声表面波滤波装置及其形成方法制造方法及图纸

一种声表面波滤波装置及其形成方法，其中形成方法包括：提供压电基底；在压电基底上形成若干第一连接部、第二连接部和若干叉指电极结构；在压电基底上形成钝化层，局部覆盖若干第一连接部，至少局部覆盖第二连接部，以及覆盖若干叉指电极结构；形成第三连接部，跨越第二连接部，与位于第二连接部两侧的第一连接部电连接。在形成叉指电极结构之后，在叉指电极结构表面形成钝化层，利用钝化层及时对叉指电极结构进行保护，防止制程中化学药品和水汽对叉指电极结构造成腐蚀和氧化，进而提升器件的性能。此外，通过先形成钝化层的制程顺序，能够有效避免高温沉积钝化层而造成其他易挥发材料的挥发而污染机台，以此提升生产效率和器件良率。良率。良率。

【技术实现步骤摘要】
声表面波滤波装置及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种声表面波滤波装置及其形成方法。

技术介绍

[0002]无线通信设备的射频(Radio Frequency，RF)前端芯片包括功率放大器、天线开关、射频滤波器、多工器和低噪声放大器等。其中，射频滤波器包括压电声表面波(SurfaceAcoustic Wave，SAW)滤波器、压电体声波(Bulk Acoustic Wave，BAW)滤波器、微机电系统(Micro
‑
Electro
‑
Mechanical System，MEMS)滤波器、集成无源装置(Integrated PassiveDevices，IPD)滤波器等。
[0003]SAW谐振器的品质因数值(Q值)较高，由SAW谐振器制作成低插入损耗、高带外抑制的射频滤波器，即SAW滤波器。SAW滤波器作为目前无线通信设备中使用较为广泛的滤波器，高可靠性的SAW滤波器可以延长设备的使用寿命，扩大使用范围。
[0004]然而，现有技术中形成声表面波滤波装置的方法仍存在诸多问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种声表面波滤波装置及其形成方法，以提升器件的性能和良率。
[0006]为解决上述问题，本专利技术提供一种声表面波滤波装置，包括：压电基底；位于所述压电基底上的若干第一连接部、第二连接部和若干叉指电极结构，若干所述第一连接部位于所述第二连接部的两侧，所述第一连接部与至少一个所述叉指电极结构电连接，所述第二连接部与至少一个所述叉指电极结构电连接；位于所述压电基底上的钝化层，局部覆盖若干所述第一连接部，至少局部覆盖所述第二连接部，以及覆盖若干所述叉指电极结构；第三连接部，跨越所述第二连接部，与位于所述第二连接部两侧的至少两个所述第一连接部通过至少两个所述第一连接部暴露出的表面电连接。
[0007]可选的，还包括：位于所述第三连接部和所述钝化层之间的第一介质层。
[0008]可选的，位于所述第三连接部和所述钝化层之间的空腔。
[0009]可选的，所述钝化层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氧化铝和氮化铝中的一种或多种。
[0010]可选的，所述钝化层包括单层或多层结构。
[0011]可选的，所述第一介质层的材料包括：聚酰亚胺、氧化硅、氮化硅、氧化铝或氮化铝。
[0012]可选的，所述第三连接部包括单层或多层结构。
[0013]可选的，还包括：若干第一通孔，贯穿所述钝化层，暴露出至少两个所述第一连接部的部分表面，所述第三连接部通过所述第一通孔与所述第一连接部接触。
[0014]可选的，还包括：位于所述压电基底上的第一电极层，所述钝化层还覆盖所述第一
电极层；位于所述第一电极层上方的所述钝化层上的第二介质层；位于所述第二介质层上的第二电极层；由所述第一电极层、所述第二电极层以及位于所述第一电极层与所述第二电极层之间的所述钝化层及所述第二介质层构成电容。
[0015]可选的，还包括：位于所述压电基底上的电感。
[0016]相应的，本专利技术技术方案中还提供一种声表面波滤波装置的形成方法，包括：提供压电基底；在所述压电基底上形成若干第一连接部、第二连接部和若干叉指电极结构，若干所述第一连接部位于所述第二连接部的两侧，所述第一连接部与至少一个所述叉指电极结构电连接，所述第二连接部与至少一个所述叉指电极结构电连接；在所述压电基底上形成钝化层，局部覆盖若干所述第一连接部，至少局部覆盖所述第二连接部，以及覆盖若干所述叉指电极结构；形成第三连接部，跨越所述第二连接部，与位于所述第二连接部两侧的至少两个所述第一连接部通过至少两个所述第一连接部暴露出的表面电连接。
[0017]可选的，在形成所述第三连接部之前，还包括：形成第一介质层，所述第一介质层位于所述钝化层上，跨越所述第二连接部；在形成所述第三连接部之后，所述第一介质层位于所述钝化层与所述第三连接部之间。
[0018]可选的，在形成所述第三连接部之后，还包括：去除所述第一介质层，在所述第三连接部和所述钝化层之间形成空腔。
[0019]可选的，还包括：形成若干第一通孔，贯穿所述钝化层，暴露出至少两个所述第一连接部的部分表面，所述第三连接部通过所述第一通孔与所述第一连接部接触。
[0020]可选的，形成若干第一通孔的方法包括：形成掩膜层，位于所述钝化层上；基于所述掩膜层，去除部分所述钝化层，暴露出所述第一连接部的表面。
