【技术实现步骤摘要】
滤波装置及其形成方法
[0001]本专利技术涉及半导体
,尤其涉及一种滤波装置及其形成方法。
技术介绍
[0002]现有的谐振器技术主要有声表面波(Surface Acoustic Wave,简称SAW)谐振器技术,体声波(Bulk Acoustic Wave,简称BAW)谐振器技术,低温共烧陶瓷(Low Temperature Co
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fired Ceramic,简称LTCC)谐振器技术等。通过多个谐振器可以形成具有良好通带性能的射频滤波器。
[0003]体声波谐振器技术,得益于其高的品质因数(Q)及较小的结构尺寸,广泛应用于现代手持设备的无线通讯中,实现良好的射频信号滤波性能。 为了节省面积,集成两个及以上滤波器的双工器或多工器的结构被广泛采用。双工器包括发射滤波器和接收滤波器。发射滤波器连接在信号发射端与天线端,接收滤波器连接在天线端和信号接收端之间。
[0004]由于体声波谐振器的压电层材料,比如:氮化铝或氧化锌等,自身固有的非线性特质,在实际使用过程中会产生一些杂波信号,一般为以下两类:(1)二阶谐波信号,如果发射端产生的二阶谐波信号的频率范围刚好是某个共连天线端接收滤波器的通带范围,则会产生错误的信号串扰;(2)三阶互调信号,从发射端产生的信号与天线端的信号三阶互调而成,如果刚好是某个共连天线端接收滤波器的通带范围则会产生错误的信号串扰。
[0005]因此,现有的双工器的性能还有待提升。
技术实现思路
[0006]本专利技术解决的技术问题是提 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种滤波装置,包括第一滤波器和第二滤波器,其特征在于,包括:第一衬底;基于所述第一衬底形成的若干第一谐振器;第二衬底,所述第二衬底包括第一区和第二区;基于所述第一区形成的若干第二谐振器,所述第一滤波器包括若干所述第一谐振器和若干所述第二谐振器,所述第一谐振器与所述第二谐振器的类型不同;基于所述第二区形成的若干第三谐振器,所述第三谐振器与所述第二谐振器的类型相同,所述第二滤波器包括若干所述第三谐振器;位于所述第二衬底上的天线端口,所述天线端口分别电连接相邻的所述第二谐振器和所述第三谐振器。2.如权利要求1所述的滤波装置,其特征在于,所述第一谐振器包括体声波谐振器,所述体声波谐振器包括薄膜体声波谐振器、固态装配型谐振器或XBAR谐振器。3.如权利要求1所述的滤波装置,其特征在于,所述第二谐振器和所述第三谐振器包括声表面波谐振器。4.如权利要求1所述的滤波装置,其特征在于,还包括:位于所述第一衬底上的若干第一连接线,所述第一连接线电连接至少一个所述第一谐振器。5.如权利要求1所述的滤波装置,其特征在于,还包括:位于所述第一区的若干第二连接线,所述第二连接线电连接至少一个所述第二谐振器;位于所述第二区的若干第三连接线,所述第三连接线电连接至少一个所述第三谐振器。6.如权利要求1所述的滤波装置,其特征在于,还包括:位于所述第一区和所述第二区之间的第四连接线,所述第四连接线电连接相邻的所述第二谐振器和所述第三谐振器;所述第四连接线还电连接所述天线端口。7.如权利要求1所述的滤波装置,其特征在于,所述第一衬底的材料包括硅或砷化镓。8.如权利要求1所述的滤波装置,其特征在于,所述第二衬底的材料包括压电材料,所述压电材料包括铌酸锂或钽酸锂、石英、氧化锌或氮化铝。9.如权利要求1所述的滤波装置,其特征在于,所述第一滤波器与所述第二滤波器的谐振器波长差值范围为大于2.5%。10.如权利要求1所述的滤波装置,其特征在于,所述第二谐振器的波长范围小于2.2微米;所述第二谐振器的面积范围小于45000平方微米。11.如权利要求1所述的滤波装置,其特征在于,还包括:位于所述第一衬底和所述第二衬底上的第一连接部,所述第一连接部电连接所述第一谐振器和所述第二谐振器。12.一种滤波装置的形成方法,包括形成第一滤波器与第二滤波器,其特征在于,包括:提供第一衬底;基于所述第一衬底形成若干第一谐振器;提供第二衬底,所述第二衬底包括第一区和第二区;基于所述第一区形成若干第二谐振器,所述第一谐振器与所述第二谐振器的类型不同;形成第一滤波器包括形成若干所述第一谐振器和若干所述第二谐振器;基于所述第二区形成若干第三谐振器,所述第三谐振器与所述第二谐振器的类型相
同;形成所述第二滤波器包括形成若干所述第三谐振器;形成天线端口,位于所述第二衬底上,所述天线端口分别电连接相邻的所述第二谐振器和所述第三谐振器。13.如权利要求12所述的滤波装置的形成方法,其特征在于,还包括:形成位于...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨新宇,邹雅丽,汤正杰,
申请(专利权)人:常州承芯半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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