一种多环化合物及包含其的有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术提供一种多环化合物及包含其的有机电致发光器件。该多环化合物的结构通式如式I所示，通过引入含有烷基取代基的多个苯环相连的骨架结构作为大位阻基团，使其平面构型扭曲，通过调节大位阻基团上含有的烷基取代基，减弱引入苯环后所引起的π

【技术实现步骤摘要】
一种多环化合物及包含其的有机电致发光器件


[0001]本专利技术属于OLED
，具体包含一种多环化合物及包含其的有机电致发光器件。

技术介绍

[0002]近年来，基于有机材料的光电子器件已经变得越来越受欢迎。此类有机光电子器件的示例包括有机发光二极管(OLED)，有机场效应管，有机光伏打电池，有机传感器等。其中OLED发展尤其迅速，已经在信息显示领域取得商业上的成功。OLED可以提供高饱和度的红、绿、蓝三颜色，用其制成的全色显示装置无需额外的背光源，具有色彩炫丽，相应时间短，色域广，对比度高等优点。
[0003]OLED器件核心为含有多种有机功能材料的薄膜结构。常见的功能化有机材料有：空穴注入材料、空穴传输材料、空穴阻挡材料、电子注入材料、电子传输材料，电子阻挡材料以及发光主体材料和发光客体(染料)等。通电时，电子和空穴被分别注入、传输到发光区域并在此复合，从而产生激子并发光。OLED显示技术的核心有机发光材料，基于红光材料、绿光材料、蓝光材料三者混合实现全色域。新型发光材料的开发是推动电致发光技术不断进步的源动力，也是有机电致发光产业的研究热点。新型蓝光有机电致发光材料的开发实现器件高发光效率和更优的使用寿命，同时，窄半峰宽、色纯度高的蓝光发光材料是开发蓝光发光材料的重点。
[0004]硼氮BD材料由于具有平面结构，结构中使用大量芳环使分子间存在一定的π
‑
π相互吸引，并且含有小半径缺电子的硼原子，导致了掺杂剂的浓度淬灭的加重，而引入其他基团来减弱分子间作用力的同时往往会引起光谱的变化，因此亟待开发具有相似的分子振动模式和能级，避免红移现象的发生，且具有窄的发射光谱和半峰宽，并同时解决有机发光器件中的电压、效率、寿命问题。

