晶圆物理分析区域确定方法、装置及电子设备制造方法及图纸

本申请实施例公开了一种晶圆物理分析区域确定方法、装置及电子设备，涉及晶圆测试技术领域，为有利于提升物理失效分析的成功率而发明专利技术。所述晶圆物理分析区域确定方法，包括：对晶圆表面按照指定大小进行划分，得到多个区域；确定各区域中的第一类缺陷和第二类缺陷；计算每一区域中的第一类缺陷的失效严重程度和第二类缺陷的失效严重程度；所述第一类缺陷为所述晶圆经过第一类测试得到的缺陷，所述第二类缺陷为所述晶圆经过第二类测试得到的缺陷；根据所述第一类缺陷的失效严重程度和所述第二类缺陷的失效严重程度，在所述晶圆上确定目标区域；所述目标区域用于对所述晶圆的缺陷进行物理分析。本发明专利技术适用于对晶圆上的芯片进行测试分析。行测试分析。行测试分析。

【技术实现步骤摘要】
晶圆物理分析区域确定方法、装置及电子设备


[0001]本专利技术涉及晶圆测试
，尤其涉及一种晶圆物理分析区域确定方法、装置及电子设备。

技术介绍

[0002]晶圆是指制作硅半导体集成电路所用的硅晶片，在晶圆上加工制作有各种电路及电子元件结构，使之成为具有特定电性功能的集成电路产品。
[0003]集成电路在研制、生产和使用中都可能发生失效。通过晶圆上的失效分析,可以在产品开发的初期找到引起故障的原因，这对提高产品质量，降低成本起到非常重要的作用。
[0004]在实现本申请过程中，专利技术人发现，现有技术中往往会采用不同的电学失效分析手段对晶圆进行失效分析，而不同的电学失效分析手段所获得的输出结果是独立使用的，不利于提升物理失效分析的成功率。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术实施方式提供一种晶圆物理分析区域确定方法、装置及电子设备，有利于提升物理失效分析的成功率。
[0006]第一方面，本专利技术实施方式提供一种晶圆物理分析区域确定方法，所述晶圆上制作有电路及电子元件，所述方法包括：对晶圆表面按照指定大小进行划分，得到多个区域；确定各区域中的第一类缺陷和第二类缺陷；计算每一区域中的第一类缺陷的失效严重程度和第二类缺陷的失效严重程度；所述第一类缺陷为所述晶圆经过第一类测试得到的缺陷，所述第二类缺陷为所述晶圆经过第二类测试得到的缺陷；根据所述第一类缺陷的失效严重程度和所述第二类缺陷的失效严重程度，在所述晶圆上确定目标区域；所述目标区域用于对所述晶圆的缺陷进行物理分析。
[0007]根据本专利技术实施方式的一种具体实现方式，所述确定各区域中的第一类缺陷和第二类缺陷，包括：将所述第一类缺陷和所述第二类缺陷中的各缺陷在所述晶圆上的位置，与所述晶圆上的各区域进行位置匹配，确定各区域中的第一类缺陷和第二类缺陷。
[0008]根据本专利技术实施方式的一种具体实现方式，所述各区域包括第一区域；其中，所述计算每一区域中的第一类缺陷的失效严重程度和第二类缺陷的失效严重程度，包括：基于第一区域中第一类缺陷的数量，与各区域中第一类缺陷的总数量的占比，确定第一区域中第一类缺陷的失效严重程度系数；基于第一区域中第二类缺陷的数量，与各区域中第二类缺陷的总数量的占比，确定第一区域中第二类缺陷的失效严重程度系数。
[0009]根据本专利技术实施方式的一种具体实现方式，所述根据所述第一类缺陷的失效严重程度和所述第二类缺陷的失效严重程度，在所述晶圆上确定目标区域，包括：计算每一区域中，第一类缺陷的失效严重程度和第二类缺陷的失效严重程度的匹配度；将所述匹配度超过预定匹配度阈值的区域，确定为目标区域；或者，计算每一区域中，第一类缺陷的失效严重程度和第二类缺陷的失效严重程度的匹配度；对各区域按照第一类缺陷的失效严重程度
或第二类缺陷的失效严重程度的高低进行排序，提取排序靠前的第一预定数量的区域；对所述第一预定数量的区域，按照所述匹配度的高低进行排序，提取排序靠前的第二预定个数的区域，作为目标区域。
[0010]根据本专利技术实施方式的一种具体实现方式，所述计算每一区域中，第一类缺陷的失效严重程度和第二类缺陷的失效严重程度的匹配度，包括：根据下述公式，计算每一区域中，第一类缺陷的失效严重程度和第二类缺陷的失效严重程度的匹配度P：P＝1
‑
|S1
–
S2|/S1；其中，S1为所述区域中第一类缺陷的失效严重程度系数；S2为所述区域中第二类缺陷的失效严重程度系数；
[0011]或者，
