激光加工方法、及半导体构件的制造方法技术

本发明专利技术的激光加工方法具备：激光加工工序，其中，对包含第1面和所述第1面的相反侧的第2面的对象物，以所述第1面为入射面而将激光聚光并形成所述激光的聚光斑，并且使所述聚光斑相对于所述对象物相对移动，从而进行所述对象物的激光加工，在所述对象物，沿着所述入射面设定有磨削预定区域，所述激光加工工序包含：第1形成工序，其中，将与所述入射面交叉的Z方向上的所述聚光斑的位置设定于第1Z位置，并且沿着在沿着所述入射面的X方向上延伸的线使所述聚光斑相对移动，从而在所述对象物形成第1改性区域及从所述第1改性区域延伸的第1龟裂。裂。裂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】激光加工方法、及半导体构件的制造方法


[0001]本公开涉及激光加工方法、及半导体构件的制造方法。

技术介绍

[0002]在专利文献1中记载有激光切割装置。该激光切割装置具备：使晶圆移动的载置台(stage)、对晶圆照射激光的激光头、以及进行各部的控制的控制部。激光头具有：出射用于在晶圆内部形成改性区域的加工激光的激光源、在加工用激光的光路上依次配置的分色镜及聚光透镜、以及AF装置。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本专利第5743123号