技术实现思路

[0005]针对现有技术存在的上述问题，本专利技术提供一种多环化合物及包含其的有机电致发光器件。
[0006]为实现以上目的，本专利技术所采用的技术方案包括：
[0007]本专利技术的第一方面，提供一种多环化合物，所述化合物的结构通式如式Ⅰ所示：
[0008][0009]其中，环A、环B各自独立地表示碳原子数为C6～C
60
的取代或未取代的芳基、碳原子
数为C5～C
60
的取代或未取代的杂芳基、碳原子数为C6～C
60
的取代或未取代的稠环芳基、碳原子数为C5～C
60
的取代或未取代的杂稠环芳基中的任意一种；
[0010]X表示NR6、O、S、Se、C(R7R8)或Si(R7R8)；Y表示B或P＝O；
[0011]R1、R2各自独立地表示氢、氘、卤素、碳原子数为C1～C
30
的取代或未取代的烷基、碳原子数为C1～C
30
的取代或未取代的烷氧基、碳原子数为C2～C
30
的取代或未取代的烯基、碳原子数为C3～C
30
的取代或未取代的环烷基、碳原子数为C6～C
60
的取代或未取代的芳基、碳原子数为C5～C
60
的取代或未取代的杂芳基、碳原子数为C6～C
60
的取代或未取代的稠环芳基、碳原子数为C5～C
60
的取代或未取代的杂稠环芳基中的任意一种；
[0012]m、n各自独立地表示0、1、2、3或4；当m、n为2、3或4时，R1、R2可以相同或不同；
[0013]R3表示氢、氘、卤素、碳原子数为C1～C
30
的取代或未取代的烷基、碳原子数为C1～C
30
的取代或未取代的烷氧基、碳原子数为C3～C
30
的取代或未取代的环烷基、碳原子数为C6～C
60
的取代或未取代的芳基、碳原子数为C5～C
60
的取代或未取代的杂芳基、碳原子数为C6～C
60
的取代或未取代的稠环芳基、碳原子数为C5～C
60
的取代或未取代的杂稠环芳基、取代或未经取代的胺基中的任意一种；
[0014]R4表示氢、氘、卤素、碳原子数为C1～C
30
的取代或未取代的烷基、碳原子数为C3～C
30
的取代或未取代的环烷基中的任意一种；当p表示2、3、4或5时，R4可以相同或不同；
[0015]R5表示碳原子数为C1～C
30
的取代或未取代的烷基、碳原子数为C3～C
30
的取代或未取代的环烷基、取代或未取代的苯基中的任意一种；
[0016]q表示1、2、3或4；当q为1时，R5表示取代或未取代的苯基；当q为2、3或4时，至少一个R5表示取代或未取代的苯基，且所述R5可以相同或不同；
[0017]R6、R7、R8各自独立地表示氢、氘、卤素、碳原子数为C1～C
30
的取代或未取代的烷基、碳原子数为C2～C
30
的取代或未取代的烯基、碳原子数为C1～C
30
的取代或未取代的烷氧基、碳原子数为C3～C
30
的取代或未取代的环烷基、碳原子数为C6～C
60
的取代或未取代的芳基、碳原子数为C5～C
60
的取代或未取代的杂芳基，碳原子数为C6～C
60
的取代或未取代的稠环芳基、碳原子数为C5～C
60
的取代或未取代的杂稠环芳基中的任意一种；所述R6可以与环A彼此连接形成环；
[0018]所述环A、环B、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8中的取代基可以相同或不同，各自独立地选自氘、卤素、氰基、碳原子数为C1～C
10
的烷基、碳原子数为C6～C
60
的芳基、碳原子数为C5～C
60
的杂芳基、碳原子数为C6～C
60
的稠环芳基或碳原子数为C3～C
30
的环烷基中的一种，其中两个或两个以上的取代基可以彼此连接形成脂肪环、芳环或稠环；
[0019]式I所示化合物上的氢可以各自独立地被氘取代。
[0020]进一步地，所述R6与环A连接形成的环为取代或未取代的脂肪环基、取代或未取代的芳环、取代或未取代的杂芳环、取代或未取代的稠环中的任意一种。
[0021]进一步地，所述式Ⅰ化合物选自下述式I
‑
1～式I
‑
7所示结构中的一种：
[0022][0023][0024]其中，所述R9、R
10
、R
11
、R
12
、R
13
各自独立地表示碳原子数为C1～C
30
的取代或未取代的烷基、碳原子数为C3～C
30
的取代或未取代的环烷基中的任意一种；
[0025]r表示0、1、2或3，r1表示0、1或2，s、s1、s2、s3各自独立地表示0、1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多环化合物，其特征在于，所述化合物的结构通式如式Ⅰ所示：其中，环A、环B各自独立地表示碳原子数为C6～C
60
的取代或未取代的芳基、碳原子数为C5～C
60
的取代或未取代的杂芳基、碳原子数为C6～C
60
的取代或未取代的稠环芳基、碳原子数为C5～C
60
的取代或未取代的杂稠环芳基中的任意一种；X表示NR6、O、S、Se、C(R7R8)或Si(R7R8)；Y表示B或P＝O；R1、R2各自独立地表示氢、氘、卤素、碳原子数为C1～C
30
的取代或未取代的烷基、碳原子数为C1～C
30
的取代或未取代的烷氧基、碳原子数为C2～C
30
的取代或未取代的烯基、碳原子数为C3～C
30
的取代或未取代的环烷基、碳原子数为C6～C
60
的取代或未取代的芳基、碳原子数为C5～C
60
的取代或未取代的杂芳基、碳原子数为C6～C
60
的取代或未取代的稠环芳基、碳原子数为C5～C
60
的取代或未取代的杂稠环芳基中的任意一种；m、n各自独立地表示0、1、2、3或4；当m、n为2、3或4时，R1、R2可以相同或不同；R3表示氢、氘、卤素、碳原子数为C1～C
30
的取代或未取代的烷基、碳原子数为C1～C
30
的取代或未取代的烷氧基、碳原子数为C3～C
30
的取代或未取代的环烷基、碳原子数为C6～C
60
的取代或未取代的芳基、碳原子数为C5～C
60
的取代或未取代的杂芳基、碳原子数为C6～C
60
的取代或未取代的稠环芳基、碳原子数为C5～C
60
的取代或未取代的杂稠环芳基、取代或未取代的胺基中的任意一种；R4表示氢、氘、卤素、碳原子数为C1～C
30
的取代或未取代的烷基、碳原子数为C3～C
30
的取代或未取代的环烷基中的任意一种；当p表示2、3、4或5时，R4可以相同或不同；R5表示碳原子数为C1～C
30
的取代或未取代的烷基、碳原子数为C3～C
30
的取代或未取代的环烷基、取代或未取代的苯基中的任意一种；q表示1、2、3或4；当q为1时，R5表示取代或未取代的苯基；当q为2、3或4时，至少一个R5表示取代或未取代的苯基，且所述R5可以相同或不同；R6、R7、R8各自独立地表示氢、氘、卤素、碳原子数为C1～C
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的取代或未取代的烷基、碳原子数为C2～C
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的取代或未取代的烯基、碳原子数为C1～C
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的取代或未取代的烷氧基、碳原子数为C3～C
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的取代或未取代的环烷基、碳原子数为C6～C
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的取代或未取代的芳基、碳原子数为C5～C
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的取代或未取代的杂芳基，碳原子数为C6～C
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的取代或未取代的稠环芳基、碳原子数为C5～C
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的取代或未取代的杂稠环芳基中的任意一种；所述R6可以与环A彼此连接形成环；所述环A、环B、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8中的取代基可以相同或不同，各自独立地选自氘、卤素、氰基、碳原子数为C1～C
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的烷基、碳原子数为C6～C
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的芳基、碳原子数为C5～C
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的杂芳基、碳原子数为C6～C
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的稠环芳基或碳原子数为C3～C
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的环烷基中的一种，其中两个或两个以上的取代基可以彼此连接形成脂肪环、芳环或稠环；式I所示化合物上的氢可以各自独立地被氘取代。
2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述R6与环A连接形成的环为取代或未取代的脂肪环基、取代或未取代的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘嵩远，魏天宇，张建，张佳成，张景，徐凌伟，
申请(专利权)人：石家庄诚志永华显示材料有限公司，
类型：发明
国别省市：