LED芯片及其制作方法、电子设备及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种LED芯片，包括：玻璃片，形成于所述玻璃片上的第二LED晶粒；第一反射镜层，形成于所述第二LED晶粒上；其中，所述第一反射镜层的尺寸适配于所述第二LED晶粒的尺寸；第一胶层；第一LED晶粒，通过所述第一胶层粘结于所述第一反射镜层上；其中，所述第一LED晶粒的尺寸适配于所述第一反射镜层的尺寸。本发明专利技术提供的技术方案，相较于现有技术中的蓝宝石衬底而言，解决了透光率受限的问题，实现了垂直堆叠的LED芯片的亮度进一步提高的技术效果。果。果。

【技术实现步骤摘要】
LED芯片及其制作方法、电子设备及其制作方法


[0001]本专利技术涉及LED芯片领域，尤其涉及一种LED芯片及其制作方法、电子设备及其制作方法。

技术介绍

[0002]许多研究小组和公司都对微发光二极管(microLEDs)感兴趣，因为它们适合于下一代显示器，如智能眼镜、头戴显示器(HMDs)。与有机led(oled)或液晶显示器(液晶显示器)等传统的显示器光源相比，无机led具有功耗低、亮度高、响应时间短、使用寿命长等优点。虽然无机led有许多优点，但从一个芯片实现高分辨率微(RGB)彩色可控光源仍然具有挑战性。关于应用于光通信或显示器的微led的研究已经有许多报道，但所开发的led仅限于一种彩色光源。外延生长的无机LED结构只有单色光发射，并要求制作的红、绿和蓝分别安排进行全色发射。同时，目前最多采用横向排列的RGB LED芯片，然而，红色、绿色、蓝色LED芯片的横向排列需要三倍大的空间，因此需要减少芯片尺寸和集成技术。因此，需要一种创新的解决方案来实现高分辨率的全彩微led显示器。许多外延结构和制造方法已经被提出来实现各种颜色的发射从一个单像素的LED。
[0003]一些研究小组引入了InGaN/GaN纳米棒或微金字塔形LED结构，并通过改变电流注入密度，证明了蓝色到红光的发射。
[0004]一个值得注意的发展是，发光的颜色可以从具有纳米或微观结构的外延生长的晶片中发生变化。然而，这些纳米或微观结构需要复杂的生长技术，并有不可避免的外变异，很难用于工业用途。
[0005]作为另一种方法，一些研究小组通过垂直堆叠RGB LED芯片，实现了从一个像素位置发射的各种发光颜色。虽然这种结构可以在一个像素中覆盖全色，但由于难以处理每个像素，它不容易应用于显示器。对于彩色可调谐像素led，必须仔细考虑金属化、布线与驱动电路的连接。
[0006]现有技术中的蓝宝石衬底，透光率较低，形成的芯片亮度较低。
[0007]因而研发一种可以独立地处理许多绿色子像素和蓝色子像素，且适用于具有高分辨率的显示器，同时具有较高芯片亮度的LED芯片，成为本领域技术人员亟待要解决的技术重点。

