滤波装置与滤波装置的制造方法制造方法及图纸

本公开提供了一种滤波装置与滤波装置的制造方法，涉及电子技术领域。装置包括第一耦合腔结构和第二耦合腔结构；第一耦合腔结构包括第一光子晶体和第二光子晶体；第二耦合腔结构包括第一光子晶体和第三光子晶体；第一光子晶体包括第一厚度的第一介电材料和第二厚度的第二介电材料，第二光子晶体包括第三厚度的第一介电材料和第四厚度的第二介电材料，第三光子晶体包括第五厚度的第一介电材料和第六厚度的第二介电材料。本公开设计灵活、结构简单。并且本公开可以通过设置第一介电材料与第二介电材料的不同厚度，得到不同的第一光子晶体、第二光子晶体和第三光子晶体，从而适应不同的信号频段。同的信号频段。同的信号频段。

【技术实现步骤摘要】
滤波装置与滤波装置的制造方法


[0001]本公开涉及电子
，尤其涉及一种滤波装置与滤波装置的制造方法。

技术介绍

[0002]滤波器是用来进行波长选择的仪器，滤波器可以从众多的波长中挑选出所需的波长，而除此波长以外的波将会被拒绝通过。例如，滤波器可以用于波长选择、光放大器的噪声滤除、增益均衡、光复用/解复用等

