中的一些针孔或颗粒造成的空洞、增加介质 膜表面的均匀性；所以通过有机膜的引入，可提高介质层整体的绝缘性和耐压可靠 性。将本专利技术应用于无机电致发光(EL)平板显示屏(5英寸，120x480像素)的制作， 并与未釆用有机膜，在无机介质膜上直接成形上电极的屏进行了性能测试比较。发 现采用有机膜的屏阈值电压略有提高，但是L-V曲线斜率相当，器件打火、漏电现 象等得到明显改善，并且得到了较好的5英寸单色点阵显示屏。本专利技术和已有技术相比，是通过在无机介质层上制备一层有机膜的方法，增加 了介质层整体的耐压、可靠性，提高器件的电致发光性能，减少甚至消除器件工作 时出现的漏电、打火、击穿等现象，提高电致发光显示器件工作的稳定性。附图说明图1是己有技术中的无机EL显示器件的结构示意图。 图2是本专利技术实施例1中有机光刻胶显影后图形(50X)示意图。 图3是本专利技术实施例1中2英寸无机EL屏L-V曲线示意图。 图4-1是本专利技术实施例2中进行光刻隔离柱前的屏面显微镜照片(200X)。 图4-2是本专利技术实施例2中进行光刻隔离柱后的屏面显微镜照片(100X)。 图5是本专利技术实施例3中有P讓A膜的屏A和无P丽A膜的屏B L-V测试曲线示 意图。具体实施例方式以下结合附图说明对本专利技术的实施例作进一步详细描述，但本实施例并不用于 限制本专利技术，凡是采用本专利技术的相似结构、方法及其相似变化，均应列入本专利技术的保护范围。实施例1:制作无机EL 2英寸(128x64像素)矩阵屏，工艺参数如下表1所示。首先准 备镀有IT0的基板玻璃，然后将IT0光刻成列电极图形，下介质层通过电子束蒸镀 50nm的Al20,薄膜和磁控溅射法制备800nm左右的BST、 ST薄膜，然后电子束方法制 备500nm的ZnS:Mn发光层，再通过电子束和磁控溅射法制作厚度为 100um/450um/150um的Hf02/Ta205/Al203上介质层，做好上介质层之后本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高电致发光显示器中介质层绝缘性能的方法，其特征在于，包括如下步骤：一个清洗基片的步骤；一个将透明铟锡氧化物下电极光刻成形的步骤，一个在下电极上沉积下介质层的步骤，所述的下介质层选自氧化铝、或者钛酸锶钡、或者钛酸锶，或者氧化铝、钛酸锶钡、钛酸锶任意两个或三个的组成的复合膜；一个在下介质层上制备发光层的步骤，所述的发光层选自发黄光的掺锰硫化锌，或发绿光的掺锰硅锗酸锌，或发红光的掺铕氧化镓，或发蓝光的掺铕硫代铝酸钡；一个在发光层上制备上介质层的步骤，所述的上介质层选自氧化哈、或者五氧化二钽、或者氧化铝、或者氧化哈、五氧化二钽、氧化铝任意两个或者三个组成的复合膜；一个在上介质层涂布一层有机胶的步骤，所述的有机胶为感光型光刻胶或非感光型光刻胶，所述的光刻胶的厚度在１～７微米之间；一个预烘的步骤；一个表面清洁处理的步骤，一个制备上电极薄膜的步骤。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘红君，肖田，楼均辉，
申请(专利权)人：上海广电电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]