用于厚电介质电致发光显示器的含有氧化镁的阻挡层制造技术

提供一种新型层压制品，以提高用于交流厚膜电介质电致发光显示器的基于硫代铝酸盐的荧光材料的运行稳定性。此新型结构包括稀土激活的碱土硫代铝酸盐荧光体薄膜层和直接与荧光体薄膜层底部相邻并接触的氧化镁层或含有氧化镁的层。本发明专利技术特别适用于电致发光显示器用的荧光体，该电致发光显示器采用的厚膜电介质层经工艺中的高温形成并激活荧光体膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及提高用于采用厚膜高电介质常数电介质层的全彩色交 流(ac)电致发光显示器的荧光体的亮度和运行稳定性。更具体地，本 专利技术提供含有氧化镁的层与荧光体层接触来防止荧光体的劣化。
技术介绍
与薄膜电致发光(TFEL)显示器相比(如美国专利5，432，015所 示例)，厚膜电介质结构提供很强的抗电介质击穿能力，以及降低了 的运行电压。厚膜电介质结构还能增加注入荧光体膜的电荷量，来提 供比TFEL显示器更高的亮度。全彩色厚电介质电致发光显示器在申请 人的共同未决国际专利申请WO 2004/036961中描述。这些显示器使用 高亮度蓝光荧光材料来直接照亮蓝色亚像素和色彩转换材料来将蓝光 下变频成红色或绿色光，得到红色和绿色亚像素。厚膜电介质电致发 光显示器中使用的优选蓝光荧光材料是铕激发的硫代铝酸钡。厚膜电致发光显示器可完全达到基于阴极射线管(CRT)的显示 器的亮度和色谱能力。然而，其运行稳定性与CRT相比仍显不足。氧化镁层已在有机电致发光显示器中使用，来防止有机电致发光 显示器受到周围潮气，氧化镁层已在如美国专利4,429,303， 4,547,702， 4,849,674， 5,319,282， 5，466，990， 5,1卯，333， 6,087,766， 6，023，258， 6,111，353 ， 6，207，302 ， 6,147,456 ， 6,414,442和美国专利申i青 2003/0073042和2004/0159903中描述的显示器的薄膜结构中使用，但 还没有用在无机电致发光显示器中来在无机荧光体膜和邻近的电介质 层之间提供化学隔绝的报导，尤其是化学复杂的厚膜电介质层，其具 有在显示器制造和随后的显示器运行过程中与临近的荧光体层反应的趋势。氧化铝层已被用来提供厚介质层和荧光体层之间的化学隔绝方 法，然而，当荧光体是通过溅射而不是蒸发来沉积时，其作用减弱。 荧光体的溅射工艺可使下部薄电介质层受到高能离子的轰击，可能造 成薄电介质层的劣化。氧化镁已被用于覆盖彩色等离子体显示器中的 荧光粉，来将荧光材料与发射紫外线的像素等离子体的恶劣环境隔开。仍需要为厚膜电介质电致发光显示器提供改进，将进一步提高此 处提供的荧光体的亮度，并以最小劣化而延长其运行寿命。
技术实现思路
本专利技术为掺有稀土激活剂的碱土硫代铝酸盐薄膜荧光体提供延长 了的运行寿命。此延长的运行寿命通过布置氧化镁或含有氧化镁的阻 挡层直接与荧光体的底部相接触而获得。氧化镁或含有氧化镁的阻挡 层由此位于显示器的厚电介质结构和荧光体层之间，使其与荧光体层 接触。在本专利技术的其它情况中，可布置第二个氧化镁或含有氧化镁的 阻挡层，使其直接与电致发光显示器中使用的上电极附近的荧光体的 顶部相邻。本专利技术的氧化镁层或含有氧化镁的层用作对可造成荧光材料的亮 度降低的化学物质的阻挡物。在本专利技术的各情况中，氧化镁层或含有氧化镁的层可包括附加元 素，从钡、铝及其混合物中选择，但不仅限于此。根据本专利技术的一种情况，提供厚电介质膜电致发光装置的改进了 的荧光体结构，所述结构包括稀土激活的碱土硫代铝酸盐荧光体薄膜层；氧化镁层或含有氧化镁的层，其布置为直接与所述荧光体薄膜层的底部相邻。根据本专利技术的一种情况，提供厚电介质膜电致发光装置的改进了 的荧光体结构，所述结构包括-稀土激活的碱土硫代铝酸盐荧光体薄膜层；氧化镁层或含有氧化镁的层，其布置为直接与所述荧光体薄膜层 的底部相邻。根据本专利技术的另一情况，是一种用于厚膜电介质电致发光显示器 的荧光体层压制品，所述层压制品包括(a) 稀土激活的碱土硫代铝酸盐荧光体薄膜层；(b) 氧化镁层或含有氧化镁的层，其布置为直接与底部相邻，与所 述荧光体薄膜层接触；以及(C)厚膜电介质层，与所述氧化镁层或含有氧化镁的层的底部表面 相邻。