[0003]现有技术中，可以通过平顶滤波的方法，来对需要的波进行过滤。因此，需要一种可以设计灵活、结构简单的滤波装置，可以通过平顶滤波的方法来对波进行过滤。并且，该滤波装置可以根据不同的工作频段来进行区别性地设计。
[0004]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0005]本公开提供一种滤波装置与滤波装置的制造方法，该滤波装置至少在一定程度上设计灵活、结构简单，且可以根据不同的工作频段来进行区别性地设计。
[0006]本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。
[0007]根据本公开实施例的一个方面，提供一种滤波装置，包括：第一耦合腔结构和第二耦合腔结构；
[0008]其中，该第一耦合腔结构包括：第一光子晶体和第二光子晶体；该第二耦合腔结构包括：第一光子晶体和第三光子晶体；
[0009]该第一光子晶体包括：第一厚度的第一介电材料和第二厚度的第二介电材料，该第二光子晶体包括：第三厚度的第一介电材料和第四厚度的第二介电材料，该第三光子晶体包括：第五厚度的第一介电材料和第六厚度的第二介电材料；该第三厚度与第一厚度的比值为第一系数，该第四厚度与第二厚度的比值为第一系数，该第五厚度与第一厚度的比值为第二系数，该第六厚度与第二厚度的比值为第二系数。
[0010]在本公开的一些实施例中，滤波装置为该第一耦合腔结构中的第二光子晶体与该第二耦合腔结构中的第三光子晶体进行拼接得到。
[0011]在本公开的一些实施例中，第一光子晶体为该第一介电材料与该第二介电材料周期性排列得到；
[0012]该第二光子晶体、该第三光子晶体中的该第一介电材料与该第二介电材料的排列方式，均与该第一光子晶体中的排列方式相同。
[0013]在本公开的一些实施例中，第一介电材料为氟化镁，第二介电材料为三氧化二锑。
[0014]在本公开的一些实施例中，第一系数为0.55，第二系数为0.35。
[0015]根据本公开的另一个方面，提供一种滤波装置的制造方法，包括：
[0016]根据第一厚度的第一介电材料和第二厚度的第二介电材料，生成第一光子晶体；根据第三厚度的第一介电材料和第四厚度的第二介电材料，生成第二光子晶体，其中，该第三厚度与第一厚度的比值为第一系数，该第四厚度与第二厚度的比值为第一系数；根据第五厚度的第一介电材料和第六厚度的第二介电材料，生成第三光子晶体，其中，该第五厚度与第三厚度的比值为第二系数，该第六厚度与第四厚度的比值为第二系数；将该第一光子晶体与该第二光子晶体进行拼接，得到第一耦合腔结构，并将该第一光子晶体与该第三光子晶体进行拼接，得到第二耦合腔结构；根据该第一耦合腔结构和该第二耦合腔结构，制造滤波装置。
[0017]在本公开的一些实施例中，根据该第一耦合腔结构和该第二耦合腔结构，制造滤波装置，包括：
[0018]将该第一耦合腔结构中的第二光子晶体与该第二耦合腔结构中的第三光子晶体进行拼接，得到目标耦合腔结构；根据该目标耦合腔结构，制造该滤波装置。
[0019]在本公开的一些实施例中，根据第一厚度的第一介电材料和第二厚度的第二介电材料，生成第一光子晶体，包括：
[0020]将该第一厚度的第一介电材料与该第二厚度的第二介电材料进行周期性排列，得到该第一光子晶体。
[0021]在本公开的一些实施例中，该第二光子晶体、该第三光子晶体中的该第一介电材料与该第二介电材料的排列方式，均与该第一光子晶体中的排列方式相同。
[0022]在本公开的一些实施例中，该第一介电材料为氟化镁，该第二介电材料为三氧化二锑。
[0023]在本公开的一些实施例中，该第一系数为0.55，该第二系数为0.35。
[0024]根据本公开的再一个方面，提供一种电子设备，包括：处理器；以及存储器，用于存储该处理器的可执行指令；其中，该处理器配置为经由执行该可执行指令来执行上述的滤波装置的制造方法。
[0025]根据本公开的又一个方面，提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述的滤波装置的制造方法。
[0026]根据本公开的另一个方面，提供了一种计算机程序产品或计算机程序，该计算机程序产品或计算机程序包括计算机指令，该计算机指令存储在计算机可读存储介质中。计算机设备的处理器从计算机可读存储介质读取该计算机指令，处理器执行该计算机指令，使得该计算机设备执行本公开任一实施例中的各种可选方式中提供的滤波装置的制造方法。
[0027]本公开实施例提供的技术方案，可以通过设置不同厚度的第一介电材料与第二介电材料，得到第一光子晶体、第二光子晶体以及第三光子晶体。并可以通过第一光子晶体与第二光子晶体组成第一耦合腔结构，通过第一光子晶体与第三光子晶体组成第二耦合腔结构。由于通过第一耦合腔结构与第二耦合腔结构进行组合可以形成较宽的光子禁带，因此该结构可以用于进行平顶滤波。并且，本公开可以通过设置第一介电材料与第二介电材料的厚度，来得到不同的第一光子晶体、第二光子晶体以及第三光子晶体，从而适应不同场景下滤波的信号频段。因此，本公开的滤波装置设计灵活、结构简单。
[0028]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不
能限制本公开。
附图说明
[0029]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0030]图1示出本公开实施例中一种滤波装置的示意图；
[0031]图2示出本公开实施例中一种第一光子晶体的示意图；
[0032]图3示出本公开实施例中一种第一耦合腔结构11的示意图；
[0033]图4示出本公开实施例中一种第二耦合腔结构12的示意图；
[0034]图5示出本公开实施例中一种第一耦合腔结构11中的第二光子晶体与第二耦合腔结构12中的第三光子晶体进行拼接的示意图；
[0035]图6示出本公开实施例中一种滤波装置的制造方法的流程图；
[0036]图7示出本公开实施例中一种电子设备的结构框图。
具体实施方式
[0037]现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种滤波装置，其特征在于，包括：第一耦合腔结构和第二耦合腔结构；其中，所述第一耦合腔结构包括：第一光子晶体和第二光子晶体；所述第二耦合腔结构包括：第一光子晶体和第三光子晶体；所述第一光子晶体包括：第一厚度的第一介电材料和第二厚度的第二介电材料，所述第二光子晶体包括：第三厚度的第一介电材料和第四厚度的第二介电材料，所述第三光子晶体包括：第五厚度的第一介电材料和第六厚度的第二介电材料；所述第三厚度与第一厚度的比值为第一系数，所述第四厚度与第二厚度的比值为第一系数，所述第五厚度与第一厚度的比值为第二系数，所述第六厚度与第二厚度的比值为第二系数。2.根据权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述滤波装置为所述第一耦合腔结构中的第二光子晶体与所述第二耦合腔结构中的第三光子晶体进行拼接得到。3.根据权利要求1所述的滤波装置，其特征在于，所述第一光子晶体为所述第一介电材料与所述第二介电材料周期性排列得到；所述第二光子晶体、所述第三光子晶体中的所述第一介电材料与所述第二介电材料的排列方式，均与所述第一光子晶体中的排列方式相同。4.根据权利要求1至3任一所述的滤波装置，其特征在于，所述第一介电材料为氟化镁，所述第二介电材料为三氧化二锑。5.根据权利要求1至3任一所述的滤波装置，其特征在于，所述第一系数为0.55，所述第二系数为0.35。6.一种滤波装置的制造方法，其特征在于，包括：根据第一厚度的第一介电材料和第二厚度的第二介电材料，生成第一光子晶体；根据第三厚度的第一介电材料和第四厚度的第二介电材料，生成第二光子晶体，其中，所述第三厚度与第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄君雅，
申请(专利权)人：中国电信股份有限公司，
类型：发明
国别省市：