利用KOYO研削机改变硅片形貌的方法技术

本发明专利技术涉及一种利用KOYO研削机改变硅片形貌的方法，所属半导体加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：加工一片硅片用黑田300TT仪器观察其厚度俯视图砂轮痕迹，如果砂轮痕迹为整圆则加工均匀，如果为半圆则不均匀。第二步：观察硅片厚度俯视图砂轮痕迹均匀则硅片微观形貌较好，当观察硅片厚度俯视图砂轮痕迹不均匀则先看砂轮水平倾斜是前闭合还是后闭合。第三步：根据砂轮水平倾斜对左右砂轮水平目标进行调整。第四步：调整完成后，将硅片依次放于传送带，点击KOYO研削机对硅片进行研磨，完成加工后取出。通过对砂轮倾角与研磨位置的调整，提高产品的SFQR、ESFQR、NT水平和提升良率，同时得到高水平的硅片从而增加公司的核心竞争力。争力。争力。

【技术实现步骤摘要】
利用KOYO研削机改变硅片形貌的方法


[0001]本专利技术涉及半导体加工
，具体涉及一种利用KOYO研削机改变硅片形貌的方法。

技术介绍

[0002]随着半导体产业的不断发展，硅片作为半导体产业链条的前端产品其质量好坏的重要性不言而喻，只有好的基础材料才能得到好的芯片产品。硅片的参数不仅要求平坦度与颗粒等，更对产品纳米形貌提出了新的更高的要求。
[0003]另外产品形貌的异常，首先会影响产品的SFQR、ESFQR、严重的会产生NT不良使产品质量变差，所以进行产品形貌的管理尤为重要。我们利用KOYO双面研磨机（DSG）通过砂轮倾角的调整与配合Shift的调整可以改变硅片的图形从而达到调整图形的目的，通过调整图形从而影响产品的SFQR、ESFQR、NT水平得到我们想要的效果。
[0004]硅片的表面粗糙度可以用Bow、Warp、SFQR、ESFQR和Nanotopography等参数来表示。SFQR为局部平整度，ESFQR即Edge SiteFrontsurface referenced least sQuares/Range，意思为边缘部位正面基准最小二乘/范围。

