一种太阳能电池及光伏组件制造技术

本申请涉及一种太阳能电池及光伏组件，该太阳能电池包括基底、隧穿氧化层、掺杂导电层、本征多晶硅层和第一电极。基底具有第一表面；隧穿氧化层覆盖于第一表面；掺杂导电层覆盖于隧穿氧化层远离基底的一侧表面；本征多晶硅层设置于掺杂导电层远离隧穿氧化层的一侧；多个第一电极设置于本征多晶硅层远离掺杂导电层的一侧，多个第一电极与掺杂导电层电连接；第一电极的至少部分位于本征多晶硅层内，且第一电极的顶端与基底之间存在间隔。能够防止隧穿氧化层被破坏，使得第一表面处能够保持良好的界面钝化效果，避免了载流子复合增加，进而能够提高太阳能电池的光电转换效率，使得太阳能电池的正面电池效率、背面电池效率和电池双面率均得到增加。率均得到增加。率均得到增加。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池及光伏组件


[0001]本申请涉及太阳能电池
，尤其涉及一种太阳能电池及光伏组件。

技术介绍

[0002]太阳能电池能够将太阳辐射能直接转换为电能，为了抑制太阳能电池基底表面的载流子复合，通常会在基底表面制备隧穿氧化层和掺杂导电层，以增强对基底的钝化效果。
[0003]现有技术中，太阳能电池的电极容易穿透遂穿氧化层而与基底相接触，导致基底表面的钝化效果被破坏，使得载流子复合增加，影响了太阳能电池的光电转化效率。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种太阳能电池及光伏组件，能够提高太阳能电池的光电转化效率。
[0005]本申请第一方面提供一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：
[0006]基底，所述基底具有第一表面；
[0007]隧穿氧化层，所述隧穿氧化层覆盖于所述第一表面；
[0008]掺杂导电层，所述掺杂导电层覆盖于所述隧穿氧化层远离所述基底的一侧表面；
[0009]本征多晶硅层，所述本征多晶硅层设置于所述掺杂导电层远离所述隧穿氧化层的一侧；
[0010]第一电极，多个所述第一电极设置于所述本征多晶硅层远离所述掺杂导电层的一侧，多个所述第一电极与所述掺杂导电层电连接；
[0011]所述第一电极的至少部分位于所述本征多晶硅层内，且所述第一电极的顶端与所述基底之间存在间隔。
[0012]在一种可能的设计中，所述本征多晶硅层覆盖于所述掺杂导电层远离所述隧穿氧化层一侧的全部表面。
[0013]在一种可能的设计中，所述太阳能电池还包括第一钝化层，所述第一钝化层覆盖于所述本征多晶硅层远离所述掺杂导电层的一侧表面。
[0014]在一种可能的设计中，所述本征多晶硅层包括多个覆盖部，所述覆盖部用于覆盖所述掺杂导电层远离所述隧穿氧化层的一侧表面；多个所述覆盖部分别覆盖于所述掺杂导电层上与多个所述第一电极相对应的部位。
[0015]在一种可能的设计中，所述太阳能电池还包括第一钝化层，一部分所述第一钝化层覆盖于所述掺杂导电层上未设置所述覆盖部的部位，另一部分所述第一钝化层覆盖于所述覆盖部远离所述掺杂导电层的一侧表面。
[0016]在一种可能的设计中，所述本征多晶硅层的厚度D1满足：10nm≤D1≤80nm。
[0017]在一种可能的设计中，所述太阳能电池还包括局部掺杂区域，所述局部掺杂区域分别与所述第一电极、所述本征多晶硅层和所述掺杂导电层相连接，以使所述第一电极与所述掺杂导电层电连接。
[0018]在一种可能的设计中，所述第一电极为金属电极，所述第一电极与所述掺杂导电层具有相同导电类型的掺杂元素，且所述第一电极的掺杂浓度大于所述掺杂导电层的掺杂浓度；所述第一电极中的所述掺杂元素朝向所述掺杂导电层的方向渗透，以形成所述局部掺杂区域。
[0019]在一种可能的设计中，所述掺杂导电层中所述掺杂元素的浓度为1
×
10
20
atoms/cm3～1
×
10
21
atoms/cm3。
[0020]在一种可能的设计中，所述局部掺杂区域中所述掺杂元素的浓度为1
×
10
19
atoms/cm3～1
×
10
20
atoms/cm3。
[0021]在一种可能的设计中，所述第一电极与所述基底具有相同导电类型的所述掺杂元素。
[0022]在一种可能的设计中，所述第一电极与所述基底具有不同导电类型的所述掺杂元素。
[0023]在一种可能的设计中，所述局部掺杂区域的截面积为1
×
10
‑8mm2～1
×
10
‑6mm2。
[0024]在一种可能的设计中，所述第一电极包括本体和沿所述本体朝向所述掺杂导电层的方向延伸的延伸部；所述延伸部位于所述本征多晶硅层和/或所述掺杂导电层内，且所述延伸部的顶端与所述基底之间存在间隔，所述局部掺杂区域包覆于所述延伸部。
[0025]在一种可能的设计中，所述延伸部包括第一部分和第二部分，所述第一部分与所述本体相连接，所述第二部分与所述本体和所述第一部分之间均存在间隔；一部分所述局部掺杂区域包覆于所述第一部分，另一部分所述局部掺杂区域包覆于所述第二部分。
[0026]在一种可能的设计中，所述掺杂导电层的厚度D2满足：10nm≤D2≤80nm。
[0027]在一种可能的设计中，所述基底还具有与所述第一表面相对设置的第二表面；
[0028]所述太阳能电池还包括：
[0029]发射极，所述发射极设置于所述第二表面；
[0030]第二电极，多个所述第二电极设置于所述发射极远离所述基底的一侧，多个所述第二电极与所述发射极电连接；
