太阳能电池及光伏组件制造技术

本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底的第一表面具有多个沿第一方向间隔设置的第一区、位于相邻的第一区之间的第二区以及第三区；第一区的表面具有两个或多个第一子结构；第二区的表面具有两个或多个第二子结构，第一子结构的顶部表面的平均一维尺寸小于第二子结构的顶部表面的平均一维尺寸；第三区的表面具有两个或多个第三子结构；隧穿介质层，隧穿介质层位于第一纹理结构的表面；多个沿第一方向间隔排布的掺杂导电层，掺杂导电层与第一区正对，且位于隧穿介质层表面；多个第一电极，每一第一电极设置与掺杂导电层电连接。本申请提供的太阳能电池及光伏组件至少可以提升光电转换效率。转换效率。转换效率。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及光伏组件


[0001]本申请实施例涉及光伏领域，特别涉及一种太阳能电池及光伏组件。

技术介绍

[0002]影响太阳能电池性能(例如光电转换效率)的原因包括光学损失以及电学损失，光学损失包括电池前表面反射损失、接触栅线的阴影损失以及长波段的非吸收损失等，电学损失包括半导体表面及体内的光生载流子复合、半导体和金属栅线的接触电阻以及金属和半导体的接触电阻等的损失。
[0003]为了减少太阳能电池的电学损失以及光学损失，一般需要对太阳能电池的背面进行抛光工艺。背面抛光工艺主要是利用湿化学法对背面硼掺杂金字塔绒面结构进行抛光处理，增加光的内反射，降低载流子表面复合速率，提升电池光电转换效率。在背面抛光工艺中，晶硅电池背面抛光面形貌有利于长波段光的背反射和后续形成在背面膜层的均匀性，对太阳能电池的效率提升具有重要作用。背面抛光工艺可以优化太阳能电池性能，但影响该类型太阳能电池性能的因素仍然较多，因此，开发高效的钝化接触太阳能电池具有重要的意义。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种太阳能电池及光伏组件，至少有利于提升太阳能电池的光电转换效率。
[0005]根据本申请一些实施例，本申请实施例一方面提供一种太阳能电池，包括：基底，所述基底的第一表面具有多个沿第一方向间隔设置的第一区、位于相邻的所述第一区之间的第二区以及第三区；所述第一区的表面具有第一纹理结构，所述第一纹理结构包括两个或多个第一子结构；所述第二区的表面具有第二纹理结构，所述第二纹理结构包括两个或多个第二子结构，所述第一子结构的顶部表面的平均一维尺寸小于所述第二子结构的顶部表面的平均一维尺寸；所述第三区的表面具有第三纹理结构，所述第三纹理结构包括两个或多个第三子结构；隧穿介质层，所述隧穿介质层位于所述第一纹理结构的表面；多个沿所述第一方向间隔排布的掺杂导电层，所述掺杂导电层与所述第一区正对，且位于所述隧穿介质层表面；多个沿所述第一方向间隔排布的第一电极，所述第一电极沿所述第二方向延伸，每一所述第一电极设置于所述掺杂导电层远离所述基底的一侧，并与所述掺杂导电层电连接。
[0006]另外，所述第一子结构的顶部表面的平均一维尺寸小于所述第三子结构的顶部表面的平均一维尺寸。
[0007]另外，所述第二子结构的顶部表面的平均一维尺寸小于或等于所述第三子结构的顶部表面的平均一维尺寸。
[0008]另外，在同一单位面积内，所述第一子结构的数量大于所述第二子结构的数量。
[0009]另外，所述第一子结构的顶面与底面之间的高度大于所述第二子结构的顶面与底
面之间的高度。
[0010]另外，所述第一子结构的顶面与底面之间的高度大于所述第三子结构的顶面与底面之间的高度。
[0011]另外，最外侧的第一子结构与相邻的所述第一子结构的排布方式为至少部分堆叠或者邻接非堆叠排布。
[0012]另外，所述第一子结构、所述第二子结构和/或所述第三子结构的顶部表面为多边形平面。另外，所述第一子结构、所述第二子结构和/或所述第三子结构的表面具有微纹理结构，所述微纹理结构包括至少一个凸起结构；沿垂直于所述基底表面的方向，所述凸起结构的顶面与底面之间的高度小于或等于2μm。
[0013]另外，所述凸起结构的底面的平均一维尺寸范围为5μm～60μm；所述凸起结构的顶面的平均一维尺寸范围为0.01μm～5μm。
[0014]另外，所述隧穿介质层还位于所述第二纹理结构的表面；还包括：与所述第二区正对的导电传输层，所述导电传输层位于所述隧穿介质层的表面，每一所述导电传输层位于相邻的所述掺杂导电层之间，并与所述掺杂导电层侧面接触。
[0015]另外，所述导电传输层内的掺杂元素类型与所述掺杂导电层内掺杂元素类型相同；所述导电传输层的掺杂浓度大于所述掺杂导电层的掺杂浓度。
[0016]另外，所述第一区的掺杂浓度小于所述第二区的掺杂浓度且小于所述第三区的掺杂浓度。
[0017]另外，沿所述第一方向，所述导电传输层包括间隔设置的主体部以及位于相邻的所述主体部之间的连接部，所述主体部与所述掺杂导电层侧面接触，所述主体部的掺杂浓度小于等于所述连接部的掺杂浓度。
[0018]另外，所述第二区包括第一部以及第二部，所述第一部与所述主体部正对，所述第二部与所述连接部一一对应，所述第一部的掺杂浓度小于等于所述第二部的掺杂浓度。
[0019]另外，沿垂直于所述第一表面的方向，所述第一部的厚度小于等于所述第二部的厚度。
[0020]另外，沿垂直于所述第一表面的方向，所述连接部的剖面形状包括三角形、矩形、梯形或者椭圆形。
[0021]另外，所述基底的材料与所述掺杂导电层的材料或所述导电传输层的材料的至少一者相同。
