本发明专利技术涉及传感器技术领域,具体公开一种高精度温度传感器芯片自动测试系统及方法,方法包括S1、被测芯片和标准芯片在室温温场下的电阻值进行测量,并计算出对应的室温下的电阻差值;S2、将对应的被测芯片和标准芯片放到温场内进行加热,使其达到短期热平衡;所述温场的温度为动态变化的温度曲线;S3、测量并计算被测芯片和标准芯片在高温下的电阻差值;S4、根据对应的高温电阻差值和室温电阻差值,对被测芯片进行标定。本方案能够降低测试过程中对温场的均匀性和稳定性的要求,实现对芯片的快速测量,从而提高温度传感器芯片检测的效率。从而提高温度传感器芯片检测的效率。从而提高温度传感器芯片检测的效率。
【技术实现步骤摘要】
一种高精度温度传感器芯片自动测试系统及方法
[0001]本专利技术涉及传感器
,具体涉及一种高精度温度传感器芯片自动测试系统及方法。
技术介绍
[0002]温度作为基础的物理量之一,在工业、农业、医疗领域的生产活动以及人们的生活中需要采集,而温度传感器芯片作为温度采集的重要手段,已大量应用在包括个人电脑、通讯、医疗健康等领域。在温度传感器出厂前一般都需要通过性能检测,以确保芯片的测量精度。Pt系列的温度芯片最重要的2个指标(零度时的电阻值和α值)决定了芯片的测量精度。
[0003]现有的Pt系列温度传感器检测装置在对温度传感器进行测试时对应的测试环境大多采用固定温场(零度温场、100度温场等恒温温场),但是这种固定温场温度稳定时间长,通常需要将待测芯片放到固定温场中恒温30分钟以上,才能保证被测芯片与温场温度的一致;对温场的均匀性和稳定性要求很高,很容易由于温场温度的波动性造成测试值的误差,测试效率低,不适合批量自动化测试。
[0004]基于此,急需一种高精度温度传感器芯片自动测试系统及方法,能够降低测试过程中对温场的均匀性和稳定性的要求,实现对芯片的快速测量,从而提高温度传感器检测的效率。
技术实现思路
[0005]本专利技术意在提供一种高精度温度传感器芯片自动测试系统及方法,能够降低测试过程中对温场的均匀性和稳定性的要求,实现对芯片的快速测量,从而提高温度传感器检测的效率。
[0006]为达到上述目的,本专利技术采用如下技术方案:一种高精度温度传感器芯片自动测试方法,包括以下步骤:
[0007]S1、在将被测芯片和标准芯片放到温场前,对被测芯片和标准芯片在室温下的电阻值进行测量,并计算出对应的室温下的室温电阻差值;
[0008]S2、将对应的被测芯片和标准芯片放到温场内进行加热,使其达到短期热平衡;所述温场的温度为动态变化的温度曲线;
[0009]S3、测量并计算被测芯片和标准芯片在高温下的电阻差值;
[0010]S4、根据对应的高温电阻差值和室温电阻差值,对被测芯片进行标定。
[0011]本方案的原理及优点是:本方案中,在进入到温场进行加热处理之前,首先会对被测芯片和标准芯片进行室温下的电阻值测量以及计算出两者之间的室温电阻差值,之后就会在进入温场之后两种芯片达到短期热平衡之后,对被测芯片和标准芯片的高温电阻差值进行测量和计算,最后通过高温电阻差值和室温电阻差值来对被测芯片进行标定。
[0012]在本方案中,在对被测芯片和标准芯片进行加热时,其加热所对应的场所即温场中的温度是动态变化的,不需要恒定在某一个温度点上,与现有的采用固定温场进行测试
相比,本申请中通过对温度的动态变化来使得对应的温度稳定时间短,可以在较短时间间隔内使得达到短期热平衡,大大提高了被测芯片检测的效率;同时本申请不用向采用固定温场那样对温场的均匀性和稳定性要求那么高,即降低了对温场均匀性和稳定性的要求,实现了对芯片的快速测量,大大提高了测试的效率。
[0013]而且,在本方案中由于采用的温场中的温度是动态变化的温度曲线,且被测芯片和标准芯片是同步进行加热的,这使得被测芯片和标准芯片在相同的时间相同的地点所处的环境是一致的,在对被测芯片进行等级确定时只需要检测出被测芯片和标准芯片在常温下以及在高温下的电阻差值,且两个温度下的电阻差值极容易确定,与现有技术中通过固定温度曲线的温场进行加热相比,现有技术需要确保两者芯片之间都在相同的温度下对各个电阻进行测量,才能完成对芯片的检测,这就使得现有技术在进行测量时对应的要求更高和更多,例如温度为100度,那么在检测时,就需要两者芯片都在同一时间温度为100度,这样也就大大提高了检测难度,而本申请却不需要,只需要对应的温度在对应的温度的附近,就可以对两者芯片进行测量,对应的检测难度得到了大大减低,这样整个检测效率也会大大提高,更加有利于自动化的进行。
[0014]优选的,作为一种改进,所述S2中温场上采用新型传热材料进行传热。
[0015]有益效果:通过新型传热材料来进行传热可以使得被测芯片和标准芯片能够在较短的时间间隔内实现短期热平衡,大大缩短了温场对芯片的加热时间,提高了对应的检测效率,从而实现对芯片检测的大批量进行。
