一种抛光机的飞片监测方法、系统以及抛光机技术方案

本申请涉及抛光技术领域，尤其是涉及一种抛光机的飞片监测方法，包括：建立抛光启动前距离传感器向下检测的第一距离值、抛光过程中距离传感器向下检测的第二距离值以及偏差值的函数模型；基于每个距离传感器采集抛光启动前距离传感器向下检测的第一距离值、抛光过程中距离传感器向下检测的第二距离值以及函数模型，确认偏差值；基于偏差值判断抛光状态。解决了抛光停机次数多的技术问题，达到减少抛光停机次数的技术效果。停机次数的技术效果。停机次数的技术效果。

【技术实现步骤摘要】
一种抛光机的飞片监测方法、系统以及抛光机


[0001]本申请涉及抛光
，尤其是涉及一种抛光机的飞片监测方法、系统以及抛光机。

技术介绍

[0002]抛光在半导体加工工艺里发挥着重要作用，抛光可以实现抛片的镜面化，同时也可以提高抛片的平坦度；可以一定程度去除上一工艺步骤对抛片表面造成的损伤。
[0003]现有技术中，抛光机抛光过程中，由于抛头压力不稳定、硅片本身的材料以及厚度不够等问题，现有抛头处于抛光过程中，无法得知硅片的完整度，经常会出现硅片碎裂导致飞片的现象；当多个工位同时抛光时，若硅片从抛头中飞出，飞片会影响其他工位上正在抛光的抛头，硅片飞片是影响实际生产效率的一个重要因素，因此，当出现抛头飞片时，只能通过人工干预的方法去停止抛光过程，停机次数较多。
[0004]因此，现有技术的技术问题在于：抛光停机次数多。