[0022]另外，还包括：钝化层，所述钝化层位于所述掺杂导电层、所述导电传输层以及所述第三纹理结构的表面。
[0023]另外，还包括：多个沿所述第二方向间隔设置的第二电极，所述第二电极沿所述第一方向延伸，并电连接沿所述第一方向间隔排布的多个所述第一电极，相邻的所述第二电极之间至少具有一个所述导电传输层；导电连接层，所述导电连接层位于所述导电传输层与所述第二电极之间，所述导电连接层相对的侧面分别与所述导电传输层的侧面以及所述第二电极的表面接触。
[0024]另外，所述基底还包括第四区，所述第四区与所述导电连接层正对，所述第四区的掺杂总量大于等于所述第一区的掺杂浓度且小于等于所述第三区的掺杂浓度。
[0025]根据本申请一些实施例，本申请实施例另一方面还提供一种光伏组件，包括：电池
串，所述电池串由多个如上述实施例任一项所述太阳能电池连接而成；封装层，所述封装层用于覆盖所述电池串的表面；盖板，所述盖板用于覆盖所述封装层远离所述电池串的表面。
[0026]本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点：
[0027]本申请实施例提供的技术方案中，基底的第一表面具有第一区、第二区以及第三区，第一区具有第一纹理结构，第二区具有第二纹理结构，第三区具有第三纹理结构，第一纹理结构的第一子结构的顶面平均一维尺寸小于第二纹理结构的第二子结构的顶面平均一维尺寸，且在第一纹理结构表面形成局部隧穿介质层以及掺杂导电层。如此，通过改变电极正对区域的纹理结构以及电极非正对区域的纹理结构的形貌，实现第一纹理结构的塔基更小，利用隧穿介质层以及掺杂导电层形成局部重掺杂区域，可以降低电极正对区域的接触电阻以及非正对区域的复合速率。第二纹理结构的塔基更大的设计提升太阳能电池背面的光学内反射效果和背面钝化效果，提高短路电流和开路电压，整体提高电池效率。而且，由于第一子结构的顶面平均一维尺寸小于第二子结构的顶面平均一维尺寸，两者在光学识别上具有差别，由此可以通过差别实现电极的自对准，避免电极发生偏移，进而可以避免后续焊带的偏移，提升电池性能。
附图说明
[0028]一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：基底，所述基底的第一表面具有多个沿第一方向间隔设置的第一区、位于相邻的所述第一区之间的第二区以及第三区；所述第一区的表面具有第一纹理结构，所述第一纹理结构包括两个或多个第一子结构；所述第二区的表面具有第二纹理结构，所述第二纹理结构包括两个或多个第二子结构，所述第一子结构的顶部表面的平均一维尺寸小于所述第二子结构的顶部表面的平均一维尺寸；所述第三区的表面具有第三纹理结构，所述第三纹理结构包括两个或多个第三子结构；隧穿介质层，所述隧穿介质层位于所述第一纹理结构的表面；多个沿所述第一方向间隔排布的掺杂导电层，所述掺杂导电层与所述第一区正对，且位于所述隧穿介质层表面；多个沿所述第一方向间隔排布的第一电极，所述第一电极沿所述第二方向延伸，每一所述第一电极设置于所述掺杂导电层远离所述基底的一侧，并与所述掺杂导电层电连接。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一子结构的顶部表面的平均一维尺寸小于所述第三子结构的顶部表面的平均一维尺寸。3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二子结构的顶部表面的平均一维尺寸小于或等于所述第三子结构的顶部表面的平均一维尺寸。4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在同一单位面积内，所述第一子结构的数量大于所述第二子结构的数量。5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一子结构的顶面与底面之间的高度大于所述第二子结构的顶面与底面之间的高度。6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一子结构的顶面与底面之间的高度大于所述第三子结构的顶面与底面之间的高度。7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，最外侧的第一子结构与相邻的所述第一子结构的排布方式为至少部分堆叠或者邻接非堆叠排布。8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一子结构、所述第二子结构和/或所述第三子结构的顶部表面为多边形平面。9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一子结构、所述第二子结构和/或所述第三子结构的表面具有微纹理结构，所述微纹理结构包括至少一个凸起结构；沿垂直于所述基底表面的方向，所述凸起结构的顶面与底面之间的高度小于或等于2μm。10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，所述凸起结构的底面的平均一维尺寸范围为5μm～60μm；所述凸起结构的顶面的平均一维尺寸范围为0.01μm～5μm。11.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述隧穿介质层还位于所述第二纹理结构的表面；还包括：与所述第二区正...

【专利技术属性】
技术研发人员：金井升，张博，张彼克，张昕宇，
申请(专利权)人：晶科能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：