技术实现思路

[0005]本专利技术主要解决现有技术中存在的不足，提供了一种利用KOYO研削机改变硅片形貌的方法，其通过对砂轮倾角与研磨位置的调整，提高产品的SFQR、ESFQR、NT水平和提升良率，同时得到高水平的硅片从而增加公司的核心竞争力。
[0006]本专利技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：一种利用KOYO研削机改变硅片形貌的方法，包括如下操作步骤：第一步：加工一片硅片观察硅片左右砂轮痕迹是否均匀，用黑田300TT仪器进行观察其厚度俯视图砂轮痕迹，如果砂轮痕迹为整圆则加工均匀，如果为半圆则不均匀。
[0007]第二步：观察硅片厚度俯视图砂轮痕迹均匀则硅片微观形貌较好，当观察硅片厚度俯视图砂轮痕迹不均匀则先看砂轮水平倾斜是前闭合还是后闭合。
[0008]第三步：根据砂轮水平倾斜对左右砂轮水平目标进行调整，加工时观察左右砂轮电流值的变化，左边电流高则研磨位置向右移动每次5个单位数值，右边电流高则研磨位置向左移动每次5个单位数值，直到得到均匀形貌硅片。
[0009]第四步：调整完成后，将硅片依次放于传送带，点击KOYO研削机的EE维护界面，采用手动研磨，此时气压归零锁定ON，接着对调机片进行研磨，硅片研磨周期完成加工后取出，这时即完成气压归零锁定操作。
[0010]作为优选，当前闭合则左右砂轮水平目标位置每次加5个单位数值将砂轮水平倾斜角度向后偏移，之后点击斜角移动并进入研磨准备然后确定按钮。
[0011]作为优选，当后闭合，则左右砂轮水平目标位每次减5个单位数值将砂轮水平倾斜角度向前偏移，之后点击斜角移动并进入研磨准备然后确定按钮。
[0012]通过调整砂轮倾角与研磨位置改变硅片形貌得到图形均一、平整的硅片，使得硅片的SFQR、ESFQR、NT水平达到较好的效果从而得到高水平的硅片。
[0013]本专利技术能够达到如下效果：本专利技术提供了一种利用KOYO研削机改变硅片形貌的方法，与现有技术相比较，通过对砂轮倾角与研磨位置的调整，提高产品的SFQR、ESFQR、NT水平和提升良率，同时得到高水平的硅片从而增加公司的核心竞争力。
附图说明
[0014]图1是本专利技术的工艺原理图。
[0015]图2是本专利技术正常加工位置的结构示意图。
[0016]图3是本专利技术异常加工位置的结构示意图。
[0017]图中：左右砂轮1，硅片2。
具体实施方式
[0018]下面通过实施例，并结合附图，对专利技术的技术方案作进一步具体的说明。
[0019]实施例：如图1、图2和图3所示，一种利用KOYO研削机改变硅片形貌的方法，包括如下操作步骤：第一步：加工一片硅片2观察硅片左右砂轮1痕迹是否均匀，用黑田300TT仪器进行观察其厚度俯视图砂轮痕迹，如果砂轮痕迹为整圆则加工均匀，如果为半圆则不均匀。
[0020]第二步：观察硅片2厚度俯视图砂轮痕迹均匀则硅片2微观形貌较好，当观察硅片2厚度俯视图砂轮痕迹不均匀则先看砂轮水平倾斜是前闭合还是后闭合。
[0021]第三步：根据砂轮水平倾斜对左右砂轮1水平目标进行调整，加工时观察左右砂轮1电流值的变化，左边电流高则研磨位置向右移动每次5个单位数值，右边电流高则研磨位置向左移动每次5个单位数值，直到得到均匀形貌硅片。
[0022]当前闭合则左右砂轮1水平目标位置每次加5个单位数值将砂轮水平倾斜角度向后偏移，之后点击斜角移动并进入研磨准备然后确定按钮。
[0023]当后闭合，则左右砂轮1水平目标位每次减5个单位数值将砂轮水平倾斜角度向前偏移，之后点击斜角移动并进入研磨准备然后确定按钮。
[0024]第四步：调整完成后，将硅片2依次放于传送带，点击KOYO研削机的EE维护界面，采用手动研磨，此时气压归零锁定ON，接着对调机片进行研磨，硅片研磨周期完成加工后取出，这时即完成气压归零锁定操作。
[0025]综上所述，该利用KOYO研削机改变硅片形貌的方法，通过对砂轮倾角与研磨位置的调整，提高产品的SFQR、ESFQR、NT水平和提升良率，同时得到高水平的硅片从而增加公司的核心竞争力。
[0026]以上所述仅为本专利技术的具体实施例，但本专利技术的结构特征并不局限于此，任何本领域的技术人员在本专利技术的领域内，所作的变化或修饰皆涵盖在本专利技术的专利范围之中。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种利用KOYO研削机改变硅片形貌的方法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：加工一片硅片（2）观察硅片左右砂轮（1）痕迹是否均匀，用黑田300TT仪器进行观察其厚度俯视图砂轮痕迹，如果砂轮痕迹为整圆则加工均匀，如果为半圆则不均匀；第二步：观察硅片（2）厚度俯视图砂轮痕迹均匀则硅片（2）微观形貌较好，当观察硅片（2）厚度俯视图砂轮痕迹不均匀则先看砂轮水平倾斜是前闭合还是后闭合；第三步：根据砂轮水平倾斜对左右砂轮（1）水平目标进行调整，加工时观察左右砂轮（1）电流值的变化，左边电流高则研磨位置向右移动每次5个单位数值，右边电流高则研磨位置向左移动每次5个单位数值，直到得到均匀形貌硅片；第四步：...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛轶，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：