技术实现思路

[0005]本申请提供一种抛光机的飞片监测方法、系统以及抛光机，解决了抛光停机次数多的技术问题，达到减少抛光停机次数的技术效果。
[0006]第一方面，本申请提供的一种抛光机的飞片监测方法，采用如下的技术方案：
[0007]一种抛光机的飞片监测方法，用于抛光机，所述抛光机具有抛头，所述抛头的底部具有一凹面，所述凹面上设置有软基垫使得所述凹面与软基垫之间形成调节腔，软基垫用于吸附抛片，通过向调节腔中充压或施压调节对硅片的抛光压力，其中，所述凹面上至少设置有多个距离传感器，所述监测方法包括：建立抛光启动前距离传感器向下检测的第一距离值、抛光过程中距离传感器向下检测的第二距离值以及偏差值的函数模型；基于每个距离传感器采集抛光启动前距离传感器向下检测的第一距离值、抛光过程中距离传感器向下检测的第二距离值以及所述函数模型，确认偏差值；基于偏差值判断抛光状态。
[0008]作为优选，所述抛光状态包括：抛光正常或异常；所述异常还包括飞片或碎片。
[0009]作为优选，建立抛光启动前距离传感器向下检测的第一距离值、抛光过程中距离传感器向下检测的第二距离值以及偏差值的函数模型：偏差值C＝|x
‑
a|；其中，x为抛光启动前距离传感器向下检测的第一距离值；a为抛光过程中距离传感器向下检测的第二距离值。
[0010]作为优选，所述凹面上设置有n个距离传感器，每个所述距离传感器均向下进行距离检测并对应得到一偏差值，所述“基于偏差值判断抛光状态”包括：定义第一预设值C
max
；若Max{C1,C2,C3,
…
,C
n
}≤C
max
，则判断抛光正常；若至少存在一距离传感器对应的偏差值C
x
满足：C
x
＞C
max
，其中，C
x
∈{C1,C2,C3,
…
,C
n
}，则判断抛光异常。
[0011]作为优选，所述“判断抛光异常”包括：定义第二预设值Z，Z＝|x
‑
d|，其中，x为抛光启动前距离传感器向下检测的第一距离值；d是指硅片从抛头取走后距离传感器检测到第
三距离值；若至少存在一距离传感器对应的偏差值C
x
满足:C
max
＜C
x
＜Z，且其余距离传感器对应的偏差值均小于所述第二预设值Z，则判断硅片碎片，且尚无飞片；若至少存在一距离传感器对应的偏差值C
x
满足:C
x
＝Z，则判断硅片碎片，且发生飞片。
[0012]第二方面，本申请提供的一种抛光机的飞片监测系统，采用如下的技术方案：
[0013]一种抛光机的飞片监测系统，用于抛光机，所述抛光机具有抛头，所述抛头的底部具有一凹面，所述凹面上设置有软基垫使得所述凹面与软基垫之间形成调节腔，软基垫用于吸附抛片，通过向调节腔中充压或施压调节对硅片的抛光压力，其中，所述凹面上至少设置有多个距离传感器，所述监测系统包括：模型建立模块，所述模型建立模块用于基于每个距离传感器，建立抛光启动前距离传感器向下检测的第一距离值、抛光过程中距离传感器向下检测的第二距离值以及偏差值的函数模型；偏差确认模块，所述偏差确认模块用于基于每个距离传感器采集抛光启动前距离传感器向下检测的第一距离值、抛光过程中距离传感器向下检测的第二距离值以及所述函数模型确认偏差值；以及状态判断模块，所述状态判断模块用于基于偏差值判断抛光状态。
[0014]作为优选，所述状态判断模块包括：第一判断模块，所述第一判断模块用于抛光正常或异常；第二判断模块，所述第二判断模块用于在抛光机异常的情况下判断硅片飞片或碎片。
[0015]作为优选，建立抛光启动前距离传感器向下检测的第一距离值、抛光过程中距离传感器向下检测的第二距离值以及偏差值的函数模型：偏差值C＝|x
‑
a|；其中，x为抛光启动前距离传感器向下检测的第一距离值；a为抛光过程中距离传感器向下检测的第二距离值。
[0016]作为优选，所述凹面上设置有n个距离传感器，每个所述距离传感器均向下进行距离检测并对应得到一偏差值，所述“基于偏差值判断抛光状态”包括：定义第一预设值C
max
；若Max{C1,C2,C3,
…
,C
n
}≤C
max
，则判断抛光正常；若至少存在一距离传感器对应的偏差值C
x
满足：C
x
＞C
max
，其中，C
x
∈{C1,C2,C3,
…
,C
n
}，则判断抛光异常。
[0017]作为优选，所述“判断抛光异常”包括：定义第二预设值Z，Z＝|x
‑
d|，其中，x为抛光启动前距离传感器向下检测的第一距离值；d是指硅片从抛头取走后距离传感器检测到第三距离值；若至少存在一距离传感器对应的偏差值C
x
满足:C
max
＜C
x
＜Z，且其余距离传感器对应的偏差值均小于所述第二预设值Z，则判断硅片碎片，且尚无飞片；若至少存在一距离传感器对应的偏差值C
x
满足:C
x
＝Z，则判断硅片碎片，且发生飞片。
[0018]第三方面，本申请提供的一种抛光机，采用如下的技术方案：
[0019]一种抛光机，包括：抛头，所述抛头的底部具有一凹面，所述凹面上设置有软基垫使得所述凹面与软基垫之间形成调节腔，软基垫用于吸附抛片，通过向调节腔中充压或施压调节对硅片的抛光压力，其中，所述凹面上至少设置有多个距离传感器；监测系统，所述监测系统为所述的监测系统，所述监测系统连接所述距离传感器，用于根据所述距离传感器反馈并判断抛光状态。
[0020]综上所述，本申请包括以下至少一种有益技术效果：
[0021]1、本申请在抛头内调节腔中设置距离传感器，距离传感器分别在抛光启动前本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抛光机的飞片监测方法，其特征在于，用于抛光机，所述抛光机具有抛头(100)，所述抛头(100)的底部具有一凹面(110)，所述凹面(110)上设置有软基垫(120)使得所述凹面(110)与软基垫(120)之间形成调节腔(130)，软基垫(120)用于吸附抛片，通过向调节腔(130)中充压或施压调节对硅片(W)的抛光压力，其中，所述凹面(110)上至少设置有多个距离传感器(140)，所述监测方法包括：建立抛光启动前距离传感器(140)向下检测的第一距离值、抛光过程中距离传感器(140)向下检测的第二距离值以及偏差值的函数模型；基于每个距离传感器(140)采集抛光启动前距离传感器(140)向下检测的第一距离值、抛光过程中距离传感器(140)向下检测的第二距离值以及所述函数模型，确认偏差值；基于偏差值判断抛光状态。2.根据权利要求1所述的一种抛光机的飞片监测方法，其特征在于，所述抛光状态包括：抛光正常或异常；所述异常还包括飞片或碎片。3.根据权利要求2所述的一种抛光机的飞片监测方法，其特征在于，建立抛光启动前距离传感器(140)向下检测的第一距离值、抛光过程中距离传感器(140)向下检测的第二距离值以及偏差值的函数模型：偏差值C＝|x
‑
a|；其中，x为抛光启动前距离传感器(140)向下检测的第一距离值；a为抛光过程中距离传感器(140)向下检测的第二距离值。4.根据权利要求3所述的一种抛光机的飞片监测方法，其特征在于，所述凹面(110)上设置有n个距离传感器(140)，每个所述距离传感器(140)均向下进行距离检测并对应得到一偏差值，所述“基于偏差值判断抛光状态”包括：定义第一预设值C
max
；若Max{C1,C2,C3,
…
,C
n
}≤C
max
，则判断抛光正常；若至少存在一距离传感器(140)对应的偏差值C
x
满足：C
x
＞C
max
，其中，C
x
∈{C1,C2,C3,
…
,C
n
}，则判断抛光异常。5.根据权利要求4中任意一项所述的一种抛光机的飞片监测方法，其特征在于，所述“判断抛光异常”包括：定义第二预设值Z，Z＝|x
‑
d|，其中，x为抛光启动前距离传感器(140)向下检测的第一距离值；d是指硅片(W)从抛头(100)取走后距离传感器(140)检测到第三距离值；若至少存在一距离传感器(140)对应的偏差值C
x
满足:C
max
＜C
x
＜Z，且其余距离传感器(140)对应的偏差值均小于所述第二预设值Z，则判断硅片(W)碎片，且尚无飞片；若至少存在一距离传感器(140)对应的偏差值C
x
满足:C
x
＝Z，则判断硅片(W)碎片，且发生飞片。6.一种抛光机的飞片监测系统，其特征在于，用于抛光机，所述抛光机具有抛头(100)，所述抛头(100)的底部具有一凹面(110)，所述凹面(110)上设置有软基垫(120)使得所述凹面(110)与软基垫(120)之间形成调节腔(130)，软基垫(120)用于吸附抛片，通过向调节腔(130)中充压或施压调节对硅片(W)的抛光压力，其中，所述凹面(110)上至少设置有多个距
离传感器(140)...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱亮，李阳健，郑猛，陈莹，黄金涛，郑晶磊，
申请(专利权)人：浙江晶盛机电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：