一种含钪靶材的抛光清洁方法技术

本发明专利技术公开了一种含钪靶材的抛光清洁方法，属于靶材技术领域，包括以下步骤：依次在两轴抛光机中进行粗磨、精磨、粗抛、精抛，精抛完成后清洁、烘干。本发明专利技术通过对含钪靶材进行粗磨、精磨、粗抛、精抛，能够有效的清除靶材表面的氧化物、异物，消除靶材表面色差，同时对靶材的损耗小，本发明专利技术通过控制粗磨、精磨、粗抛、精抛的研磨布以及抛光机的转速和压力，保证每一个位置的抛光平面度、粗糙度一致，通过使用不同粒度的百洁布搭配有机溶剂进行研磨能够去除油污、氧化物，利用抛光海绵，用混合抛光液，使靶材表面抛光接近镜面，去除靶材表面氧化、油污和色差的同时降低靶材表面粗糙度，提高靶材平面度。材平面度。材平面度。

【技术实现步骤摘要】
一种含钪靶材的抛光清洁方法


[0001]本专利技术涉及靶材
，具体一种含钪靶材的抛光清洁方法。

技术介绍

[0002]ScAl由于其优异的压电性能，被广泛应于MEMS传感器、滤波器芯片以及集成电路等领域。随着钪含量的提高，ScAl薄膜压电性能明显提高，当Sc含量达到43at％时，其压电性能达到最强。在靶材切割过程中靶材表面被冷却液侵蚀氧化，形成氧化斑点、油污色差，靶材绑定过程中由于高温也会导致靶材溅射面氧化，靶材在CNC加工或磨床加工溅射面时会产生刀痕，影响靶材溅射面粗糙度和发货外观，其次影响靶材纯度以及客户使用，而随着钪含量的增加铝钪合金靶材的硬度和脆性也明显增加，这对靶材表面抛光处理带来了一定的难度。
[0003]靶材加工后期靶材厚度加工至成品尺寸后由于切割、绑定、缺陷检测、喷砂操作等可能会导致靶材溅射面被污染，产生氧化和色差，由于靶材厚度余量较小，继续机加工可能导致靶材厚度不合格，抛光清洁可以有效去除靶材表面氧化物、异物和色差，同时对靶材损耗较小，人工抛光时由于人为因素可能导致靶材不同位置抛光深度不同导致靶材平面度极差。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种含钪靶材的抛光清洁方法，在去除靶材表面氧化、油污和色差的同时降低靶材表面粗糙度，提高靶材平面度。
[0005]为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：
[0006]一种含钪靶材的抛光清洁方法，包括以下步骤：
[0007]依次在两轴抛光机中进行粗磨、精磨、粗抛、精抛，精抛完成后清洁、烘干；
[0008]所述粗磨使用粒度为180～320目的研磨布进行研磨，抛光机的转速1200～1800r/min，研磨剂为有机溶剂，研磨压力为10～60Kpa；
[0009]所述精磨使用粒度为320～400目的研磨布进行研磨，抛光机的转速1500～2500r/min，研磨剂为有机溶剂，研磨压力为10～60Kpa；
[0010]所述粗抛使用粒度为320～400目的研磨布进行抛光，抛光机的转速1500～2500r/min，抛光剂为金刚石抛光液，抛光压力为10～30Kpa；
[0011]所述精抛使用抛光海绵进行抛光，抛光机的转速2500～3000r/min，抛光剂为混合抛光液，抛光压力为10～20Kpa。
[0012]作为本专利技术的优选实施方案，所述含钪靶材中的钪含量≥25at％。
[0013]作为本专利技术的优选实施方案，所述含钪靶材包括铝钪靶材或钪镓靶材。
[0014]作为本专利技术的优选实施方案，所述有机溶剂包括无水乙醇、异丙醇中的至少一种。
[0015]作为本专利技术的优选实施方案，所述粗磨采用8689百洁布。
[0016]作为本专利技术的优选实施方案，所述精磨采用7447百洁布。
[0017]作为本专利技术的优选实施方案，所述粗磨采用7447百洁布。
[0018]作为本专利技术的优选实施方案，所述混合抛光液包括金刚石抛光液和有机溶剂。
[0019]作为本专利技术的优选实施方案，所述清洁具体为：采用有机溶剂对靶材进行超声清洗或者采用有机溶剂对靶材进行擦拭。
[0020]作为本专利技术的优选实施方案，所述粗磨、精磨、粗抛、精抛时，Y轴移动速度均为10～50mm/s，当Y轴方向完成研磨后X轴均步进50～100mm，直至研磨面覆盖整个靶材。
