磁感按键状态检测方法及磁旋钮技术

本申请属于磁感应技术领域，提供了一种磁感按键状态检测方法及磁旋钮，磁感按键状态检测方法包括：配置基准值阵列，基准值阵列包括m个基准值，基准值用B

【技术实现步骤摘要】
磁感按键状态检测方法及磁旋钮


[0001]本申请属于磁感应
，更具体地说，是涉及一种磁感按键状态检测方法及磁旋钮。

技术介绍

[0002]磁感按键是一种现有技术，其通常设有磁体和磁传感器，磁体可相对磁传感器移动，磁传感器检测磁体产生的磁场强度以判断磁感按键的状态。磁体通常是磁铁。
[0003]然而，磁传感器的检测容易受到环境因素的影响，例如温漂效应，磁传感器的检测值会随着温度的变化而变化，如果采用绝对磁场检测按压动作是否发生，可能会产生按键判断随着温度变化而失效的情况。例如，在常温下，假设磁传感器检测到磁铁产生的磁场强度在按压前是500GS，按压阈值是650GS，但是，受温漂效应的影响，磁传感器的检测值偏低，按键按到底，磁传感器的检测值还是小于600GS，达不到按压阈值，按键状态判断出错。
[0004]现有的磁感按键的状态判断的可靠性较低，有必要提供一种新的磁感按键状态检测方法。

技术实现思路

[0005]本申请的目的在于提供一种磁感按键状态检测方法及磁旋钮，以解决现有技术中存在的磁感按键状态判断的可靠性较低的技术问题。
[0006]为实现上述目的，本申请采用的技术方案是：提供一种磁感按键状态检测方法，其应用于磁感按键，磁感按键设有磁体和磁传感器，磁体可相对磁传感器移动，磁传感器检测磁体产生的磁场强度以判断磁感按键的状态，磁感按键的状态包括按压状态和释放状态，所述磁感按键状态检测方法包括：配置基准值阵列，所述基准值阵列包括m个基准值，基准值用B
i
（t<br/>n
）表示，m、i和n均为正整数，且1≤i≤m，m≥2，t
n
表示时间，对于1≤i≤m
‑
1范围内的B
i
（t
n
）满足：B
i
（t
n
）= B
i+1
（t
n
‑1），而B
m
（t
n
）= B
base
（t
n
），B
base
（t
n
）为当前基准值，且B
base
（t
n
）由B
det
（t
n
）经过低通滤波而生成，B
det
（t
n
）为对磁场强度的当前检测值；采集B
det
（t
n
）并刷新所述基准值阵列；令B
base_push
= B1（t
n
）*K
push
，B
base_push
为按压阈值，K
push
为大于1的按压系数；令B
base_release
= B1（t
n
）*K
release
，B
base_release
为释放阈值，K
release
为大于1的释放系数；如果B
det
（t
n
）＞B
base_push
，则认为磁感按键处于按压状态；如果B
det
（t
n
）＜B
base_release
，则认为磁感按键处于释放状态。
[0007]可选地，B
base
（t
n
）=[ B
base
（t
n
‑1）*（f
‑
1）+ B
det
（t
n
）]/f，f为大于1的权重因子，B
base
（t
n
）的初始值等于B
det
（t
n
）的初始值。
[0008]可选地，在磁感按键的按压之前或按压过程中，在B
det
（t
n
）增大至B
base_push
之前，每隔N
push
次的B
det
（t
n
）采样才刷新所述基准值阵列，N
push
为大于2的正整数。
[0009]可选地，K
push
＞K
release
。
[0010]可选地，如果B
det
（t
n
）＞B
base_push
，则令所有基准值B
i
（t
n
）等于B1（t n
‑1）且停止刷新所述基准值阵列。
[0011]可选地，在磁感按键的释放过程中，B
det
（t
n
）逐渐减小，在B
det
（t
n
）从B
base_push
减小至B
base_release
的区间内不刷新所述基准值阵列。
[0012]可选地，在B
det
（t
n
）减小至B
base_release
之后开始计算的B
det
（t
n
）的采样次数大于N
release
之后才开始刷新所述基准值阵列，N
release
为大于2的正整数。
[0013]可选地，在B
det
（t
n
）减小至B
base_release
之后开始计算的B
det
（t
n
）的采样次数大于N
release
之后令所有基准值B
i
（t
n
）等于B
det
（t
n
），然后按规则“对于1≤i≤m
‑
1范围内的B
i
（t
n
）满足：B
i
（t
n
）= B
i+1
（t
n
‑1），而B
m
（t
n
）= B
base
（t
n
）”刷新所述基准值阵列。
[0014]可选地，在磁感按键的按压之前或按压过程中，在B
det
（t
n
）增大至B
base_push
之前，每隔N
push
次的B
det
（t
n
）采样才刷新所述基准值阵列，N
push
为大于2的正整数，并且f=K1*N
push
= K2*N
release
，0.3≤K1≤1.8，1≤K2≤15。
[0015]本申请还提供一种磁旋钮，所述磁旋钮设有磁体和磁传感器，磁体可相对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁感按键状态检测方法，应用于磁感按键，磁感按键设有磁体和磁传感器，磁体可相对磁传感器移动，磁传感器检测磁体产生的磁场强度以判断磁感按键的状态，磁感按键的状态包括按压状态和释放状态，其特征在于，所述磁感按键状态检测方法包括：配置基准值阵列，所述基准值阵列包括m个基准值，基准值用B
i
（t
n
）表示，m、i和n均为正整数，且1≤i≤m，m≥2，t
n
表示时间，对于1≤i≤m
‑
1范围内的B
i
（t
n
）满足：B
i
（t
n
）= B
i+1
（t
n
‑1），而B
m
（t
n
）= B
base
（t
n
），B
base
（t
n
）为当前基准值，且B
base
（t
n
）由B
det
（t
n
）经过低通滤波而生成，B
det
（t
n
）为对磁场强度的当前检测值；采集B
det
（t
n
）并刷新所述基准值阵列；令B
base_push
= B1（t
n
）*K
push
，B
base_push
为按压阈值，K
push
为大于1的按压系数；令B
base_release
= B1（t
n
）*K
release
，B
base_release
为释放阈值，K
release
为大于1的释放系数；如果B
det
（t
n
）＞B
base_push
，则认为磁感按键处于按压状态；如果B
det
（t
n
）＜B
base_release
，则认为磁感按键处于释放状态。2.如权利要求1所述的磁感按键状态检测方法，其特征在于：B
base
（t
n
）=[ B
base
（t
n
‑1）*（f
‑
1）+ B
det
（t
n
）]/f，f为大于1的权重因子，B
base
（t
n
）的初始值等于B
det
（t
n
）的初始值。3.如权利要求1所述的磁感按键状态检测方法，其特征在于：在磁感按键的按压之前或按压过程中，在B
det
（t
n
）增大至B
base_push
之前，每隔N
push
次的B
det
（t
n
）采样才刷新所述基准值阵列，N
push
为大于2的正整数。4.如权利要求1所述的磁感按键状态检测方法，其特征在于：K
push
＞K
release
。5.如权利要求4所述的磁感按键状态检测方法，其特征在于：如...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宏雷，左心驰，李炎东，钱振煌，
申请(专利权)人：泉州昆泰芯微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：