[0021]可选的，还包括：形成所述钝化层之前，在所述压电基底上形成第一电极层；所述钝化层覆盖所述第一电极层，在所述第一电极层上方的所述钝化层上形成第二介质层；在所述第二介质层上形成第二电极层；由所述第一电极层、所述第二电极层以及位于所述第一电极层与所述第二电极层之间的所述钝化层和所述第二介质层形成电容。
[0022]可选的，在所述压电基底上形成第一电极层的方法包括：形成第一金属层，位于所述压电基底上；对所述第一金属层进行图形化处理，形成若干所述第一连接部、所述第二连接部、若干所述叉指电极结构以及所述第一电极层。
[0023]可选的，在所述第一电极层上方的所述钝化层上形成第二介质层的方法包括：形成介质材料层，位于所述钝化层上；对所述介质材料层进行图形化处理，形成所述第一介质层及所述第二介质层。
[0024]可选的，在所述第二介质层上形成第二电极层的方法包括：形成第二金属层，至少位于所述钝化层、至少两个所述第一连接部、所述第一介质层及所述第二介质层上；对所述第二金属层进行图形化处理，形成所述第三连接部以及所述第二电极层。
[0025]可选的，还包括：在所述压电基底上形成电感。
[0026]与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：
[0027]在本专利技术技术方案的声表面波滤波装置中，包括：位于所述压电基底上的钝化层，局部覆盖所述第一连接部，至少局部覆盖所述第二连接部，以及覆盖所述叉指电极结构。利用所述钝化层对所述叉指电极结构进行保护，防止制程中化学药品和水汽对所述叉指电极结构造成腐蚀和氧化，进而提升器件的性能。
[0028]进一步，位于所述第三连接部和所述钝化层之间的空腔。所述空腔能够形成更好的电学隔离效果。
[0029]在本专利技术技术方案的声表面波滤波装置的形成方法中，在形成所述第一连接部、第二连接部和所述叉指电极结构之后，在所述压电基底上形成钝化层，局部覆盖所述第一连接部，至少局部覆盖所述第二连接部，以及覆盖所述叉指电极结构，利用所述钝化层及时对所述叉指电极结构进行保护，防止制程中化学药品和水汽对所述叉指电极结构造成腐蚀和氧化，进而提升器件的性能。此外，通过先形成所述钝化层的制程顺序，能够有效避免高温沉积所述钝化层而造成其他易挥发材料的挥发而污染机台，以此提升生产效率和器件良率。
[0030]进一步，在形成所述第三连接部之后，还包括：去除所述第一介质层，在所述第三连接部和所述钝化层之间形成空腔。所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种声表面波滤波装置，其特征在于，包括：压电基底；位于所述压电基底上的若干第一连接部、第二连接部和若干叉指电极结构，若干所述第一连接部位于所述第二连接部的两侧，所述第一连接部与至少一个所述叉指电极结构电连接，所述第二连接部与至少一个所述叉指电极结构电连接；位于所述压电基底上的钝化层，局部覆盖若干所述第一连接部，至少局部覆盖所述第二连接部，以及覆盖若干所述叉指电极结构；第三连接部，跨越所述第二连接部，与位于所述第二连接部两侧的至少两个所述第一连接部通过至少两个所述第一连接部暴露出的表面电连接。2.如权利要求1所述的声表面波滤波装置，其特征在于，还包括：位于所述第三连接部和所述钝化层之间的第一介质层。3.如权利要求1所述的声表面波滤波装置，其特征在于，位于所述第三连接部和所述钝化层之间的空腔。4.如权利要求1所述的声表面波滤波装置，其特征在于，所述钝化层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氧化铝和氮化铝中的一种或多种。5.如权利要求1所述的声表面波滤波装置，其特征在于，所述钝化层包括单层或多层结构。6.如权利要求2所述的声表面波滤波装置，其特征在于，所述第一介质层的材料包括：聚酰亚胺、氧化硅、氮化硅、氧化铝或氮化铝。7.如权利要求1所述的声表面波滤波装置，其特征在于，所述第三连接部包括单层或多层结构。8.如权利要求1所述的声表面波滤波装置，其特征在于，还包括：若干第一通孔，贯穿所述钝化层，暴露出至少两个所述第一连接部的部分表面，所述第三连接部通过所述第一通孔与所述第一连接部接触。9.如权利要求1所述的声表面波滤波装置，其特征在于，还包括：位于所述压电基底上的第一电极层，所述钝化层还覆盖所述第一电极层；位于所述第一电极层上方的所述钝化层上的第二介质层；位于所述第二介质层上的第二电极层；由所述第一电极层、所述第二电极层以及位于所述第一电极层与所述第二电极层之间的所述钝化层及所述第二介质层构成电容。10.如权利要求1所述的声表面波滤波装置，其特征在于，还包括：位于所述压电基底上的电感。11.一种声表面波滤波装置的形成方法，其特征在于，包括：提供压电基底；在所述压电基底上形成若干第一连接部、第二连接部和若干叉指电极结构，若干所述第一连接部位于所述第二连接部的两侧，所述第一连接部与至少一个所述叉指电极结构电连接，所述第二连接部与至少一个所述叉指电极结构电连接；在所述压电基底上形成钝化层，局部覆盖若干所述第一连接部，至少局部覆盖所述第二连接部，以及覆盖若干所述叉指电极结构；形成第三连接部，跨越所述第二连接部，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄烜，邹雅丽，汤正杰，杨新宇，
申请(专利权)人：常州承芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：