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的问题
[0007]但是，在激光切割中，有时进行使从改性区域延伸的龟裂到达晶圆的一个表面的加工。特别是，在该情况下，在使龟裂到达晶圆的一个表面之后，例如有时为了磨削晶圆而搬运晶圆。此时，通过对晶圆施加外力，有可能龟裂意外伸展而到达晶圆的其他面(即，两面)。如果龟裂到达晶圆的两面的话，则有可能因切屑(chipping)的原因而难以磨削，或难以搬运。
[0008]本公开的目的在于，提供一种可抑制龟裂的伸展的激光加工方法、及半导体构件的制造方法。
[0009]用于解决问题的手段
[0010]本公开的激光加工方法具备：激光加工工序，其中，对包含第1面和第1面的相反侧的第2面的对象物，以第1面为入射面而将激光聚光并形成激光的聚光斑(spot)，并且使聚光斑相对于对象物相对移动，从而进行对象物的激光加工，激光加工工序，含有第1形成工序与第2形成工序，在第1形成工序中，将与入射面交叉的Z方向上的聚光斑的位置设定于第1Z位置，并且沿着在沿着入射面的X方向上延伸的线使聚光斑相对移动，从而在对象物形成第1改性区域及从第1改性区域延伸的第1龟裂，在第2形成工序中，在第1形成工序之后，将Z方向上的聚光斑的位置设定于比第1Z位置更靠入射面侧的第2Z位置，并且沿着线使聚光斑相对移动，从而形成第2改性区域及从第2改性区域延伸的第2龟裂，在第1形成工序中，将沿着入射面并且与X方向交叉的Y方向上的聚光斑的位置设定于第1Y位置，并且以在包含Y方向及Z方向的YZ面内沿着Z方向的方式且以到达第2面的方式，形成第1龟裂，在第2形成工序中，将Y方向上的聚光斑的位置设定于从第1Y位置移位了的第2Y位置，并且以在YZ面内相对于Z方向倾斜的方式，形成第2龟裂。
[0011]在该方法中，在第1形成工序中，沿着沿X方向的线使激光的聚光斑相对移动，而在对象物形成第1改性区域，并且将从第1改性区域延伸的第1龟裂以到达对象物的第2面(与
激光的入射面相反的侧的面)的方式形成于对象物。此时，将激光的聚光斑的Z方向上的位置设为第1Z位置。另外，此时，以在与X方向交叉的YZ面内沿着Z方向的方式形成第1龟裂。其后，在第2形成工序中，将激光的聚光斑的Z方向的位置设定于比第1Z位置更靠第1面(激光的入射面)侧的第2Z位置，并且沿着线使聚光斑相对移动，在对象物形成第2改性区域及从第2改性区域延伸的第2龟裂。此时，使聚光斑的Y方向的位置相比于第1形成工序向Y方向移位，以在YZ面内相对于Z方向倾斜的方式形成第2龟裂。根据本专利技术者的见解，如此一来，在第1龟裂欲沿着Z方向向第1面侧伸展时，与第2龟裂连接而伸展停止。因此，根据该方法，可抑制龟裂的伸展。
[0012]在本公开的激光加工方法中，也可以，对象物设定有包含入射面的磨削预定区域，在第1形成工序中，将第1Z位置设定于比磨削预定区域更靠第2面侧，在第2形成工序中，以第2龟裂形成于磨削预定区域的内部的方式，设定第2Z位置。在该情况下，通过磨削预定区域的磨削来去除第2龟裂，从而降低形成倾斜的龟裂即第2龟裂的影响。
[0013]在本公开的激光加工方法中，也可以为，在第2形成工序中，以在YZ面内相对于对象物的劈开面倾斜的方式，形成第2龟裂。在该情况下，可更可靠地抑制龟裂的伸展。
[0014]在本公开的激光加工方法中，也可以为，在第1形成工序中，在Z方向的位置彼此不同的多个第1Z位置中的各个形成聚光斑并使其相对移动，从而形成在YZ面内沿Z方向排列的多个第1改性区域，并且以遍及多个第1改性区域的方式，形成第1龟裂。在该情况下，在Z方向形成较长的第1龟裂，从而可适当地进行较厚的对象物的加工。
[0015]在本公开的激光加工方法中，也可以为，在第1形成工序中，以到达第2面的方式，形成第1龟裂。如上述那样，在第1龟裂到达第2面的情况下，龟裂不易意外地伸展，因此更有效抑制龟裂的伸展。
[0016]在本公开的激光加工方法中，也可以为，通过使激光分支，相对于设定在对象物的一条线，同时实施第1形成工序及第2形成工序。如上述那样，在同时实施第1形成工序与第2形成工序的情况下，也可形成倾斜的龟裂。
[0017]在本公开的激光加工方法中，也可以为，在第2形成工序中，通过使YZ面内的聚光斑的光束形状成为至少在比聚光斑的中心更靠入射面侧向移位方向倾斜的倾斜形状的方式，调制激光调，从而以在YZ面内向偏移方向倾斜的方式，形成第2龟裂。在该情况下，可通过激光加工，适当地形成倾斜的第2龟裂。
[0018]本公开的半导体构件的制造方法从包含半导体的对象物制造半导体构件，也可以在实施上述激光加工方法所具备的激光加工工序之后，从入射面侧磨削对象物而至少将第2龟裂从所述对象物去除，从而从对象物形成半导体构件。
[0019]在该制造方法中，实施上述激光加工方法的激光加工工序。因此，抑制龟裂意外地伸展。因此，在激光加工工序之后磨削对象物时，抑制切屑的发生。另外，容易搬运至进行磨削的场所。
[0020]专利技术的效果
[0021]根据本公开，可提供一种可抑制龟裂的伸展的激光加工方法、及半导体构件的制造方法。
附图说明
[0022]图1是表示一实施方式的激光加工装置的结构的示意图。
[0023]图2是表示激光照射部的结构的示意图。
[0024]图3是表示图2所示的4f透镜单元的图。
[0025]图4是表示图2所示的空间光调制器的图。
[0026]图5是用于说明倾斜的龟裂形成的见解的对象物的截面图。
[0027]图6是用于说明倾斜的龟裂形成的见解的对象物的截面图。
[0028]图7是表示激光的聚光斑(spot)的光束形状的图。
[0029]图8是表示调制图案的偏移(offset)的图。
[0030]图9是表示倾斜的龟裂的形成状态的截面照片。
[0031]图10是对象物的示意的俯视图。
[0032]图11是表示倾斜的龟裂的形成状态的截面照片。
[0033]图12是表示倾斜的龟裂的形成状态的截面照片。
[0034]图13是表示调制图案的一例的图。
[0035]图14是表示聚光透镜的入射瞳面的强度分布、及聚光斑的光束形状的图。
[0036]图15是表示聚光斑的光束形状、及聚光斑的强度分布的观测结果的图。
[0037]图16是表示调制图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种激光加工方法，其中，具备：激光加工工序，其中，对包含第1面和所述第1面的相反侧的第2面的对象物，以所述第1面为入射面而将激光聚光并形成所述激光的聚光斑，并且使所述聚光斑相对于所述对象物相对移动，从而进行所述对象物的激光加工，在所述对象物，沿着所述入射面设定有磨削预定区域，所述激光加工工序包含：第1形成工序与第2形成工序，在所述第1形成工序中，将与所述入射面交叉的Z方向上的所述聚光斑的位置设定于第1Z位置，并且沿着在沿着所述入射面的X方向上延伸的线使所述聚光斑相对移动，从而在所述对象物形成第1改性区域及从所述第1改性区域延伸的第1龟裂，在所述第2形成工序中，将所述Z方向上的所述聚光斑的位置设定于比所述第1Z位置更靠所述入射面侧的第2Z位置，并且沿着所述线使所述聚光斑相对移动，从而形成第2改性区域及从所述第2改性区域延伸的第2龟裂，在所述第1形成工序中，将沿着所述入射面并且与所述X方向交叉的Y方向上的所述聚光斑的位置设定于第1Y位置，并且以在包含所述Y方向及所述Z方向的YZ面内沿着所述Z方向的方式形成所述第1龟裂，在所述第2形成工序中，将所述Y方向上的所述聚光斑的位置设定于从所述第1Y位置移位了的第2Y位置，并且以在所述YZ面内相对于所述Z方向倾斜的方式且以位于所述磨削预定区域内的方式，形成所述第2龟裂。2.根据权利要求1所述的激光加工方法，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：坂本刚志，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：