一种集成电路半导体超纯水设备制造技术

本发明专利技术涉及一种集成电路半导体超纯水设备。其技术方案包括：包括依次连接的原水箱、两个并联的原水泵、自清洗砂滤器、自清洗炭滤器、第一MF过滤器、一级高压泵、一级反渗透装置、一级RO水箱、二级高压泵、二级反渗透装置，在二级反渗透装置的输出连接有两路，一路通过不合格排放阀连接原水箱，另一路依次连接二级RO水箱、EDI泵、UV紫外线杀菌器、第二MF过滤器、EDI装置、氮封纯水箱，氮封纯水箱的输出通过变频供水泵根据用水情况变频增压至脱气膜，然后纯水再经过双级紫外线杀菌器后经过双级抛光混床，保证产水水质可达18.25MΩ.cm，供用水点用水，供水点的剩余纯水通过回流管循环回流至氮封纯水箱。本提高过滤效率。本提高过滤效率。本提高过滤效率。

【技术实现步骤摘要】
一种集成电路半导体超纯水设备


[0001]本专利技术涉及半导体芯片、晶圆、碳化硅晶片清洗所需的超纯水制备的
，尤其涉及一种集成电路半导体超纯水设备。

技术介绍

[0002]现有双级反渗透+EDI的工艺，适合对水质要求一般的行业，但对于半导体行业，需要更高水质的要求，而纯水中残留的金属离子、细菌、各种气体都有对器件的工艺良品率、器件性能、器件可靠性造成影响，都需要严格控制其含量。因为水中含有氧气、二氧化碳等腐蚀性气体，在清洗晶片产品时会停留在产品表面，清洗不干净，同时也会腐蚀管道和设备系统，从而影响降低其生产效率和良品率。常见的金属离子主要包括钠、钾、铁、铜、镍、铝等，这些金属离子具有较强的迁移性会在半导体内移动从而导致器件电性能失效。目前传统的超纯水设备存在以下问题：1、现有一般用水情况是，需要使用水时才启动供水，这样管道会形成死水，而且水系统内的细菌因不流动循环清洗而在表面生成的有机物，细菌一旦在器件上形成，会成为颗粒状污染物或给器件表面引入不希望见到的金属离子，容易滋生细菌；2、传统超纯水设备的水质无法达到半导体晶片用水需求；3、传统设备无水质不合格排放功能，当水质不合格时，照常使用，会对EDI装置造成不可逆转的损坏。现设有水质排走功能，水质不合格排走，确保产品水品质优。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是针对
技术介绍
中存在容易滋生细菌、水质不合格的问题，而提出一种集成电路半导体超纯水设备。
[0004]本专利技术的技术方案：一种集成电路半导体超纯水设备，包括原水箱，所述原水箱的输出连接有两个并联的原水泵，原水泵输送原水依次通过自清洗砂滤器及自清洗炭滤器，再输送至自清洗软化器处理后构成一套完整的前预处理系统，该前预处理系统通过第一MF过滤器过滤后输送到一级反渗透单元，该一级反渗透单元依次包括相互连接的一级高压泵、一级反渗透装置以及一级RO水箱，通过一级高压泵增压输送到一级反渗透装置，一级反渗透装置后的一级反渗透产水将储存到供二级反渗透装置用水的一级RO水箱内，一级RO水箱的输出通过二级高压泵将一级RO水增压至二级反渗透装置，进一步滤除水中有机盐；二级反渗透装置后的二级反渗透产水内设置第一在线水质检测器，在二级反渗透装置的输出连接有两路，一路通过不合格排放阀连接原水箱，另一路连接至二级RO水箱，供EDI系统用水，同时二级的浓水将回收至原水箱，缓解原水用水紧张；且二级RO水箱的输出通过EDI泵将二级RO水增压至经过UV紫外线杀菌器杀菌后，再经过第二MF过滤器进一步滤除水中的杂质后，进入EDI装置，电去离子后储存至氮封纯水箱中，氮封纯水箱的输出通过变频供水泵根据用水情况变频增压至脱气膜，然后纯水再经过双级紫外线杀菌器后经过双级抛光混床，保证产水水质可达18.25MΩ.cm，供用水点用水，供水点产生的剩余纯水通过回流管循环回流至氮封纯水箱。
[0005]作为优选，在所述的氮封纯水箱上设置有超声波液位计。
[0006]作为优选，所述第一MF过滤器对水质进行精密过滤，除去大于5μm以上的杂质。
[0007]作为优选，在所述原水泵与自清洗砂滤器之间的管路上设置有压力表。
[0008]作为优选，在各个设备之间连接的管路上均设置有流量计或/和压力表或/和压力控制开关。
[0009]作为优选，所述的自清洗软化器为NA自动钠离子交换装置。
[0010]作为优选，两个原水泵实现一个用，一个备用。