[0031]第二钝化层，所述第二钝化层覆盖于所述发射极远离所述基底的一侧表面。
[0032]本申请第二方面提供一种光伏组件，所述光伏组件包括：
[0033]电池串，所述电池串由多个太阳能电池连接而成，所述太阳能电池为以上所述的太阳能电池；
[0034]封装层，所述封装层用于覆盖所述电池串的表面；
[0035]盖板，所述盖板用于覆盖所述封装层远离所述电池串的表面。
[0036]本申请中，通过设置本征多晶硅层，能够防止第一电极穿透隧穿氧化层而与基底产生接触，避免了隧穿氧化层被破坏，从而使得第一表面处能够保持良好的界面钝化效果，避免了载流子复合增加，进而能够提高太阳能电池的光电转换效率，使得太阳能电池的正面电池效率、背面电池效率和电池双面率均得到增加。并且，本征多晶硅层中没有掺杂，其吸光系数相比于掺杂导电层低很多，因此设置本征多晶硅层还能够降低太阳能电池的光学损失，提高了太阳能电池对光能的利用率。
[0037]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本申请。
附图说明
[0038]图1为本申请所提供的太阳能电池在第一种具体实施例中的剖面结构示意图；
[0039]图2为本申请所提供的太阳能电池在第二种具体实施例中的剖面结构示意图；
[0040]图3为图1中A部分的放大图；
[0041]图4为本申请所提供的光伏组件的结构示意图。
[0042]附图标记：
[0043]1‑
基底；
[0044]1a
‑
第一表面；
[0045]1b
‑
第二表面；
[0046]2‑
隧穿氧化层；
[0047]3‑
掺杂导电层；
[0048]4‑
本征多晶硅层；
[0049]41
‑
覆盖部；
[0050]5‑
第一电极；
[0051]51
‑
本体；
[0052]52
‑
延伸部；
[0053]521
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括：基底(1)，所述基底(1)具有第一表面(1a)；隧穿氧化层(2)，所述隧穿氧化层(2)覆盖于所述第一表面(1a)；掺杂导电层(3)，所述掺杂导电层(3)覆盖于所述隧穿氧化层(2)远离所述基底(1)的一侧表面；本征多晶硅层(4)，所述本征多晶硅层(4)设置于所述掺杂导电层(3)远离所述隧穿氧化层(2)的一侧；第一电极(5)，多个所述第一电极(5)设置于所述本征多晶硅层(4)远离所述掺杂导电层(3)的一侧，多个所述第一电极(5)与所述掺杂导电层(3)电连接；所述第一电极(5)的至少部分位于所述本征多晶硅层(4)内，且所述第一电极(5)的顶端与所述基底(1)之间存在间隔。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述本征多晶硅层(4)覆盖于所述掺杂导电层(3)远离所述隧穿氧化层(2)一侧的全部表面。3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括第一钝化层(7)，所述第一钝化层(7)覆盖于所述本征多晶硅层(4)远离所述掺杂导电层(3)的一侧表面。4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述本征多晶硅层(4)包括多个覆盖部(41)，所述覆盖部(41)用于覆盖所述掺杂导电层(3)远离所述隧穿氧化层(2)的一侧表面；多个所述覆盖部(41)分别覆盖于所述掺杂导电层(3)上与多个所述第一电极(5)相对应的部位。5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括第一钝化层(7)，一部分所述第一钝化层(7)覆盖于所述掺杂导电层(3)上未设置所述覆盖部(41)的部位，另一部分所述第一钝化层(7)覆盖于所述覆盖部(41)远离所述掺杂导电层(3)的一侧表面。6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述本征多晶硅层(4)的厚度D1满足：10nm≤D1≤80nm。7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括局部掺杂区域(6)，所述局部掺杂区域(6)分别与所述第一电极(5)、所述本征多晶硅层(4)和所述掺杂导电层(3)相连接，以使所述第一电极(5)与所述掺杂导电层(3)电连接。8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一电极(5)为金属电极，所述第一电极(5)与所述掺杂导电层(3)具有相同导电类型的掺杂元素，且所述第一电极(5)的掺杂浓度大于所述掺杂导电层(3)的掺杂浓度；所述第一电极(5)中的所述掺杂元素朝向所述掺杂导电层(3)的方向渗透，以形成所述局部掺杂区域(6)。9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂导电层(3)中所述掺杂元素的浓度为1
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【专利技术属性】
技术研发人员：金井升，廖光明，
申请(专利权)人：晶科能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：