[0016]优选的,作为一种改进,所述S2包括:
[0017]S20、将对应的被测芯片和标准芯片放到温场内进行加热,所述温场为动态变化的温度曲线;
[0018]S21、对被测芯片和标准芯片所在的温场内的温度进行实时的检测,并计算被测芯片与标准芯片之间的实时温度差值;
[0019]S22、根据对应的实时温度差值,判断对应的实时温度差值是否在预设的测温精度内,若是,则执行S3,若否,则执行S21。
[0020]有益效果:本方案中首先在对应的温场中对被测芯片和标准芯片进行处理,然后实时的检测两者的实时测量温度,并计算出对应的实时温度差值,之后在对应的温场中就可以根据测温精度来判断被测芯片和标准芯片的高温下的实时温度差值是否满足对应的要求,即在测温精度内,满足的话就可以进行认定两种芯片达到了短期热平衡。通过对应等级的对应的测温精度来决定测量被测芯片的电阻值的时间,这样大大提高了对应的电阻值测量的准确性和真实性。
[0021]优选的,作为一种改进,所述S4包括:
[0022]S40、根据室温电阻差值和标准芯片在高温下的电阻值,计算出被测芯片在高温下各个等级的电阻范围,并根据高温电阻差值,判断出该被测芯片在高温下所对应的等级;
[0023]S41、用于根据被测芯片在室温下所对应的等级和在高温下所对应的等级,利用最终的等级评判标准,判断出该被测芯片的最终的等级。
[0024]有益效果:通过对室温下的等级和高温下的等级的判断,实现对被测芯片等级的精准判断,大大提高了被测芯片分拣的准确性,使得对应的被测芯片能够得到很好的分拣。
[0025]为了实现上述目的,本申请还提供一种高精度温度传感器芯片自动测试系统,包
括:
[0026]室温测量模块,用于在将被测芯片和标准芯片放到温场前,对被测芯片和标准芯片在室温下的电阻值进行测量,并计算出对应的室温下的室温电阻差值;
[0027]温场加热模块,用于将对应的被测芯片和标准芯片放到温场内进行加热,使其达到短期热平衡;所述温场的温度为动态变化的温度曲线;
[0028]高温测量模块,用于测量并计算被测芯片和标准芯片的高温电阻差值;
[0029]标定模块,用于根据对应的高温电阻差值和室温电阻差值,对被测芯片进行标定。
[0030]本方案的技术原理和效果:本方案中,通过室温测量模块实现在被测芯片和标准芯片在进入到温场钱的室温下的电阻差值的计算,之后通过温场加热模块对被测芯片和标准芯片进行加热,使得这两个芯片能够实现快速达到短期热平衡,这时就可以对被测芯片和标准芯片的电阻值进行测量,并完成对应高温电阻差值的测量,之后就可以根据高温电阻差值和室温电阻差值对被测芯片进行标本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高精度温度传感器芯片自动测试方法,其特征在于:包括以下步骤:S1、被测芯片和标准芯片在室温下的电阻值进行测量,并计算出对应的室温下的电阻差值;S2、将对应的被测芯片和标准芯片放到温场内进行加热,使其达到短期热平衡;所述温场的温度为动态变化的温度曲线;S3、测量并计算被测芯片和标准芯片在高温下的电阻差值;S4、根据对应的高温电阻差值和室温电阻差值,对被测芯片进行标定。2.根据权利要求1所述的一种高精度温度传感器芯片自动测试方法,其特征在于:所述S2中温场上采用新型传热材料进行传热。3.根据权利要求1所述的一种高精度温度传感器芯片自动测试方法,其特征在于:所述S2包括:S20、将对应的被测芯片和标准芯片放到温场内进行加热,所述温场为动态变化的温度曲线;S21、对被测芯片和标准芯片所在的温场内的温度进行实时的检测,并计算被测芯片与标准芯片之间的实时温度差值;S22、根据对应的实时温度差值,判断对应的实时温度差值是否在预设的测温精度内,若是,则执行S3,若否,则执行S21。4.根据权利要求3所述的一种高精度温度传感器芯片自动测试方法,其特征在于:所述S4包括:S40、根据室温电阻差值和标准芯片在高温下的电阻差值,判断出该被测芯片在高温下所对应的等级;S41、用于根据被测芯片在室温下所对应的等级和在高温下所对应的等级,利用最终的等级评判标准,判断出该被测芯片的最终的等级。5.一种高精度温度传感器芯片自动测试系统,其特征在于:包括:室温测量模块,用...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡轶,王志刚,
申请(专利权)人:重庆斯太宝科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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