【技术实现步骤摘要】
导航系统和方法
[0001]本专利技术专利申请是国际申请号为PCT/US2019/046343,国际申请日为2019年8月13日,进入中国国家阶段的申请号为201980060026.6,名称为“引导延伸导管组件、系统和使用方法”的专利技术专利申请的分案申请。
[0002]领域
[0003]本公开总地涉及用于生成磁场的系统,并且尤其涉及用以生成选定的电磁场的系统和布置。
[0004]背景
[0005]这个部分提供与本专利技术相关的背景信息,但并不一定是现有技术。
[0006]在用于诸如外科手术程序、组装程序等之类的各种程序的导航系统中,可以通过测量磁场对传感器线圈的影响来跟踪仪器或物体。传感器线圈可包括置于磁场内的导电材料,在磁场内在线圈上感应出电流。所测量的感应电流可用于识别或确定仪器或物体的位置。然而,可期望在各个方面增强线圈的位置确定。
[0007]一个或多个电磁场可由多个有目的地定位和定向的发射线圈生成。各种发射机或场生成系统包括由美敦力导航公司(Medtronic Navigation,Inc.)销售的AxiEM
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电磁导航系统,该公司在科罗拉多州路易斯维尔市设有营业场所。AxiEM
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电磁导航系统可包括用于生成一个或多个电磁场的多个发射线圈,这些电磁场由可以是传感器线圈的跟踪装置感应到,以允许导航系统、比如手术导航系统用于跟踪和/或示出仪器的跟踪位置。
[0008]绕彼此定位和定向的发射线圈通常填充有小于由发射线圈生成的导航体积的体积。然而,包括 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种场成形组件,所述场成形组件包括:导电构件,所述导电构件具有第一表面,所述第一表面具有第一面积;第一透磁构件,所述第一透磁构件具有第二表面,所述第二表面具有第二表面积;以及第二透磁构件,所述第二透磁构件具有第三表面,所述第三表面具有第三表面积;其中,所述导电构件置于所述第一透磁构件与所述第二透磁构件之间。2.如权利要求1所述的场成形组件,其特征在于,所述第一表面积大于所述第二表面积和所述第三表面积的组合表面积。3.如权利要求1所述的场成形组件,其特征在于,还包括:间隔构件,所述间隔构件置于所述导电构件、所述第一透磁构件和所述第二透磁构件中的至少两个之间。4.如权利要求1所述的场成形组件,其特征在于,还包括:线圈阵列,所述线圈阵列包括第一线圈,所述第一线圈构造成相对于所述导电构件、所述第一透磁构件和所述第二透磁构件生成磁场。5.如权利要求1所述的场成形组件,其特征在于,所述第二透磁构件的周缘大于所述导电构件的周缘,并且所述第二透磁构件遇到由所述第一线圈生成的所述场的至少一部分。6.如权利要求5所述的场成形组件,其特征在于,还包括:线圈阵列,所述线圈阵列包括多个线圈,其中,所述多个线圈发射磁场;其中,所述线圈阵列与所述导电构件、所述第一透磁构件和所述第二透磁构件结合形成不同的场。7.如权利要求6所述的场成形组件,其特征在于,所述不同的场包括所述发射的磁场的第一分量的第一矢量,所述第一矢量不同于所述发射的磁场的第二分量的第二矢量。8.如权利要求7所述的场成形组件,其特征在于,所述第一分量是时间上的第一分量,并且所述第二分量是时间上的第二分量。9.如权利要求1所述的场成形组件,其特征在于,所述第一透磁构件具有不规则的周缘。10.如权利要求1所述的场成形组件,其特征在于,还包括:线圈阵列,所述线圈阵列包括定位在多个线圈组中的多个线圈;其中,所述第一透磁构件包括多个所述第一透磁构件;其中,所述多个线圈组中的每个线圈组与所述第一透磁构件中的一个相关联。11.如权利要求1所述的场成形组件,其特征在于,所述第一透磁构件包括多个所述第一透磁构件;其中,所述导电构件是单个构件;以及其中,所述第二透磁构件是单个构件。12.如权利要求1所述的场成形组件,其特征在于,所述第一透磁构件包括多个所述第一透磁构件;其中,所述导电构件包括多个所述导电构件;以及其中,所述第二透磁构件是单个构件。13.一种场成形组件,所述场成形组件包括:导电构件,所述导电构件具有第一表面,所述第一表面具有第一面积;
第一透磁构件,所述第一透磁构件具有第二表面,所述第二表面具有第二表面积;以及第二透磁构件,所述第二透磁构件具有第三表面,所述第三表面具有第三表面积;其中,所述第一表面积大于所述第二表面积和所述第三表面积的组合表面积。14.如权利要求13所述的场成形组件,其特征在于,所述第一透磁构件和所述第二透磁构件定位在所述导电构件的单侧上。15.如权利要求13所述的场成形组件,其特征在于,所述第一透磁构件与所述第二透磁构件间隔开,并且所述第一透磁构件和所述第二透磁构件两者均定位在所述导电构件的单侧上。16.如权利要求13所述的场成形组件,其特征在于,所述第一透磁构件或所述第二透磁构件中的至少一个是非规则形状。17.如权利要求13所述的场成形组件,其特征在于,还包括:间隔构件,所述间隔构件基本上对磁场和电流呈惰性,包括基本上非磁性和非导电的;其中,所述间隔构件定位在所述导电构件与所述第一透磁构件或所述第二透磁构件中的至少一个之间。18.如权利要求13所述的场成形组件,其特征在于,所述第一透磁构件和所述第二透磁构件两者均具有对电流的高电阻性、高磁导率、高磁饱和度或低矫顽磁力中的至少一种。19.如权利要求18所述的场成形组件,其特征在于,所述导电构件具有高导电性,其中,所述高导电性包括至少十倍于所述第一透磁构件...
【专利技术属性】
技术研发人员:B,
申请(专利权)人:美敦力导航股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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