机台的控制方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质制造方法及图纸

本申请提供一种机台的控制方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，能够在机台完成对送入的至少一批晶圆的沉积膜层处理后，根据机台的多个腔室内壁所沉积的膜层厚度，以及当前机台对晶圆的处理顺序，确定向机台送入的下一批晶圆的批次数量，从而在机台即将进行清洗处理时，能够及时减少送入机台的晶圆的批次数量，进而能够防止送入机台的晶圆因等待机台清洗处理的时间过长而造成晶圆表面的缺陷，进而能够提高机台制造的晶圆的良品率。能够提高机台制造的晶圆的良品率。能够提高机台制造的晶圆的良品率。

【技术实现步骤摘要】
机台的控制方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质


[0001]本申请涉及半导体制作
，尤其涉及一种机台的控制方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]机台是一种用于在晶圆上制作半导体电路的设备，机台内设置有多个封闭腔室(chamber)，当晶圆送入机台，机台内的腔室可以被配置为对晶圆进行沉积膜层等处理，从而在晶圆上形成半导体电路。
[0003]由于在腔室内对晶圆进行沉积膜层处理时，腔室内壁也会沉积部分膜层，一定时间之后内壁上的膜层厚度过大时，会给在该腔室对晶圆的沉积膜层处理时造成膜厚不均匀等缺陷，降低机台制造的半导体的良品率。因此，机台被配置为当检测到腔室上的内壁膜层厚度大于一个阈值时，对该腔室进行清洗(clean)处理。而当多批(lot)晶圆被送入机台后，如果机台在完成部分批次晶圆的制作后，检测到多个腔室中的一个腔室上的内壁膜层厚度大于阈值，开始对该腔室进行清洗处理时，送入机台未制作的批次的晶圆将停留在机台内等待清洗处理完成，一旦等待的时间过长，会造成晶圆上膜层被污染或氧化等缺陷发生，降低机台制造的晶圆的良品率。
[0004]因此，如何防止已经送入机台的晶圆因等待机台清洗处理的时间过长，而造成的缺陷，是本领域需要解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]本申请提供一种机台的控制方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，用于防止送入机台的晶圆因等待机台清洗处理的时间过长而造成缺陷，来提高机台制造的晶圆的良品率。
[0006]本申请第一方面提供一种机台的控制方法，包括：在所述机台完成对送入的至少一批晶圆的沉积膜层处理后，获取所述机台的多个腔室的内壁所沉积的膜层厚度；获取所述机台对晶圆的处理顺序；其中，所述处理顺序为单线处理顺序或者多线处理顺序，所述单线处理顺序为所述机台通过所述多个腔室中的一个目标腔室对送入的晶圆进行沉积膜层处理，所述多线处理顺序为所述机台通过所述多个腔室中的至少两个目标腔室对送入的晶圆进行沉积膜层处理；根据所述处理顺序，以及所述多个腔室中用于对所述至少一批晶圆进行处理的目标腔室的膜层厚度，确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量。
[0007]在本申请第一方面一实施例中，所述根据所述处理顺序，以及所述多个腔室中用于对所述至少一批晶圆进行处理的目标腔室的膜层厚度，确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量，包括：当所述处理顺序为单线处理顺序，且所述目标腔室的膜层厚度大于第一阈值且小于第二阈值时，确定所述下一批晶圆的批次数量为1；其中，当所述目标腔室内壁所沉积的膜层厚度大于所述第二阈值时，所述机台对所述目标腔室进行清洗处理。
[0008]在本申请第一方面一实施例中，所述根据所述处理顺序，以及所述多个腔室中用
于对所述至少一批晶圆进行处理的目标腔室的膜层厚度，确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量，还包括：当所述处理顺序为单线处理顺序，且所述目标腔室的膜层厚度小于所述第一阈值时，确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量为所述机台的预设数量。
[0009]在本申请第一方面一实施例中，所述根据所述处理顺序，以及所述多个腔室中用于对所述至少一批晶圆进行处理的目标腔室的膜层厚度，确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量，还包括：当所述处理顺序为多线处理顺序时，确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量为所述机台的预设数
[0010]在本申请第一方面一实施例中，所述方法还包括：当所述机台通过所述多个腔室中的目标腔室对晶圆进行沉积膜层处理时，若确定所述机台对所述目标腔室进行清洗处理，则控制所述机台通过多个腔室中除所述目标腔室之外的空闲腔室，代替所述目标腔室对晶圆进行沉积膜层处理。
[0011]在本申请第一方面一实施例中，所述第一阈值与所述第二阈值之差为两批所述晶圆的沉积膜层厚度之和。
[0012]在本申请第一方面一实施例中，所述确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量之后，还包括：向所述机台的派货控制系统RTD发送所述批次数量。
[0013]在本申请第一方面一实施例中，所述方法还包括：当所述机台完成对所述至少一个目标腔室的清洗处理，对所述机台进行调机和测机处理。
[0014]本申请第二方面提供一种机台的控制装置，包括：第一获取模块，用于在所述机台完成对送入的至少一批晶圆的沉积膜层处理后，获取所述机台的多个腔室的内壁所沉积的膜层厚度；第二获取模块，用于获取所述机台对晶圆的处理顺序；其中，所述处理顺序为单线处理顺序或者多线处理顺序，所述单线处理顺序为所述机台通过所述多个腔室中的一个目标腔室对送入的晶圆进行沉积膜层处理，所述多线处理顺序为所述机台通过所述多个腔室中的至少两个目标腔室对送入的晶圆进行沉积膜层处理；确定模块，用于根据所述处理顺序，以及所述多个腔室中用于对所述至少一批晶圆进行处理的目标腔室的膜层厚度，确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量。