技术实现思路

[0008]本专利技术提供一种LED芯片及其制作方法、电子设备及其制作方法，以解决LED芯片的透光率受限的问题。
[0009]根据本专利技术的第一方面，提供了一种LED芯片，包括：
[0010]玻璃片，形成于所述玻璃片上的第二LED晶粒；
[0011]第一反射镜层，形成于所述第二LED晶粒上；其中，所述第一反射镜层的尺寸适配于所述第二LED晶粒的尺寸；
[0012]第一胶层；
[0013]第一LED晶粒，通过所述第一胶层粘结于所述第一反射镜层上；其中，所述第一LED晶粒的尺寸适配于所述第一反射镜层的尺寸。
[0014]可选的，所述第一LED晶粒包括：
[0015]第一发光叠层，具体包括：形成于所述第一胶层上的第一N型外延层；所述第一N型外延层包括一级台阶和二级台阶，沿远离所述第一N型外延层的方向依次形成于所述第一N型外延层的二级台阶上的第一发光层、第一P型外延层以及第一电流拓展层；
[0016]第一P电极，形成于所述第一电流拓展层上；
[0017]第一N电极，形成于所述第一N型外延层的一级台阶上。
[0018]可选的，所述第二LED晶粒包括：
[0019]第二发光叠层，具体包括：形成于所述玻璃片上的第二N型外延层；所述第二N型外延层包括一级台阶和二级台阶，沿远离所述第二N型外延层方向上，依次堆叠于所述第二N型外延层的第二台阶上的第二发光层、第二P型外延层以及第二电流拓展层；
[0020]其中，所述第一反射镜层形成于部分所述第二电流拓展层上，以暴露出部分所述第二电流拓展层；
[0021]第二P电极，形成于暴露出来的所述第二电流拓展层上；
[0022]第二N电极，形成于所述第二N型外延层的第一台阶上；
[0023]其中，所述第一P电极和所述第二P电极形成所述LED芯片的P电极；所述第一N电极和所述第二N电极形成所述LED芯片的N电极。
[0024]可选的，LED芯片还包括：钝化层，覆盖所述第一发光叠层与所述第二发光叠层的表面以及侧壁。
[0025]可选的，所述LED芯片还包括：
[0026]第二反射镜层和第二胶层，所述第二LED晶粒通过所述第二胶层粘结于所述第二反射镜层上；其中，所述第二反射镜层的尺寸适配于所述第二LED晶粒的尺寸；
[0027]第三LED晶粒，形成于所述玻璃片与所述第二反射镜层之间；其中，所述第三LED晶粒的尺寸适配于所述第二反射镜层的尺寸。
[0028]可选的，所述第三LED晶粒包括：
[0029]第三发光叠层，具体包括：第三发光叠层；具体包括：形成于所述玻璃片上的第三N型外延层；所述第三N型外延层包括一级台阶和二级台阶，沿远离所述第三N型外延层方向上，依次堆叠于所述第三N型外延层的第三台阶上的第三发光层、第三P型外延层以及第三电流拓展层；
[0030]其中，所述第二反射镜层形成于部分所述第三电流拓展层上，以暴露出部分所述第三电流拓展层；
[0031]第三P电极，形成于暴露出来的所述第三电流拓展层上；
[0032]第三N电极，形成于所述第三N型外延层的所述第一台阶上；
[0033]其中，所述第一P电极、所述第二P电极以及所述第三P电极形成所述LED芯片的P电极；所述第一N电极、所述第二N电极以及所述第三N电极形成所述LED芯片的N电极。
[0034]根据本专利技术的第二方面，提供了一种LED芯片的制作方法，用于制作本专利技术第一方面任一项所述的LED芯片，包括：
[0035]在生长基板形成LED芯片结构；所述LED芯片结构具体包括：依次形成于所述生长基板上的第二LED晶粒、第一反射镜层、第一胶层以及第一LED晶粒；
[0036]剥离所述生长基板；
[0037]将所述LED芯片结构转移到玻璃片上。
[0038]可选的，将所述LED芯片结构转移到玻璃片上具体包括：
[0039]将所述第二LED晶粒粘结于所述玻璃片上，以将所述LED芯片结构转移到所述玻璃片上。
[0040]可选的，当所述LED芯片结构还包括：形成于所述生长基板与所述第二LED晶粒之间的第三LED晶粒时；则将所述LED芯片结构转移到玻璃片上具体包括：
[0041]将所述第三LED晶粒粘结于所述玻璃片上，以将所述LED芯片结构转移到所述玻璃片上。
[0042]根据本专利技术的第三方面，提供了一种电子设备，包括本专利技术第一方面任一项所述的LED芯片。
[0043]根据本专利技术的第四方面，提供了一种电子设备的制作方法，包括本专利技术第二方面任一项所述的LED芯片的制作方法。
[0044]本专利技术提供的技术方案，通过将垂直堆叠的第一LED晶粒和第二LED晶粒，形成于玻璃片上，解决了蓝宝石衬底应用于垂直堆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：玻璃片，形成于所述玻璃片上的第二LED晶粒；第一反射镜层，形成于所述第二LED晶粒上；其中，所述第一反射镜层的尺寸适配于所述第二LED晶粒的尺寸；第一胶层；第一LED晶粒，通过所述第一胶层粘结于所述第一反射镜层上；其中，所述第一LED晶粒的尺寸适配于所述第一反射镜层的尺寸。2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一LED晶粒包括：第一发光叠层，具体包括：形成于所述第一胶层上的第一N型外延层；所述第一N型外延层包括一级台阶和二级台阶，沿远离所述第一N型外延层的方向依次形成于所述第一N型外延层的二级台阶上的第一发光层、第一P型外延层以及第一电流拓展层；第一P电极，形成于所述第一电流拓展层上；第一N电极，形成于所述第一N型外延层的一级台阶上。3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述第二LED晶粒包括：第二发光叠层，具体包括：形成于所述玻璃片上的第二N型外延层；所述第二N型外延层包括一级台阶和二级台阶，沿远离所述第二N型外延层方向上，依次堆叠于所述第二N型外延层的第二台阶上的第二发光层、第二P型外延层以及第二电流拓展层；其中，所述第一反射镜层形成于部分所述第二电流拓展层上，以暴露出部分所述第二电流拓展层；第二P电极，形成于暴露出来的所述第二电流拓展层上；第二N电极，形成于所述第二N型外延层的第一台阶上；其中，所述第一P电极和所述第二P电极形成所述LED芯片的P电极；所述第一N电极和所述第二N电极形成所述LED芯片的N电极。4.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，LED芯片还包括：钝化层，覆盖所述第一发光叠层与所述第二发光叠层的表面以及侧壁。5.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括：第二反射镜层和第二胶层，所述第二LED晶粒通过所述第二胶层粘结于所述第二反射镜层上；其中，所述第二反射镜层的尺寸适配于所述第二LED晶粒的尺寸；第三LED晶粒，形成于所述玻璃片与所述第二反射镜层之间；其中，所述第三LED晶粒的尺寸...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝茂盛，张楠，马艳红，陈朋，袁根如，
申请(专利权)人：上海芯元基半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：