一种多晶倒装芯片封装结构制造技术

一种多晶倒装芯片封装结构，包括一组金属焊接片、一组LED芯片及封装膜，所述焊接片采用平面山形结构；焊接片之间呈镜像排列，开口朝内并形成两个镂空区；LED芯片镶嵌于镂空区，封装膜覆盖于所述焊接片及LED芯片上；减少了封装结构在焊接上的焊接次数，焊接片与LED芯片之间形成了较大面积的封装焊接面，封装结构与电路板之间只有焊接材料，避免了其他介质对封装结构的散热阻隔。装结构的散热阻隔。装结构的散热阻隔。

【技术实现步骤摘要】
一种多晶倒装芯片封装结构


[0001]本技术涉及芯片封装领域，具体涉及一种多晶倒装芯片封装结构。

技术介绍

[0002]在LED芯片领域中，温度越高，LED芯片的使用寿命越短；LED芯片在使用过程中，都会尽量将产生的热量传导出去并通过散热器散发到空气中。当前LED单颗器件封装有SMD贴片、平面支架结构和芯片级封装两种结构，SMD结构中芯片的热量向外传导会经过多次焊接材料和支架等介质，会影响热的向外传导；平面支架结构的器件，需要先将LED芯片焊接在平面支架上，再将贴好LED芯片的平面支架焊接在电路板上，因此需要二次焊接，二次焊接对LED芯片的稳定性造成影响，增大失效风险；芯片级封装器件是直接芯片电极与电路板焊接，热传导性能好，但是由于芯片电极小，焊接过程中良率较低，而且焊接之后由于焊接面积小，容易受外力影响而脱焊造成LED失效。
[0003]因此，现有的LED芯片封装结构存在焊接次数多、封装焊接面积小以及存在散热阻隔。