[0021]本专利技术的有益效果在于：(1)本专利技术通过对含钪靶材进行粗磨、精磨、粗抛、精抛，能够有效的清除靶材表面的氧化物、异物，消除靶材表面色差，同时对靶材的损耗小，本专利技术通过控制粗磨、精磨、粗抛、精抛的研磨布以及抛光机的转速和压力，保证每一个位置的抛光平面度、粗糙度一致，通过使用不同粒度的百洁布搭配有机溶剂进行研磨能够去除油污、氧化物，利用抛光海绵，用混合抛光液，使靶材表面抛光接近镜面，去除靶材表面氧化、油污和色差的同时降低靶材表面粗糙度，提高靶材平面度；(2)在粗磨、精磨以及粗抛的过程中，需要以有机溶剂作为研磨剂，一方面，高钪含量的铝钪靶材性质较脆，研磨导致的靶材温度不均匀，可能会导致靶材破裂，在研磨过程中，以有机溶剂作为研磨剂，能够起到良好的降温作用，防止靶材破裂，另外一方面，研磨物不及时带走，会加深靶材表面研磨痕迹，也不便于观察表面研磨情况，有机溶剂能够起到冲刷研磨物的作用；通过本专利技术所述的精抛能够得到具有镜面效果的靶材，若单纯的用抛光海绵，而不加混合抛光剂，海绵粗糙度有限，不能实现镜面效果。
附图说明
[0022]图1为实施例1所述的铝钪靶材未处理前的图；
[0023]图2为实施例1所述的铝钪靶材处理后的图。
具体实施方式
[0024]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0025]本专利技术中，以开放式描述的技术特征中，包括所列举特征组成的封闭式技术方案，也包括包含所列举特征的开放式技术方案。
[0026]本专利技术中，涉及到数值区间，如无特别说明，上述数值区间内视为连续，且包括该范围的最小值及最大值，以及这种最小值与最大值之间的每一个值。进一步地，当范围是指整数时，包括该范围的最小值与最大值之间的每一个整数。此外，当提供多个范围描述特征或特性时，可以合并该范围。换言之，除非另有指明，否则本文中所公开之所有范围应理解为包括其中所归入的任何及所有的子范围。
[0027]在本专利技术中，具体的分散、搅拌处理方式没有特别限制。
[0028]在本专利技术中，除特别声明，所述的份均为质量份。
[0029]本专利技术所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。
[0030]本专利技术实施例提供了一种含钪靶材的抛光清洁方法，包括以下步骤：
[0031]依次在两轴抛光机中进行粗磨、精磨、粗抛、精抛，精抛完成后清洁、烘干；
[0032]所述粗磨使用粒度为180～320目的研磨布进行研磨，抛光机的转速1200～1800r/min，研磨剂为有机溶剂，研磨压力为10～60Kpa；
[0033]所述精磨使用粒度为320～400目的研磨布进行研磨，抛光机的转速1500～2500r/min，研磨剂为有机溶剂，研磨压力为10～60Kpa；
[0034]所述粗抛使用粒度为320～400目的研磨布进行抛光，抛光机的转速1500～2500r/min，抛光剂为金刚石抛光液，抛光压力为10～30Kpa；
[0035]所述精抛使用抛光海绵进行抛光，抛光机的转速2500～3000r/min，抛光剂为混合抛光液，抛光压力为10～20Kpa。
[0036]本专利技术通过对含钪靶材进行粗磨、精磨、粗抛、精抛，能够有效的清除靶材表面的氧化物、异物，消除靶材表面色差，同时对靶材的损耗小，本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含钪靶材的抛光清洁方法，其特征在于，包括以下步骤：依次在两轴抛光机中进行粗磨、精磨、粗抛、精抛，精抛完成后清洁、烘干；所述粗磨使用粒度为180～320目的研磨布进行研磨，抛光机的转速1200～1800r/min，研磨剂为有机溶剂，研磨压力为10～60Kpa；所述精磨使用粒度为320～400目的研磨布进行研磨，抛光机的转速1500～2500r/min，研磨剂为有机溶剂，研磨压力为10～60Kpa；所述粗抛使用粒度为320～400目的研磨布进行抛光，抛光机的转速1500～2500r/min，抛光剂为金刚石抛光液，抛光压力为10～30Kpa；所述精抛使用抛光海绵进行抛光，抛光机的转速2500～3000r/min，抛光剂为混合抛光液，抛光压力为10～20Kpa。2.根据权利要求1所述的含钪靶材的抛光清洁方法，其特征在于，所述含钪靶材中的钪含量≥25at％。3.根据权利要求1所述的含钪靶材的抛光清洁方法，其特征在于，所述含钪靶材包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：张俊飞，蔡新志，童培云，朱刘，
申请(专利权)人：先导薄膜材料广东有限公司，
类型：发明
国别省市：