[0012]根据下述公式，计算每一区域中，第一类缺陷的失效严重程度和第二类缺陷的失效严重程度的匹配度P：P＝M
‑
|SL1
–
SL2|；其中，M为失效严重程度系数等级，M为大于1的自然数；SL1为一个区域中第一类缺陷的失效严重程度等级；SL2为所述一个区域中第二类缺陷的失效严重程度等级。
[0013]根据本专利技术实施方式的一种具体实现方式，在确定各区域中的第一类缺陷和第二类缺陷之后，确定所述失效严重程度之前，所述方法还包括：判断第一边界范围内的缺陷边界密度，是否大于预设边界密度阈值；若所述第一边界范围内的缺陷边界密度，大于预设边界密度阈值，则对所述区域进行调整，以使所述第一边界范围内的缺陷边界密度，小于或等于预设边界密度阈值。
[0014]根据本专利技术实施方式的一种具体实现方式，所述判断第一边界范围内的缺陷边界密度，是否大于预设边界密度阈值，包括：当所述第一边界范围内的失效点数，超过边界两侧的第一区域或第二区域内的失效点数的预设百分比，则可确定所述第一边界范围内的缺陷边界密度大于预设边界密度阈值；或者，
[0015]当所述第一边界范围内的失效点数，大于各区域内的平均失效点数，则可确定所述第一边界范围内的缺陷边界密度大于预设边界密度阈值；或者，
[0016]当所述第一边界范围内的失效点数，超过边界两侧的第一区域或第二区域内的失效点数的预设百分比，且大于各区域内的平均失效点数，则可确定所述第一边界范围内的缺陷边界密度大于预设边界密度阈值。
[0017]根据本专利技术实施方式的一种具体实现方式，所述对所述区域进行调整，包括：对所述区域朝着指定方向进行平移；和/或，对所述区域进行放大或缩小。
[0018]根据本专利技术实施方式的一种具体实现方式，在所述晶圆上确定目标区域之后，所述方法还包括：判断目标区域的缺陷边界密度是否大于预设边界密度阈值；若所述目标区域的缺陷边界密度大于预设边界密度阈值，则对所述目标区域进行调整，以使所述目标区域的缺陷边界密度小于或等于预设边界密度阈值。
[0019]根据本专利技术实施方式的一种具体实现方式，所述第一类测试为失效链路扫描诊断分析，所述第二类测试为存储单元失效位图分析。
[0020]第二方面，本专利技术实施方式提供一种晶圆物理分析区域确定装置，所述晶圆上制作有电路及电子元件，所述装置包括：区域划分模块，用于对晶圆表面按照指定大小进行划分，得到多个区域；映射模块，用于确定各区域中的第一类缺陷和第二类缺陷；失效程度确定模块，用于计算每一区域中的第一类缺陷的失效严重程度和第二类缺陷的失效严重程
度；所述第一类缺陷为所述晶圆经过第一类测试得到的缺陷，所述第二类缺陷为所述晶圆经过第二类测试得到的缺陷；目标区域确定模块，用于根据所述第一类缺陷的失效严重程度和所述第二类缺陷的失效严重程度，在所述晶圆上确定目标区域；所述目标区域用于对所述晶圆的缺陷进行物理分析。
[0021]根据本专利技术实施方式的一种具体实现方式，所述映射模块，具体用于：将所述第一类缺陷和所述第二类缺陷中的各缺陷在所述晶圆上的位置，与所述晶圆上的各区域进行位置匹配，确定各区域中的第一类缺陷和第二类缺陷。
[0022]根据本专利技术实施方式的一种具体实现方式，所述各区域包括第一区域；其中，所述失效程度确定模块，具体用于：基于第一区域中第一类缺陷的数量，与各区域中第一类缺陷的总数量的占比，确定第一区域中第一类缺陷的失效严重程度系数；基于第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆物理分析区域确定方法，所述晶圆上制作有电路及电子元件，其特征在于，所述方法包括：对晶圆表面按照指定大小进行划分，得到多个区域；确定各区域中的第一类缺陷和第二类缺陷；计算每一区域中的第一类缺陷的失效严重程度和第二类缺陷的失效严重程度；所述第一类缺陷为所述晶圆经过第一类测试得到的缺陷，所述第二类缺陷为所述晶圆经过第二类测试得到的缺陷；根据所述第一类缺陷的失效严重程度和所述第二类缺陷的失效严重程度，在所述晶圆上确定目标区域；所述目标区域用于对所述晶圆的缺陷进行物理分析。2.根据权利要求1所述的晶圆物理分析区域确定方法，其特征在于，所述确定各区域中的第一类缺陷和第二类缺陷，包括：将所述第一类缺陷和所述第二类缺陷中的各缺陷在所述晶圆上的位置，与所述晶圆上的各区域进行位置匹配，确定各区域中的第一类缺陷和第二类缺陷。