技术实现思路

[0004]为了克服现有技术的不足，本技术提供一种多晶倒装芯片封装结构，其目的在于解决LED芯片封装结构中，焊接次数多、封装焊接面积小以及存在散热阻隔的问题，达到焊接次数少、封装焊接面积大以及减少散热阻隔的目的。
[0005]为解决上述问题，本技术所采用的技术方案如下：
[0006]一种多晶倒装芯片封装结构，包括一组金属焊接片、一组LED芯片及封装膜，所述焊接片采用平面山形结构；所述焊接片之间呈镜像排列，开口朝内并形成两个镂空区；所述LED芯片镶嵌于所述镂空区，所述封装膜覆盖于所述焊接片及LED芯片上。
[0007]所述LED芯片包括电极及底面，所述电极设置于所述底面，所述镂空区的尺寸等于所述底面。
[0008]进一步地，LED芯片采用倒装LED芯片。
[0009]进一步地，所述底面镶嵌于所述镂空区，且与所述焊接片相平齐并形成一体的封装焊接面。
[0010]所述封装膜与所述焊接片的外径相贴合，所述封装膜覆盖所述LED芯片并保留所述封装焊接面，形成长方体的封装结构。
[0011]所述封装膜采用透光封装膜。
[0012]进一步地，在所述封装焊接面上设置有黏性的贴膜，所述贴膜可用于所述封装结构与电路板之间的贴合焊接。
[0013]相比现有技术，本技术的有益效果在于：所述焊接片采用平面山形结构且两个焊接片形成两个镂空区，LED芯片镶嵌于镂空区上，避免了LED芯片与焊接片的焊接，减少了封装结构在焊接上的焊接次数；同时，焊接片与LED芯片之间形成了较大面积的封装焊接
面，焊接后能够耐承受更大的外界应力，增强焊接结构的牢固程度；封装结构与电路板之间只有焊接材料，避免了其他介质对封装结构的散热阻隔。
[0014]下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细说明。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0016]图1为本技术的实施例的一种多晶倒装芯片封装结构的封装结构示意图；
[0017]图2为本技术的实施例的焊接片的结构示意图；
[0018]图3为本技术的实施例的LED芯片贴合焊接片的结构示意图；
[0019]图4为本技术的实施例的封装膜覆盖的结构示意图；
[0020]图5为本技术的实施例的切割封装膜后的结构示意图。
具体实施方式
[0021]下面结合附图对本公开实施例进行详细描述。
[0022]以下通过特定的具体实例说明本公开的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本公开的其他优点与功效。显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。本公开还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各,细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本公开的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
[0023]一种多晶倒装芯片封装结构，如图1所示，包括一组金属焊接片1、一组LED芯片2及封装膜3，焊接片1采用平面山形结构；焊接片1之间呈镜像排列，开口朝内并形成两个镂空区10；LED芯片2镶嵌于镂空区10，封装膜3覆盖于焊接片1及LED芯片2上。
[0024]具体的，如图2所示，焊接片1采用平面山形结构的制作工艺包括：将一张金属薄片平铺在覆有耐高温双面胶的平面载板上，用激光切割、模具冲切或者化学蚀刻等方式，形成阵列式的两个镜像排列的平面山形金属焊接片1。
[0025]具体的，LED芯片2包括电极及底面，电极设置于底面，镂空区10的尺寸略大于或等于底面。
[0026]进一步地，LED芯片2采用倒装LED芯片。
[0027]如图3所示，LED芯片2的底面镶嵌于镂空区10，且与焊接片1相平齐并形成一体的封装焊接面；LED芯片2的底面同样粘接在高温双面胶上。
[0028]具体的，如图4所示，封装膜3与焊接片1的外径相贴合，封装膜3覆盖LED芯片2并保留封装焊接面。
[0029]进一步地，封装膜3采用半固化封装膜3，并将覆盖后的封装膜3通过真空压合固化。
[0030]如图5所示，通过切割将封装结构沿着焊接片1之间的间隙切开，而不将双面胶切
穿，切割后形成长方体的封装结构；其中，切割方式包括刀轮式、刀片式切割机、激光切割机。
[0031]将切割后的封装结构从平面载板上整片剥离下来，而耐高温双面胶保留在平面载板上。
[0032]进一步地，在封装焊接面上设置有黏性的贴膜，从而得到完整的LED芯片2封装结构，贴膜可用于封装结构与电路板之间的贴合焊接。
[0033]进一步地，封装膜3采用透光封装膜3，包括有荧光膜及透明膜。
[0034]进一步地，焊接片1可以是铜、或者是铁，也可以是表面覆有锡、银、铜的复合型材料；焊接片1与电路板之间的焊接材料采用金属焊料，金属焊料可以是含锡、锡镍、锡银、锡锑等不限于焊接材料。
[0035]在本技术中，焊接片采用平面山形结构且两个焊接片形成两个镂空区，LED芯片镶嵌于镂空区上，避免了LED芯片与焊接片的焊接，减少了封装结构在焊接上的焊接次数；同时，焊接片与LED芯片之间形成了较大面积的封装焊接面，焊接后能够耐承受更大的外界应力，增强焊接结构的牢固程度；封装结构与电路板之间只有焊接材料，避免了其他介质对封装结构的散热阻隔。
[0036]上述实施方式仅为本技术的优选实施方式，不能以此来限定本技术保护的范围，本领域的技术人员在本技术的基础上所做的任何非本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多晶倒装芯片封装结构，其特征在于，包括一组金属焊接片、一组LED芯片及封装膜，所述焊接片采用平面山形结构；所述焊接片之间呈镜像排列，开口朝内并形成两个镂空区；所述LED芯片镶嵌于所述镂空区，所述封装膜覆盖于所述焊接片及LED芯片上。2.根据权利要求1所述的多晶倒装芯片封装结构，其特征在于，所述LED芯片包括电极及底面，所述电极设置于所述底面，所述镂空区的尺寸等于所述底面。3.根据权利要求2所述的多晶倒装芯片封装结构，其特征在于，LED芯片采用倒装LED芯片。4.根据权利要求3所述的多晶倒装...

【专利技术属性】
技术研发人员：程胜鹏，程鹏，邵雪江，方晨曦，
申请(专利权)人：中山中思微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：