电容传感器制造技术

技术编号:3681371 阅读:205 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术的电容传感器(10)包括:导电性外壳(20),具有开口部(22a)以及与开口部(22a)相对的对置部(22b);固定电极(30),经由开口部(22a)安装在导电性外壳(20)的内部;导电性的振动膜(51),被安装在导电性外壳(20)的内部,在开口部(22a)侧被与固定电极(30)隔离配置;导电性的振动膜保持部(52),被安装在导电性外壳(20)的内部并保持振动膜(51);电路安装基板(60),安装在导电性外壳(20)的内部,分别经由导电性外壳(20)以及振动膜保持部(52)电连接到固定电极(30)以及振动膜(51)上;以及变形抑制部(32),抑制对置部(22b)的变形;所述变形抑制部(32),在导电性外壳(20)以及振动膜(51)之间,比振动膜(51)的可振动部分(51a)的外周(51b)靠近内侧配置。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种电容传感器,其特征在于,所述电容传感器包括:导电性外壳,具有开口部以及与开口部对置的对置部;固定电极,经由所述开口部被安装在所述导电性外壳的内部;导电性的振动膜,被安装在所述导电性外壳的内部,比所述固定电极更靠近所述开口部侧,与所述固定电极隔离配置;导电性的振动膜保持部,被安装在所述导电性外壳的内部并保持所述振动膜;电路安装基板,被安装在所述导电性外壳的内部,经由所述导电性外壳以及所述振动膜保持部分别与所述固定电极以及所述振动膜电连接;以及变形抑制部,抑制所述对置部的变形,所述变形抑制部被配置在所述导电性外壳以及所述振动膜之间,比所述振动膜的可振动部分的外周更靠近内侧。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:平本雅祥土井一素安野功修泽田龙宏
申请(专利权)人:松下电器产业株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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