[0011]与现有技术相比，本专利技术具有如下有益的技术效果：1.整个结构制水过程无需人工干预，做到全自动制水，满水停机；2.自清洗功能，每当前预处理启动时，必须进行冲洗，对后续工艺保护；3.设有二级水质不合格排走功能，确保RO产水水质优；4.二级浓水回收至原水箱，能缓解原水压力，节省水源，同时可以降低原水水质，使反渗透产水水质更优；5.往氮封纯水箱提供氮气，来保持水质鲜度；6.纯水输送至用水点后回流至氮封纯水箱，循环杀菌、脱气、保鲜，保持纯水水质质量，保证管道内无菌环境。7、供水系统具有变频恒压功能，自动调整压力并保持压力的稳定性，能进一步提高成品的成功率。
附图说明
[0012]图1为实施例1中一种集成电路半导体超纯水设备的整体连接示意图；
[0013]图2为图1上半部分的连接示意图；
[0014]图3为图2中左侧部分的连接示意图；
[0015]图4为图2中右侧部分的连接示意图；
[0016]图5为图1下部分的连接示意图；
[0017]图6为图5中左侧部分的连接示意图；
[0018]图7为图5中右侧部分的连接示意图。
[0019]附图标记：原水箱1、原水泵2、自清洗砂滤器3、自清洗炭滤器4、自清洗软化器5、第一MF过滤器6、一级高压泵7、一级反渗透装置8、一级RO水箱9、二级高压泵10、二级反渗透装置11、第一在线水质检测器12、不合格排放阀13、二级RO水箱14、EDI泵15、UV紫外线杀菌器16、第二MF过滤器17、EDI装置18、氮封纯水箱19、变频供水泵20、脱气膜21、双级紫外线杀菌器
[0020]22、双级抛光混床23、回流管24、超声波液位计25、压力表26、流量计27、压力表28、压力控制开关29。
具体实施方式
[0021]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0022]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装
置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0023]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0024]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0025]实施例一
[0026]如图1
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图7所示，本专利技术提出的一种集成电路半导体超纯水设备，包括原水箱1，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路半导体超纯水设备，其特征在于：包括原水箱(1)，所述原水箱(1)的输出连接有两个并联的原水泵(2)，原水泵(2)输送原水依次通过自清洗砂滤器(3)及自清洗炭滤器(4)，再输送至自清洗软化器(5)处理后构成一套完整的前预处理系统，该前预处理系统通过第一MF过滤器(6)过滤后输送到一级反渗透单元，该一级反渗透单元依次包括相互连接的一级高压泵(7)、一级反渗透装置(8)以及一级RO水箱(9)，通过一级高压泵(7)增压输送到一级反渗透装置(8)，一级反渗透装置(8)后的一级反渗透产水将储存到供二级反渗透装置(11)用水的一级RO水箱(9)内，一级RO水箱(9)的输出通过二级高压泵(10)将一级RO水增压至二级反渗透装置(11)，进一步滤除水中有机盐；二级反渗透装置(11)后的二级反渗透产水内设置第一在线水质检测器(12)，在二级反渗透装置(11)的输出连接有两路，一路通过不合格排放阀(13)连接原水箱(1)，另一路连接至二级RO水箱(14)，供EDI系统用水，同时二级的浓水将回收至原水箱(1)，缓解原水用水紧张；且二级RO水箱(14)的输出通过EDI泵(15)将二级RO水增压至经过UV紫外线杀菌器(16)杀菌后，再经过第二MF过滤器(17)进一步滤除水中的杂质后，进入EDI装置(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢志尧，邓腊梅，
申请(专利权)人：东莞市仟净环保设备有限公司，
类型：发明
国别省市：