根据本专利技术的另一情况，是一种用于厚膜电介质电致发光显示器 的荧光体层压制品，所述层压制品包括(a) 稀土激活的碱土硫代铝酸盐荧光体薄膜层；(b) 氧化镁层或含有氧化镁的层，其布置为直接与底部相邻，与所 述荧光体薄膜层接触；以及(C)厚膜电介质层，与所述氧化镁层或含有氧化镁的层的底部表面 相邻。在各情况中，所述荧光体层压制品还可在(b)和(C)之间包括一个钛 酸钡层。在本专利技术另外的情况中，氮化硅、氮化铝和/或氧化铝层可布 置为直接与不和荧光体层接触的氧化镁层或含有氧化镁的层的表面相 邻并接触。在另外的情况中，所述荧光体层压制品还可包括在钛酸钡 和氧化铝层之间的钽酸钡层。根据本专利技术的另一情况，是一种用于厚电介质膜电致发光装置的 荧光体层压制品，所述层压制品包括稀土激活的硫代铝酸钡荧光体薄膜层；氧化镁层或含有氧化镁的层，其布置为直接与所述荧光体薄膜层 底部相邻并接触；以及厚膜电介质层，与所述氧化镁层或含有氧化镁的层相邻。根据本专利技术的另一情况，是一种厚膜电介质电致发光装置，包括 铕激活的硫代铝酸钡荧光体；氧化镁层或含有氧化镁的层，直接与所述荧光体底部表面相邻；以及厚膜电介质层，与所述氧化镁层或含有氧化镁的层相邻。根据本专利技术的另一情况，是一种厚膜电介质电致发光装置，包括 硫代铝酸盐荧光体层，表达式为ABxC1+3x/2 :RE，其中A是Mg、 Ca、Sr或Ba中的至少一种；B是A1、 Ga或In中的至少一种；C是S或Se中的至少一种；2SxS4; RE从铕和铈中选择；以及氧化镁层或含有氧化镁的层，其布置为直接与所述荧光体层的底部表面相邻。根据本专利技术的另一情况，是一种厚膜电介质电致发光装置，包括刚性耐热基板；邻近所述基板的上表面的电极层； 邻近所述电极层的厚膜电介质层；邻近所述厚膜电介质层的含有或由氧化镁组成的层；以及 直接与所述的含有或由氧化镁组成的层接触的荧光体层。在进一步的情况中，所述装置可包括可选的与所述厚膜电介质层 相邻的钛酸钡层。在其它情况中，该装置可包括与不和所述荧光体层 接触的氧化镁层或含有氧化镁的层的表面直接相邻并接触的氮化硅、氮化铝和/或氧化铝层。在其它情况中，装置还可包括在氮化铝和/或氧 化铝层与钛酸钡层之间的钽酸钡层。本专利技术的其它特征和优点将在随后的详细描述中显而易见。应理 解的是，示出了本专利技术的实施例的详细描述和具体实例只是示范性的， 因此根据本专利技术的范围的各种变化和改变将对于本领域技术人员是显 而易见的。附图说明参考此处给出的描述和附图，本专利技术将变得更清楚。附图仅是说 明性质并不意味着限制本专利技术的范围。图1是厚膜电介质电致发光装置的横截面示意图，示出了本专利技术 的氧化镁层的位置。图2示出图l装置的进一步的实施例。图3示出图l装置的进一步的实施例。 图4示出图l装置的进一步的实施例。 图5示出图l装置的进一步的实施例。图6示出了亮度作为两个含有硫代铝酸钡荧光体的电致发光装置 运行时间的函数的图， 一装置有根据本专利技术的氧化镁层，另一装置没 有氧化镁层。图7示出了亮度作为两个含有硫代铝酸钡并增加了铕含量的荧光 体的电致发光装置运行时间的函数的图， 一装置有根据本专利技术的氧化 镁层，另一装置没有氧化镁层。图8示出了亮度作为含有硫代铝酸钡荧光体、以及薄膜电介质层 与本专利技术氧化镁层不同组合的电致发光装置运行时间的函数的图。图9示出了亮度作为两个电致发光装置运行时间的函数的图，一 个装置含有硫代铝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于厚电介质膜电致发光装置的荧光体层压制品，所述层压制品包括：－稀土激活的碱土硫代铝酸盐荧光体薄膜层；－氧化镁层或含有氧化镁的层，其布置为直接邻近所述荧光体薄膜层的底部并与该底部接触；以及－厚膜电介质层，邻近所述氧化镁层或含有氧化镁的层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉田功，浜田弘喜，乔阿基奥内，辛永保，于三，
申请(专利权)人：伊菲雷知识产权公司，三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：CA[加拿大]