[0015]在本申请第二方面一实施例中，所述确定模块具体用于，当所述处理顺序为单线处理顺序，且所述目标腔室的膜层厚度大于第一阈值且小于第二阈值时，确定所述下一批晶圆的批次数量为1；其中，当所述目标腔室内壁所沉积的膜层厚度大于所述第二阈值时，所述机台对所述目标腔室进行清洗处理。
[0016]在本申请第二方面一实施例中，所述确定模块具体用于，当所述处理顺序为单线处理顺序，且所述目标腔室的膜层厚度小于所述第一阈值时，确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量为所述机台的预设数量。
[0017]在本申请第二方面一实施例中，所述确定模块具体用于，当所述处理顺序为多线处理顺序时，确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量为所述机台的预设数量。
[0018]在本申请第二方面一实施例中，所述装置还包括：控制模块，用于当所述机台通过所述多个腔室中的目标腔室对晶圆进行沉积膜层处理时，若确定所述机台对至少一个目标腔室进行清洗处理，则控制所述机台通过多个腔室中除所述目标腔室之外的空闲腔室，代替所述至少一个目标腔室对晶圆进行沉积膜层处理。
[0019]在本申请第二方面一实施例中，所述第一阈值与所述第二阈值之差为两批所述晶
圆的沉积膜层厚度之和。
[0020]在本申请第二方面一实施例中，所述装置还包括：发送模块，用于向所述机台的派货控制系统RTD发送所述批次数量。
[0021]在本申请第二方面一实施例中，所述装置还包括：调机和测机模块，用于当所述机台完成对所述至少一个目标腔室的清洗处理，对所述机台进行调机和测机处理。
[0022]本申请第三方面提供一种电子设备，包括：处理器以及存储器；其中，存储器中存储有计算机程序，当处理器执行计算机程序时，处理器可用于执行如本申请第一方面任一项的机台的控制方法。
[0023]本申请第四方面提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质存储有计算机程序，计算机程序被执行时可用于执行如本申请第一方面任一项的机台的控制方法。
[0024]综上，本申请提供的机台的控制方法、装置、电子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种机台的控制方法，其特征在于，包括：在所述机台完成对送入的至少一批晶圆的沉积膜层处理后，获取所述机台的多个腔室的内壁所沉积的膜层厚度；获取所述机台对晶圆的处理顺序；其中，所述处理顺序为单线处理顺序或者多线处理顺序，所述单线处理顺序为所述机台通过所述多个腔室中的一个目标腔室对送入的晶圆进行沉积膜层处理，所述多线处理顺序为所述机台通过所述多个腔室中的至少两个目标腔室对送入的晶圆进行沉积膜层处理；根据所述处理顺序，以及所述多个腔室中用于对所述至少一批晶圆进行处理的目标腔室的膜层厚度，确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述处理顺序，以及所述多个腔室中用于对所述至少一批晶圆进行处理的目标腔室的膜层厚度，确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量，包括：当所述处理顺序为单线处理顺序，且所述目标腔室的膜层厚度大于第一阈值且小于第二阈值时，确定所述下一批晶圆的批次数量为1；其中，当所述目标腔室内壁所沉积的膜层厚度大于所述第二阈值时，所述机台对所述目标腔室进行清洗处理。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述处理顺序，以及所述多个腔室中用于对所述至少一批晶圆进行处理的目标腔室的膜层厚度，确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量，还包括：当所述处理顺序为单线处理顺序，且所述目标腔室的膜层厚度小于所述第一阈值时，确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量为所述机台的预设数量。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的方法，其特征在于，所述根据所述处理顺序，以及所述多个腔室中用于对所述至少一批晶圆进行处理的目标腔室的膜层厚度，确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量，还包括：当所述处理顺序为多线处理顺序时，确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量为所述机台的预设数量。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：当所述机台通过所述多个腔室中的目标腔室对晶圆进行沉积膜层处理时，若确定所述机台对至少一个目标腔室进行清洗处理，则控制所述机台通过多个腔室中除所述目标腔室之外的空闲腔室，代替所述至少一个目标腔室对晶圆进行沉积膜层处理。6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一阈值与所述第二阈值之差为两批所述晶圆的沉积膜层厚度之和。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定向所述机台送入的下一批晶圆的批次数量之后，还包括：向所述机台的派货控制系统RTD发送所述批次数量。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：当所述机台完成对所述至少一个目标腔室的清洗处理，对所述机台进行调机和测机处理。9.一种机台的控制装置，其特征在于，包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：程迪，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：