3.根据权利要求1所述的晶圆物理分析区域确定方法，其特征在于，所述各区域包括第一区域；其中，所述计算每一区域中的第一类缺陷的失效严重程度和第二类缺陷的失效严重程度，包括：基于第一区域中第一类缺陷的数量，与各区域中第一类缺陷的总数量的占比，确定第一区域中第一类缺陷的失效严重程度系数；基于第一区域中第二类缺陷的数量，与各区域中第二类缺陷的总数量的占比，确定第一区域中第二类缺陷的失效严重程度系数。4.根据权利要求1所述的晶圆物理分析区域确定方法，其特征在于，所述根据所述第一类缺陷的失效严重程度和所述第二类缺陷的失效严重程度，在所述晶圆上确定目标区域，包括：计算每一区域中，第一类缺陷的失效严重程度和第二类缺陷的失效严重程度的匹配度；将所述匹配度超过预定匹配度阈值的区域，确定为目标区域；或者，计算每一区域中，第一类缺陷的失效严重程度和第二类缺陷的失效严重程度的匹配度；对各区域按照第一类缺陷的失效严重程度或第二类缺陷的失效严重程度的高低进行排序，提取排序靠前的第一预定数量的区域；对所述第一预定数量的区域，按照所述匹配度的高低进行排序，提取排序靠前的第二预定个数的区域，作为目标区域。5.根据权利要求4所述的晶圆物理分析区域确定方法，其特征在于，所述计算每一区域中，第一类缺陷的失效严重程度和第二类缺陷的失效严重程度的匹配度，包括：根据下述公式，计算每一区域中，第一类缺陷的失效严重程度和第二类缺陷的失效严重程度的匹配度P：P＝1
‑
|S1
–
S 2|/S1；其中，S1为所述区域中第一类缺陷的失效严重程度系数；S2为所述区域中第二类缺陷的失效严重程度系数；
或者，根据下述公式，计算每一区域中，第一类缺陷的失效严重程度和第二类缺陷的失效严重程度的匹配度P：P＝M
‑
|SL1
–
SL2|；其中，M为失效严重程度系数等级，M为大于1的自然数；SL1为一个区域中第一类缺陷的失效严重程度等级；SL2为所述一个区域中第二类缺陷的失效严重程度等级。6.根据权利要求1所述的晶圆物理分析区域确定方法，其特征在于，在确定各区域中的第一类缺陷和第二类缺陷之后，确定所述失效严重程度之前，所述方法还包括：判断第一边界范围内的缺陷边界密度，是否大于预设边界密度阈值；若所述第一边界范围内的缺陷边界密度，大于预设边界密度阈值，则对所述区域进行调整，以使所述第一边界范围内的缺陷边界密度，小于或等于预设边界密度阈值。7.根据权利要求6所述的晶圆物理分析区域确定方法，其特征在于，所述判断第一边界范围内的缺陷边界密度，是否大于预设边界密度阈值，包括：当所述第一边界范围内的失效点数，超过边界两侧的第一区域或第二区域内的失效点数的预设百分比，则可确定所述第一边界范围内的缺陷边界密度大于预设边界密度阈值；或者，当所述第一边界范围内的失效点数，大于各区域内的平均失效点数，则可确定所述第一边界范围内的缺陷边界密度大于预设边界密度阈值；或者，当所述第一边界范围内的失效点数，超过边界两侧的第一区域或第二区域内的失效点数的预设百分比，且大于各区域内的平均失效点数，则可确定所述第一边界范围内的缺陷边界密度大于预设边界密度阈值。8.根据权利要求6所述的晶圆物理分析区域确定方法，其特征在于，所述对所述区域进行调整，包括：对所述区域朝着指定方向进行平移；和/或，对所述区域进行放大或缩小。9.根据权利要求1所述的晶圆物理分析区域确定方法，其特征在于，在所述晶圆上确定目标区域之后，所述方法还包括：判断目标区域的缺陷边界密度是否大于预设边界密度阈值；若所述目标区域的缺陷边界密度大于预设边界密度阈值，则对所述目标区域进行调整，以使所述目标区域的缺陷边界密度小于或等于预设边界密度阈值。10.根据权利要求1所述的晶圆物理分析区域确定方法，其特征在于，所述第一类测试为失效链路扫描诊断分析，所述第二类测试为存储单元失效位图分析。11.一种晶圆物理分析区域确定装置，所述晶圆上制作有电路及电子元件，其特征在于，所述装置包括区域划分模块、映射模块、失效程度确定模块及目标区域确定模块；其中，区域划分模块，用于对晶圆表面按照指定大小进行划分，得到多个区域；映射模块，用于确定各区域中的第一类缺陷和第二类缺陷；失效程度确...

【专利技术属性】
技术研发人员：林健，
申请(专利权)人：成都海光微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：